Распродажа

Электронные компоненты со склада по низким ценам, подробнее >>>

Журнал Радио

2004: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8
2003: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12
2002: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12
2000: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12
1999: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12
1998: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12
1971: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12
1947: 
1, 2, 3, 4, 5
1946: 
1, 2, 3, 4-5, 6-7, 8-9

Новости электроники

В 14 раз выросло количество россиян на MediaTek Labs ? проекте по созданию устройств "интернета вещей" и "носимых гаджетов"

Сравнив статистику посещения сайта за два месяца (ноябрь и декабрь 2014 года), в MediaTek выяснили, что число посетителей ресурса из России увеличилось в 10 раз, а из Украины ? в 12. Таким образом, доля русскоговорящих разработчиков с аккаунтами на labs.mediatek.com превысила одну десятую от общего количества зарегистрированных на MediaTek Labs пользователей.

Новое поколение Джобсов или как MediaTek создал свой маленький "Кикстартер"

Амбициозная цель компании MediaTek - сформировать сообщество разработчиков гаджетов из специалистов по всему миру и помочь им реализовать свои идеи в готовые прототипы. Уже сейчас для этого есть все возможности, от мини-сообществ, в которых можно посмотреть чужие проекты до прямых контактов с настоящими производителями электроники. Начать проектировать гаджеты может любой талантливый разработчик - порог входа очень низкий.

Семинар и тренинг "ФеST-TIваль инноваций: MAXIMум решений!" (14-15.10.2013, Новосибирск)

Компания Компэл, приглашает вас принять участие в семинаре и тренинге ?ФеST-TIваль инноваций: MAXIMум решений!?, который пройдет 14 и 15 октября в Новосибирске.

Мне нравится

Комментарии

дима пишет в теме Параметры биполярных транзисторов серии КТ827:

люди куплю транзистар кт 827А 0688759652

тамара плохова пишет в теме Журнал Радио 9 номер 1971 год. :

как молоды мы были и как быстро пробежали годы кулотино самое счастливое мое время

Ивашка пишет в теме Параметры отечественных излучающих диодов ИК диапазона:

Светодиод - это диод который излучает свет. А если диод имеет ИК излучение, то это ИК диод, а не "ИК светодиод" и "Светодиод инфракрасный", как указано на сайте.

Владимир пишет в теме 2Т963А-2 (RUS) со склада в Москве. Транзистор биполярный отечественный:

Подскажите 2т963а-2 гарантийный срок

Владимир II пишет... пишет в теме Параметры биполярных транзисторов серии КТ372:

Спасибо!

Журнал Радио 4 номер 2002 год. РАДИОЛЮБИТЕЛЮ-КОНСТРУКТОРУ

ИССЛЕДОВАНИЕ PSPICE-МОДЕЛЕЙ АНАЛОГОВЫХ РАДИОЭЛЕМЕНТОВ

О. ПЕТРАКОВ, г. Москва 

Продолжение. Начало см. в "Радио", 2002, ╧ 3

ХАРАКТЕРИСТИКИ НАСЫЩЕНИЯ МОДЕЛИ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА


При разработке бесконтактных коммутаторов важно знать характеристики режима насыщения транзистора. Эти параметры — определяющие для выбора переключательного транзистора в импульсных преобразователях и устройствах коммутации нагрузки.

Чтобы подобное устройство обладало высоким КПД. коммутирующий транзистор должен находиться либо в состоянии "Полностью открыт", либо "Полностью закрыт" и как можно быстрее переключаться из одного состояния в другое. В состоянии "Полностью открыт" транзистор должен быть насыщен. Рассеиваемая на нем мощность определяется произведением тока коллектора на напряжение насыщения участка коллектор— эмиттер при заданном токе коллектора плюс некоторая дополнительная мощность, определяемая током базы, который требуется для поддержания транзистора в состоянии насыщения. Она равна произведению напряжения насыщения базы на ток базы. Иногда дополнительная мощность, затрачиваемая на управление транзистором, весьма значительна. Это является существенным недостатком биполярных транзисторов.

В справочниках напряжение насыщения трактуется неоднозначно. Обычно его указывают при определенном токе базы и коллектора или приводят графики напряжения насыщения (Uкэнас и Uбэнас) от тока базы при фиксированном токе коллектора или строят зависимости Uкэнас и Uбэнас от тока коллектора при коэффициенте насыщения Кнас=10 для маломощных транзисторов (для мощных — Кнас=2).

