Распродажа

Электронные компоненты со склада по низким ценам, подробнее >>>

Журнал Радио

2004: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8
2003: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12
2002: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12
2000: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12
1999: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12
1998: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12
1971: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12
1947: 
1, 2, 3, 4, 5
1946: 
1, 2, 3, 4-5, 6-7, 8-9

Новости электроники

В 14 раз выросло количество россиян на MediaTek Labs ? проекте по созданию устройств "интернета вещей" и "носимых гаджетов"

Сравнив статистику посещения сайта за два месяца (ноябрь и декабрь 2014 года), в MediaTek выяснили, что число посетителей ресурса из России увеличилось в 10 раз, а из Украины ? в 12. Таким образом, доля русскоговорящих разработчиков с аккаунтами на labs.mediatek.com превысила одну десятую от общего количества зарегистрированных на MediaTek Labs пользователей.

Новое поколение Джобсов или как MediaTek создал свой маленький "Кикстартер"

Амбициозная цель компании MediaTek - сформировать сообщество разработчиков гаджетов из специалистов по всему миру и помочь им реализовать свои идеи в готовые прототипы. Уже сейчас для этого есть все возможности, от мини-сообществ, в которых можно посмотреть чужие проекты до прямых контактов с настоящими производителями электроники. Начать проектировать гаджеты может любой талантливый разработчик - порог входа очень низкий.

Семинар и тренинг "ФеST-TIваль инноваций: MAXIMум решений!" (14-15.10.2013, Новосибирск)

Компания Компэл, приглашает вас принять участие в семинаре и тренинге ?ФеST-TIваль инноваций: MAXIMум решений!?, который пройдет 14 и 15 октября в Новосибирске.

Мне нравится

Комментарии

дима пишет в теме Параметры биполярных транзисторов серии КТ827:

люди куплю транзистар кт 827А 0688759652

тамара плохова пишет в теме Журнал Радио 9 номер 1971 год. :

как молоды мы были и как быстро пробежали годы кулотино самое счастливое мое время

Ивашка пишет в теме Параметры отечественных излучающих диодов ИК диапазона:

Светодиод - это диод который излучает свет. А если диод имеет ИК излучение, то это ИК диод, а не "ИК светодиод" и "Светодиод инфракрасный", как указано на сайте.

Владимир пишет в теме 2Т963А-2 (RUS) со склада в Москве. Транзистор биполярный отечественный:

Подскажите 2т963а-2 гарантийный срок

Владимир II пишет... пишет в теме Параметры биполярных транзисторов серии КТ372:

Спасибо!

Журнал Радио 6 номер 2002 год. ЗВУКОТЕХНИКА

Ч ЕТЫРЕХКАНАЛЬНЫЙ КАССЕТНЫЙ РЕКОРДЕР

А. ФИЛАТОВ, К. ФИЛАТОВ, г. Таганрог Ростовской обл. 

Продолжение. Начало см. в "Радио", 2002, ╧ 5

Принципиальная схема одного канала записи приведена на рис. 3. Входной сигнал через конденсатор С1 поступает на базу эмиттерного повторителя на транзисторе VT1 и далее на активный ФНЧ с аппроксимацией АЧХ Золотарева-Кауэра [2], собранный на элементах R4, R5, R7, С4 — С6 и VT2. Частота среза выбрана равной 20 кГц, крутизна АЧХ в полосе подавления — около 30 дБ на октаву. Делитель R1R2 обеспечивает напряжение на базе VT1, при котором напряжение смещения на неинвертирующем входе ОУ DA1.1 близко к нулю. ФНЧ подавляет ультразвуковые компоненты входного сигнала, создающие слышимые биения с колебаниями ГСП. Такие, компоненты существуют в сигнале на выходах стереофонического тюнера (в виде колебаний поднесущей частоты 31,25 или 38 кГц и их гармоник), а также проигрывателя компакт-дисков (как импульсы частоты дискретизации 44,1 кГц и ее гармоник).


