Распродажа

Электронные компоненты со склада по низким ценам, подробнее >>>

Журнал Радио

2004: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8
2003: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12
2002: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12
2000: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12
1999: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12
1998: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12
1971: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12
1947: 
1, 2, 3, 4, 5
1946: 
1, 2, 3, 4-5, 6-7, 8-9

Новости электроники

В 14 раз выросло количество россиян на MediaTek Labs ? проекте по созданию устройств "интернета вещей" и "носимых гаджетов"

Сравнив статистику посещения сайта за два месяца (ноябрь и декабрь 2014 года), в MediaTek выяснили, что число посетителей ресурса из России увеличилось в 10 раз, а из Украины ? в 12. Таким образом, доля русскоговорящих разработчиков с аккаунтами на labs.mediatek.com превысила одну десятую от общего количества зарегистрированных на MediaTek Labs пользователей.

Новое поколение Джобсов или как MediaTek создал свой маленький "Кикстартер"

Амбициозная цель компании MediaTek - сформировать сообщество разработчиков гаджетов из специалистов по всему миру и помочь им реализовать свои идеи в готовые прототипы. Уже сейчас для этого есть все возможности, от мини-сообществ, в которых можно посмотреть чужие проекты до прямых контактов с настоящими производителями электроники. Начать проектировать гаджеты может любой талантливый разработчик - порог входа очень низкий.

Семинар и тренинг "ФеST-TIваль инноваций: MAXIMум решений!" (14-15.10.2013, Новосибирск)

Компания Компэл, приглашает вас принять участие в семинаре и тренинге ?ФеST-TIваль инноваций: MAXIMум решений!?, который пройдет 14 и 15 октября в Новосибирске.

Мне нравится

Комментарии

дима пишет в теме Параметры биполярных транзисторов серии КТ827:

люди куплю транзистар кт 827А 0688759652

тамара плохова пишет в теме Журнал Радио 9 номер 1971 год. :

как молоды мы были и как быстро пробежали годы кулотино самое счастливое мое время

Ивашка пишет в теме Параметры отечественных излучающих диодов ИК диапазона:

Светодиод - это диод который излучает свет. А если диод имеет ИК излучение, то это ИК диод, а не "ИК светодиод" и "Светодиод инфракрасный", как указано на сайте.

Владимир пишет в теме 2Т963А-2 (RUS) со склада в Москве. Транзистор биполярный отечественный:

Подскажите 2т963а-2 гарантийный срок

Владимир II пишет... пишет в теме Параметры биполярных транзисторов серии КТ372:

Спасибо!

Теория:понемногу обо всем

Журнал "Радио", номер 11, 1999г.
Автор: В. Поляков, г. Москва

Продолжение. Начало см. в
"Радио",1999,#10
"Радио",1999,#9
"Радио",1999,#8
"Радио",1999,#6
"Радио",1999,#4
"Радио",1999,#3
"Радио",1999,#2
"Радио",1999,#1

    5.3. Усилительные элементы. Транзистор

    Транзистор изобретен на полвека позже радиолампы и к настоящему времени почти полностью вытеснил ее в большинстве областей радиотехники и электроники благодаря малым размерам, экономичности, огромному сроку службы и удобству использования. Это уже не вакуумный прибор - его действие основано на физике полупроводников. Иногда полупроводниковые приборы называют твердотельными.

    Полупроводники - это вещества, занимающие промежуточное положение по электропроводности между проводниками и диэлектриками. К полупроводникам относятся германий, кремний, селен и многие другие элементы и их химические соединения, например, арсенид галлия. Чистый полупроводник, как правило, довольно плохо проводит электрический ток, но его проводимость может быть улучшена введением примеси.

    Широко применяемый в практике полупроводник кремний - четырехвалентный элемент, т.е. на внешней электронной оболочке его атомов находятся по четыре электрона. Каждый атом связан с четырьмя соседними ковалентными связями. Все они оказываются занятыми, и при низких температурах кремний почти не проводит электрический ток. При нагреве часть ковалентных связей разрывается и освободившиеся электроны становятся свободными - проводимость кристалла увеличивается, а его сопротивление падает. Такая температурная зависимость резко отличает полупроводники от металлов - сопротивление последних при нагреве растет.

