Распродажа

Электронные компоненты со склада по низким ценам, подробнее >>>

Журнал Радио

2004: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8
2003: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12
2002: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12
2000: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12
1999: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12
1998: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12
1971: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12
1947: 
1, 2, 3, 4, 5
1946: 
1, 2, 3, 4-5, 6-7, 8-9

Новости электроники

В 14 раз выросло количество россиян на MediaTek Labs ? проекте по созданию устройств "интернета вещей" и "носимых гаджетов"

Сравнив статистику посещения сайта за два месяца (ноябрь и декабрь 2014 года), в MediaTek выяснили, что число посетителей ресурса из России увеличилось в 10 раз, а из Украины ? в 12. Таким образом, доля русскоговорящих разработчиков с аккаунтами на labs.mediatek.com превысила одну десятую от общего количества зарегистрированных на MediaTek Labs пользователей.

Новое поколение Джобсов или как MediaTek создал свой маленький "Кикстартер"

Амбициозная цель компании MediaTek - сформировать сообщество разработчиков гаджетов из специалистов по всему миру и помочь им реализовать свои идеи в готовые прототипы. Уже сейчас для этого есть все возможности, от мини-сообществ, в которых можно посмотреть чужие проекты до прямых контактов с настоящими производителями электроники. Начать проектировать гаджеты может любой талантливый разработчик - порог входа очень низкий.

Семинар и тренинг "ФеST-TIваль инноваций: MAXIMум решений!" (14-15.10.2013, Новосибирск)

Компания Компэл, приглашает вас принять участие в семинаре и тренинге ?ФеST-TIваль инноваций: MAXIMум решений!?, который пройдет 14 и 15 октября в Новосибирске.

Мне нравится

Комментарии

дима пишет в теме Параметры биполярных транзисторов серии КТ827:

люди куплю транзистар кт 827А 0688759652

тамара плохова пишет в теме Журнал Радио 9 номер 1971 год. :

как молоды мы были и как быстро пробежали годы кулотино самое счастливое мое время

Ивашка пишет в теме Параметры отечественных излучающих диодов ИК диапазона:

Светодиод - это диод который излучает свет. А если диод имеет ИК излучение, то это ИК диод, а не "ИК светодиод" и "Светодиод инфракрасный", как указано на сайте.

Владимир пишет в теме 2Т963А-2 (RUS) со склада в Москве. Транзистор биполярный отечественный:

Подскажите 2т963а-2 гарантийный срок

Владимир II пишет... пишет в теме Параметры биполярных транзисторов серии КТ372:

Спасибо!

Журнал Радио 8 номер 2002 год. РАДИОЛЮБИТЕЛЮ-КОНСТРУКТОРУ

ИССЛЕДОВАНИЕ PSPICE-МОДЕЛЕЙ АНАЛОГОВЫХ РАДИОЭЛЕМЕНТОВ

О. ПЕТРАКОВ, г. Москва  

Продолжение. Начало см. в "Радио", 2002, ╧ 3, 4, 6

ЗАВИСИМОСТЬ СОПРОТИВЛЕНИЯ КАНАЛА МОДЕЛИ ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА ОТ НАПРЯЖЕНИЯ НА ЗАТВОРЕ

По аналогии с предыдущим примером построим выходные вольт-амперные характеристики транзистора КП312А (рис. 21, табл. 9). Из графиков видно, что полевые транзисторы имеют область управляемого сопротивления, весьма симметричную относительно нуля при малом напряжении на стоке |Uси |<|Uси нас | /2.

Каналы полевых транзисторов ведут себя практически как линейные резисторы, сопротивление которых зависит от напряжения на затворе. Если полярность напряжения на стоке поменять, линейность резистора не нарушается. Поэтому на полевом транзисторе можно реализовать переменный электрически управляемый резистор, работающий на постоянном и переменном токе. Это интересное свойство часто используют в различных системах автоматического регулирования. Однако следует помнить, что для полевых транзисторов с управляющим р-n переходом должно выполняться условие |Uзи|<|Uси |+0,5 В. Иначе при воздействии обратного стокового напряжения участок управляющего р-п перехода возле стока окажется настолько открытым, что в стоковой цепи потечет значительный прямой ток затвора, нарушающий линейность резистора. Прямое напряжение на кремниевом р-п переходе, не превышающее 0,5 В, не создает значительного прямого тока.