Построим зависимость напряжения насыщения коллектор—эмиттер и база—эмиттер от тока базы для модели мощного биполярного транзистора КТ838А, широко используемого в импульсных источниках вторичного электропитания, параметры которых в значительной мере зависят от качественных показателей коммутирующего транзистора. В справочнике [2] приведены его параметры: Uбэнас (при Iк=4,5 А; Iб=2 А) — не более 1,5 В; Uкэнас (при Iк=4,5 А; Iб=2 А; Т=+25 °С) — не более 1,5 В; Uкэнас (при Iк=4,5 А; Iб=2 А; Т=-45 °С и Т=+100 °С) — не более 5 В.

Пользуясь схемой измерения (рис. 8, табл. 4), рассчитаем эти зависимости. Полученные результаты (рис. 9) не противоречат справочным данным. Очевидно, что резкий рост напряжения коллектор—эмиттер с уменьшением тока базы обусловлен выходом транзистора из режима насыщения.

Теперь построим зависимость напряжения насыщения коллектор—эмиттер и база—эмиттер моделей мощных биполярных транзисторов КТ838А и более современного КТ8121А2 от тока коллектора при фиксированном коэффициенте насыщения, равном двум. В справочнике [2] для транзистора КТ838А, к сожалению, такой характеристики нет, зато есть для КТ8121А2. Сравним модели транзисторов по этому показателю.

Используя схему измерения (рис. 10), примем отношение тока коллектора к току базы равным двум, используя для этого зависимый источник тока, управляемый током F1 с коэффициентом передачи 0,5. Управляющим будет ток через источник напряжения V1 с нулевым напряжением (это требование PSpice). Варьируя ток источника I1 в интервале от 0,1 до 10 А (а значит, ток базы от 0,05 до 5 А), рассчитаем, как будет изменяться напряжение на базе и коллекторе транзистора. Воспользуемся для этого возможностями директивы .DC. Задание на моделирование (табл. 5) состоит из двух, включенных последовательно друг за другом, для транзистора КТ838А и КТ8121А2. При этом характеристики обоих приборов появятся одновременно на одном экране (рис. 11). Из графиков видно, что транзистор КТ8121А2 обладает лучшими характеристиками в режиме насыщения, чем КТ838А. При токе коллектора 4,5 А напряжение насыщения коллектор—эмиттер КТ838А — около 2,1 В, а КТ8121А2 — примерно 0,5 В. Таким образом, для построения мощных коммутаторов предпочтительнее применять транзистор КТ8121А2, поскольку на нем будет рассеиваться меньшая мощность.

ВОЛЬТ-АМПЕРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ МОДЕЛИ МОЩНОГО ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА

В различных печатных источниках и в Интернете в изобилии приведены таблицы аналогов отечественных и импортных транзисторов. Возникает вполне очевидный вопрос — а можно ли воспользоваться моделями аналогов, присвоив им имена отечественных транзисторов? В табл. 6 приведены импортные аналоги мощных полевых транзисторов. Эта таблица хороша тем, что модели многих аналогов можно найти в библиотеках OrCAD-9.2. Подобные транзисторы в основном применяют в импульсных источниках питания телевизоров, видеомагнитофонов, мониторов.

Автора заинтересовал транзистор КП805А, поскольку в блоке питания его телевизора SONY KV-E2541 вышел из строя транзистор BUZ90. Попробуем сравнить хотя бы примерно основные параметры КП805А с характеристиками моделей импортных аналогов из таблицы. Модель транзистора MTP6N60E удалось найти на сайте фирмы tntusoft, модель транзистора BUZ90 обнаружена в библиотеке siemens.lib, а транзистора IRFBC40 — в библиотеке pwmos.lib. Несмотря на то что транзисторы представлены в таблице как аналоги, их модели выглядят весьма по-разному.


Увеличить

Модели транзисторов MTP6N60E и BUZ90 представлены весьма сложными макромоделями (рис. 12, рис. 13), а модель транзистора IRFBC40 — самая простая, построена на основе встроенной модели. Посмотрим, заодно, как это отразится на их параметрах.

ЛИТЕРАТУРА
1. Полупроводниковые приборы: Диоды. Справочник. Под ред. Н. Н. Горюнова. — М.: Энергоатомиздат, 1985.
2. Полупроводниковые приборы: Транзисторы средней и большой мощности. Справочник. Под ред. А. В. Голомедова. — М.: Радио и связь, 1989.

(Продолжение следует)

Вернуться к содержанию журнала "Радио" 4 номер 2002 год







Ваш комментарий к статье
Журнал Радио 4 номер 2002 год. РАДИОЛЮБИТЕЛЮ-КОНСТРУКТОРУ :
Ваше имя:
Отзыв: Разрешено использование тэгов:
<b>жирный текст</b>
<i>курсив</i>
<a href="http://site.ru"> ссылка</a>