    Если в кремний добавить примесь - пятивалентный мышьяк или фосфор, то в кристаллическую решетку он "впишется" лишь четырьмя электронами внешней электронной оболочки, а пятый окажется свободным. Проводимость кристалла возрастет, а поскольку носителями тока служат отрицательно заряженные электроны, то такая проводимость называется n-типа (n - negative). Такой же тип проводимости и у металлов.

    Если примесью служат атомы трехвалентного бора, то в кристаллической решетке атом бора осуществляет связь только тремя электронами, а вместо четвертого образуется "вакантное место" или "дырка", по свойствам полностью эквивалентная положительному заряду. Дырки могут перемещаться в толще полупроводника, создавая ток положительных зарядов. Это - проводимость р-типа (р - positive).

    Основой полупроводниковых приборов служит р-n переход, контакт двух полупроводников с разными типами проводимости или иногда контакт металла с полупроводником р-типа. Переход обладает очень интересными свойствами: он пропускает электрический ток только в одном направлении.

    Посмотрим, как это получается. В р-области имеется избыток дырок, они диффундируют в n-область и создают там положительный заряд. То же происходит и с электронами - переходя в р-область, они создают в ней отрицательный заряд. На этом диффузия кончается, поскольку возникшая контактная разность потенциалов (около 0,3 В для германия и 0,7 В для кремния) препятствует дальнейшему движению дырок и электронов (рис. 28,а). Вблизи контакта из-за рекомбинации электронов и дырок возникает обедненный зарядами слой.

рис.

    Если к переходу приложить внешнее напряжение плюсом к n-области, а минусом к р-области, то оно сложится с контактной разностью потенциалов и увеличит потенциальный барьер. Ток через переход почти совсем прекратится - переход окажется закрытым. Если же плюс внешнего напряжения приложен к р-области, потенциальный барьер уменьшается и через переход проходит электрический ток. На рис. 28,б показана вольт-амперная характеристика полупроводникового диода - устройства, содержащего только р-n переход и выводы от него. Видно, что обратный ток диода очень мал и почти не зависит от обратного напряжения, а в прямом направлении ток возрастает при увеличении напряжения весьма быстро.

    Промышленность выпускает сейчас множество разнообразных диодов, от маломощных на токи в несколько десятков миллиампер до мощных силовых, способных выпрямлять переменный ток в десятки и сотни ампер. Специальные диоды с очень малой емкостью перехода работают на сверхвысоких частотах (СВЧ).

    Раз уж мы сказали о емкости, то нельзя не упомянуть о варикапах - диодах, работающих при закрывающем напряжении и обладающих емкостью до сотен пикофарад. Емкость меняется при изменениях напряжения, поскольку изменяется толщина обедненного слоя. Благодаря возможности изменения емкости варикапы служат для электронной настройки колебательных контуров.

    Но перейдем наконец к транзистору. Он содержит два р-n перехода - эмиттерный и коллекторный, имеющие общую область - базу. В зависимости от типа проводимости областей различают р-n-р и n-р-n транзисторы. Их структура и условные обозначения показаны на рис. 29. При включении транзистора эмиттерный переход открывают током Iэ , а на коллекторный переход подают значительное закрывающее напряжение. Но это не значит, что коллекторный ток Iк будет отсутствовать - ведь коллекторный переход расположен очень близко к эмиттерному. Сильное поле коллектора захватывает носители тока, инжектируемые эмиттером в базу. У хороших транзисторов коллекторный ток составляет до 99% и более от тока эмиттера. На долю же тока базы остается порядка 1% от тока эмиттера. Отношение коллекторного тока к току базы называют статическим коэффициентом передачи тока (h21Э ) в схеме с общим эмиттером. Для широко распространенных транзисторов его значение составляет от нескольких десятков до нескольких сотен.







Ваш комментарий к статье
Теория:понемногу обо всем :
Ваше имя:
Отзыв: Разрешено использование тэгов:
<b>жирный текст</b>
<i>курсив</i>
<a href="http://site.ru"> ссылка</a>