Увеличить

Усилитель записи собран на ОУ К157УД2, в цепь обратной связи которого включены элементы низкочастотной коррекции R10, R13, С10, С7, R8 и адаптивной высокочастотной коррекции С8, L1, R9, VT3. Глубина ВЧ коррекции определяется суммарным сопротивлением резистора R9 и выходного сопротивления транзисторного каскада на VT3. При малых уровнях входного сигнала транзистор VT3 близок к насыщению за счет базового тока, протекающего через резисторы R12, R27 и R25. Добротность контура C8L1 максимальна, глубина ВЧ коррекции достигает 14 дБ.

Выход усилителя записи (вывод 13 DA1) подключен через ФНЧ R16C12, разделительный конденсатор С17, фильтр-пробку напряжения подмагни-чивания C20L2, резистор R31, стабилизирующий ток записи, к разъему Х4, с которого сигнал поступает на разъем Х1 (см. рис. 2) и далее через Х2 на универсальную головку BG1. Кроме того, к выходу УЗ подключены делитель сигнала R17R21C13, поступающего на индикатор уровня записи, а также вход детектора на элементах С15, VD1, R23, VT7, R26, С19, управляющего модулятором высокочастотного подмагничивания, и входная цепь С11, R14 инвертора на транзисторе VT4. Резистор R26 обеспечивает начальное смещение диода VD1 и эмиттерно-базового перехода VT7, увеличивая линейность начального участка характеристики детектирования. При отсутствии ВЧ компонент во входном сигнале детектора напряжение на верхнем по схеме выводе конденсатора С19 детектора составляет +1 В.

Детектор, управляющий через транзистор VT3 глубиной ВЧ коррекции при записи, выполнен по двухполупериодной схеме в виде параллельно включенных по выходу двух эмиттерных детекторов C14R19VT5 и C16R22VT6, на входы которых подаются противофазные напряжения. Нагрузкой детектора являются элементы R25 и С18. Резистор R24 ограничивает пиковый ток разряда конденсатора С18. Резистор R27 создает начальное смещение переходов эмиттер—база транзисторов VT5, VT6. Параллельное включение этих детекторов увеличивает вдвое частоту пульсаций огибающей и уменьшает искажения регулируемого сигнала ввиду отсутствия четных гармоник. По мере роста уровня и частоты сигнала напряжение на конденсаторе С18 детектора изменяется с +0,9 В до -2 В, вызывая закрывание транзистора VT3 и уменьшение глубины ВЧ коррекции.

Модулятор напряжения подмагничивания выполнен на основе параллельного колебательного контура C22L3R32 с добротностью, регулируемой путем изменения среднего сопротивления потерь контура транзистором VT8 модулятора. Известно, что на резонансной частоте сопротивление реактивных элементов контура в Q раз (Q — добротность контура) больше последовательного сопротивления потерь. Роль сопротивления потерь выполняют параллельно включенные элементы R32, VD2 и сопротивление коллектор—эмиттер транзистора VT8. Так как ток, протекающий в индуктивной ветви контура, одинаков для индуктивности и эквивалентного сопротивления потерь, то падения напряжений на этих элементах пропорциональны их сопротивлениям. Так, при добротности контура QЭ = 10 и амплитуде напряжения на контуре, например, 50 В, амплитуда напряжения на сопротивлении потерь составит всего 5 В, и для изменения добротности контура можно применить маломощный низковольтный транзистор. Для предотвращения открывания при отрицательных полуволнах напряжения на резисторе R32 перехода база—коллектор транзистора VT8 служит диод VD2.

Таким образом, изменение добротности колебательного контура осуществляется путем изменения выходного сопротивления транзисторного модулятора VT8 при положительных полупериодах напряжения на его коллекторе. Известно, что эквивалентное резонансное сопротивление параллельного контура (при f = fo) рассчитывается по формуле Rэр = QэVL3/C22 и при изменении величины Qэ будет также изменяться. Учитывая, что напряжение с ГСП подается на описанный контур через конденсатор С23, получаем делитель напряжения, в котором роль нижнего плеча играет параллельный колебательный контур L3C22 с элементами R32,VD2,VT8 с изменяемой добротностью. Тем самым осуществляется модуляция напряжения подмагничивания.

При малых уровнях ВЧ составляющих сигнала на выходе усилителя записи напряжение +1 В на эмиттере VT7 детектора через резистор R28 насыщает транзистор VT8. В этом случае сопротивление потерь контура минимально, а напряжение подмагничивания на контуре L3C22 максимально. Через конденсатор С21 оно поступает в цепь универсальной головки.