В связи с этим представляет интерес зависимость сопротивления канала транзистора от напряжения на затворе. Построим ее. Особенность подобного эксперимента состоит в том, что график зависимости сопротивления канала полевого транзистора вывести непосредственно на экран графического постпроцессопа PSpice нельзя, но можно получить его электрический эквивалент. Чтобы получить сопротивление, необходимо поделить напряжение на стоке на ток стока RDS=UD(J2)/ID(J2). Этот метод является универсальным, и его допустимо использовать для измерения сопротивления в других моделях, в том числе и макромоделях. Таким образом, понадобится делитель напряжения с функцией А/В и преобразователь тока в напряжение.

Теперь составим схему измерения (рис. 22). Преобразователь ток—напряжение, выполненный на основе источника напряжения, управляемого током Н1 (ИНУТ), подключим измерительным входом параллельно источнику нулевого напряжения, который включен в цепь стока полевого транзистора. Это требование PSpice при измерении тока. Изменяя напряжение на затворе (источник напряжения V1) и задавая различные значения напряжения на стоке (источник напряжения V3), получим соответствующее семейство характеристик сопротивления канала полевого транзистора КП312А (выход делителя напряжения А/В).

При составлении задания на моделирование (табл. 10) оформим делитель (рис. 23) в виде отдельной макромодели .SUBCKT DIVIDE А В А/В, где А и В — входы делителя; А/В — его выход. Это позволит в дальнейшем многократно использовать делитель в различных экспериментах. Измерение сопротивления будем проводить в режиме анализа переходных процессов по директиве .TRAN. При этом пропорционально времени будет увеличиваться напряжение источника V1 и, соответственно, ток стока транзистора. Напряжение на стоке по директиве .STEP V3 LIST -0.5 0.5 1 1.5 2 будет изменяться согласно указанному в ней списку в области управляемого сопротивления (см. рис. 21).


Увеличить

Напряжение стока подадим на вход А делителя, а напряжение с выхода ИНУТ, пропорциональное току стока, — на вход В. На выходе делителя получим напряжение, пропорциональное сопротивлению канала полевого транзистора. При этом напряжение в вольтах соответствует сопротивлению в омах, а в киловольтах — сопротивлению в килоомах.

Запустив задание на моделирование, получим требуемое семейство характеристик (рис. 24). Из графиков видно, что сопротивление канала увеличивается по мере того, как напряжение на затворе приближается к напряжению отсечки, которое для этой модели равно -5 В. И это понятно, ведь транзистор закрывается. В интервале от 0 до -1,5 В можно выделить относительно линейный участок изменения сопротивления. Напряжение на стоке тоже влияет на сопротивление канала, с увеличением стокового напряжения оно растет. Это хорошо согласуется с теоретическими и практическими характеристиками полевых транзисторов [3, 4]. В некоторых справочниках вместо графиков сопротивления приводят зависимости проводимости. Очевидно, если поменять местами входы А и В делителя, то получим графики проводимости.

ЗАВИСИМОСТЬ СОПРОТИВЛЕНИЯ КАНАЛА МОДЕЛИ ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА ОТ ТОКА СТОКА

Пользуясь предыдущим экспериментом, построим зависимости сопротивления канала модели полевого транзистора от тока стока. Составим соответствующую схему измерения (рис. 25). Здесь все то же самое, что и в предыдущем случае, только в цепь стока включим источник линейно нарастающего тока I1.


Увеличить

Измерение сопротивления проводим в режиме анализа переходных процессов по директиве .TRAN. При этом пропорционально времени будет увеличиваться ток источника тока I1 и, соответственно, ток стока полевого транзистора. Разумеется, будет изменяться и напряжение на стоке. Подадим напряжение стока на вход А делителя, а напряжение с выхода ИНУТ, пропорциональное току стока, — на вход В. На выходе делителя получим напряжение, пропорциональное сопротивлению канала полевого транзистора. Напряжение в вольтах соответствует сопротивлению в омах, а в киловольтах — сопротивлению в килоомах.

Запустив задание на моделирование (табл. 11), получим кривые (рис. 26) — это и есть искомый результат. Из графиков

ЛИТЕРАТУРА
3. Игнатов А. Н. Полевые транзисторы и их применение. — М.: Радио и связь, 1984.
4. Лобачев Л. Н. Полевые трназисторы. — М.: Радио и связь, 1984.

(Продолжение следует)

Вернуться к содержанию журнала "Радио" 8 номер 2002 год







Ваш комментарий к статье
Журнал Радио 8 номер 2002 год. РАДИОЛЮБИТЕЛЮ-КОНСТРУКТОРУ :
Ваше имя:
Отзыв: Разрешено использование тэгов:
<b>жирный текст</b>
<i>курсив</i>
<a href="http://site.ru"> ссылка</a>