По мере увеличения уровня ВЧ составляющих и (или) их частоты напряжение на верхнем по схеме выводе конденсатора С19 уменьшается, выходное сопротивление транзистора VT8 возрастает (при положительных полуволнах напряжения на коллекторе). При этом среднее за период сопротивление потерь контура увеличивается, а его добротность и эквивалентное резонансное сопротивление снижается. В результате напряжение подмагничивания на контуре L3C22 уменьшается. Элементы R28, R29, R30 обеспечивают линейность модуляционной характеристики модулятора на VT8 при снижении напряжения на контуре до 1/3 от максимального.

Достоинствами предложенного модулятора являются высокая линейность управления, дополнительная фильтрация напряжения подмагничивания, простота, возможность модуляции напряжения подмагничивания с амплитудой до 100 В при использовании низковольтных маломощных транзисторов (lк max<100 MA, Uкэ max<20...30 В),

например, КТ315Б. К недостаткам можно отнести наличие индуктивности L3 и необходимость настройки контура L3C22 на частоту ГСП.

Принципиальная схема генератора стирания и подмагничивания приведена на рис. 4. Прямоугольные колебания со скважностью 2 и частотой 32,768 кГц поступают через цепь C1R1 от кварцевого генератора блока цифровой ФАПЧ ведущего двигателя на вход колебательного контура C2L1. Для умножения частоты использована третья гармоника напряжения формы "меандр", на частоту которой настроен контур. Элементы R2, VD1, СЗ обеспечивают необходимый режим работы последующих каскадов ГСП и их температурную стабилизацию. Эмиттерный повторитель на транзисторе VT1 согласует высокое резонансное сопротивление контура умножителя L1C2 с входным сопротивлением усилителя мощности. Включение ГСП осуществляется подачей напряжения +5 В в точку соединения элементов R2, R3, С4.

Усилитель мощности ГСП состоит из эмиттерного повторителя на транзисторе VT2 и резонансного усилителя на VT3, выполненного по схеме с общим эмиттером с неполным включением колебательного контура C6C7L2BS1 в коллекторной цепи. Резистор R4 используется для установки критического режима работы генератора при угле отсечки коллекторного тока, близком к 90 град. Роль индуктивности колебательного контура выполняют дроссель L2 и стирающая головка BS1, индуктивность которой около 360 мкГн. Конденсатор С7 используется для точной настройки контура генератора на частоту 98,3 кГц. Резистор R7 служит для измерения тока эмиттера (практически равного току коллектора) и, являясь элементом цепи ООС, несколько увеличивает входное сопротивление оконечного каскада, дополнительно стабилизирует его режим. Элементы С8, L3, С9 образуют фильтр колебаний с частотой ГСП по цепи питания. Переключатель SA1 с резистором R8 изменяет напряжение (и ток) стирания и подмагничивания для различных типов лент — с нормальным ("Fe203") и высоким ("Сr02") уровнем подмагничивания.

Неполным включением колебательного контура (коэффициент включения р = 0,22) достигается размах напряжения на конденсаторе С6 не менее 85 В при напряжении питания на конденсаторе С8 12 В (для ленты с нормальным уровнем подмагничивания переключатель SA1 разомкнут) и около 110 В при замкнутых контактах. При необходимости это напряжение можно увеличить, снизив индуктивность дросселя L2. Напряжение с конденсаторов С6, С7 контура подается на модуляторы напряжения подмагничивания, входящие в состав каналов записи (см. рис. 1 и 3).

ЛИТЕРАТУРА
2. Мигулин И., Чаповский М Усилительные устройства на транзисторах. — К.: Texнiкa, 1971, 324 с.

(Продолжение следует)

Вернуться к содержанию журнала "Радио" 6 номер 2002 год







Ваш комментарий к статье
Журнал Радио 6 номер 2002 год. ЗВУКОТЕХНИКА :
Ваше имя:
Отзыв: Разрешено использование тэгов:
<b>жирный текст</b>
<i>курсив</i>
<a href="http://site.ru"> ссылка</a>