Распродажа

Электронные компоненты со склада по низким ценам, подробнее >>>

Журнал Радио

2004: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8
2003: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12
2002: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12
2000: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12
1999: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12
1998: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12
1971: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12
1947: 
1, 2, 3, 4, 5
1946: 
1, 2, 3, 4-5, 6-7, 8-9

Новости электроники

В 14 раз выросло количество россиян на MediaTek Labs ? проекте по созданию устройств "интернета вещей" и "носимых гаджетов"

Сравнив статистику посещения сайта за два месяца (ноябрь и декабрь 2014 года), в MediaTek выяснили, что число посетителей ресурса из России увеличилось в 10 раз, а из Украины ? в 12. Таким образом, доля русскоговорящих разработчиков с аккаунтами на labs.mediatek.com превысила одну десятую от общего количества зарегистрированных на MediaTek Labs пользователей.

Новое поколение Джобсов или как MediaTek создал свой маленький "Кикстартер"

Амбициозная цель компании MediaTek - сформировать сообщество разработчиков гаджетов из специалистов по всему миру и помочь им реализовать свои идеи в готовые прототипы. Уже сейчас для этого есть все возможности, от мини-сообществ, в которых можно посмотреть чужие проекты до прямых контактов с настоящими производителями электроники. Начать проектировать гаджеты может любой талантливый разработчик - порог входа очень низкий.

Семинар и тренинг "ФеST-TIваль инноваций: MAXIMум решений!" (14-15.10.2013, Новосибирск)

Компания Компэл, приглашает вас принять участие в семинаре и тренинге ?ФеST-TIваль инноваций: MAXIMум решений!?, который пройдет 14 и 15 октября в Новосибирске.

Мне нравится

Комментарии

дима пишет в теме Параметры биполярных транзисторов серии КТ827:

люди куплю транзистар кт 827А 0688759652

тамара плохова пишет в теме Журнал Радио 9 номер 1971 год. :

как молоды мы были и как быстро пробежали годы кулотино самое счастливое мое время

Ивашка пишет в теме Параметры отечественных излучающих диодов ИК диапазона:

Светодиод - это диод который излучает свет. А если диод имеет ИК излучение, то это ИК диод, а не "ИК светодиод" и "Светодиод инфракрасный", как указано на сайте.

Владимир пишет в теме 2Т963А-2 (RUS) со склада в Москве. Транзистор биполярный отечественный:

Подскажите 2т963а-2 гарантийный срок

Владимир II пишет... пишет в теме Параметры биполярных транзисторов серии КТ372:

Спасибо!

Журнал Радио 9 номер 2002 год. СПРАВОЧНЫЙ ЛИСТОК

КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ МОЩНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СЕРИЙ КТ8115, КТ8116

Кремниевые мощные составные транзисторы КТ8115А — КТВ115В (структуры р-n-р) и КТ8116А — КТ8116В (n-р-n), изготовляемые по эпитаксиально-планарной технологии, предназначены для работы в оконечных ступенях усилителей 3Ч, в преобразователях напряжения и другой аппаратуре широкого применения. Приборы оформлены в пластмассовом корпусе КТ-28 (ТО-220) с жесткими штампованными лужеными выводами (рис. 1). Масса прибора — не более 2,5 г.

Зарубежные аналоги: КТ8115А — TIP127, КТ8115Б — TIP126, КТ8115В — TIP125, КТ8116А — TIP122, КТ8116Б — TIP121, КТ8116В — TIP120.

Основные характеристики при Токр.ср = 25°С

Граничное напряжение коллектор—эмиттер, В, не менее, при токе коллектора 100 мА и нулевом токе базы для
КТ8115А, КТ8116А .......100
КТ8115Б, КТ8116Б .......80
КТ8115В, КТ8116В ......60
Обратный ток коллектора, мА, не более, при максимальном напряжении коллектор—база и нулевом токе змиттера ..............0,2
Обратный ток коллектор-эмиттер, мА, не более, для КТ8115А, КТ8116А (при напряжении коллектор—змиттер 50 В), КТ8115Б, КТ8116Б (40 В), КТ8115В, КТ8116В (30 В) .....0.5
Обратный ток эмиттера, мА, не более, при напряжении база—эмиттер 5 В и нулевом токе коллектора...........2
Статический коэффициент передачи тока базы, не менее, при напряжении коллектор—эмиттер 3 В и токе эмиттера 0,5 А и ЗА..................1000
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер, В, не более, при токе коллектора 3 А и
токе базы 12 мА ........2
5 А и 20 мА соответственно .............. 4
Напряжение насыщения база—эмиттер, В, не более, при токе коллектора 3 А и
токе базы 12 мА ........2,5
Модуль коэффициента передачи тока базы, не менее, при напряжении коллектор—эмиттер 4 В, токе коллектора 3 А и частоте 1 МГц.....4
Тепловое сопротивление переход—корпус, °С/Вт, не более .................1.92

Предельно допустимые значения

Наибольшее напряжение коллектор—база, В, для
КТ8115А, КТ8116А........100
КТ8115Б, КТ8116Б.....80
КТ8115В, КТ8116В........60
Наибольшее напряжение коллектор—эмиттер, В, для
КТ8115А, КТ8116А.....100
КТ8115Б, КТ8116Б .......................80
КТ8115В, КТ8116В........................60
Наибольшее напряжение эмиттер—база, В............5
Наибольший постоянный ток коллектора, А .............5
Наибольший импульсный ток коллектора, А .............8
Наибольший постоянный ток базы, А ...................0,12
Наибольшая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, Вт, с теплоотводом .....................65
Наибольшая температура перехода, °С.............150
Рабочий интервал температуры окружающей среды, °С -60...+125
Допустимое значение статического потенциала — 2000 В (VI степень жесткости по ОСТ 11073.062). Не разрешается использование транзисторов при предельных значениях двух и более параметров. Для повышения надежности рекомендуется эксплуатировать приборы при значениях параметров не более 70% от предельно допустимых.

При монтаже транзисторов в устройство, находящееся под напряжением, базовый вывод необходимо припаивать первым, а при демонтаже — отключать последним. Не рекомендуется эксплуатация транзисторов при рабочем токе, соизмеримом с неуправляемым обратным током переходов во всем интервале рабочей температуры.

Допустимо не более чем однократное изгибание выводов. Место изгиба не должно быть ближе 5 мм от корпуса, радиус изгиба — не менее 1,5 мм. Во время изгибания необходимо принять меры, исключающие передачу усилия на корпус.

На рис. 2 изображена типовая зависимость статического коэффициента передачи тока базы транзисторов, а на рис. 3 — типовые зависимости напряжения насыщения коллектор—змиттер и база—эмиттер от тока коллектора. При повышении температуры корпуса транзистора сверх +25°С мощность, рассеиваемую коллектором, необходимо уменьшать в соответствии с кривой, изображенной на рис. 4. Рис. 5 определяет область безопасной работы транзисторов в статическом и импульсном режимах.

Материал подготовил В. КИСЕЛЕВ г. Минск 

Вернуться к содержанию журнала "Радио" 9 номер 2002 год







Ваш комментарий к статье
Журнал Радио 9 номер 2002 год. СПРАВОЧНЫЙ ЛИСТОК :
Ваше имя:
Отзыв: Разрешено использование тэгов:
<b>жирный текст</b>
<i>курсив</i>
<a href="http://site.ru"> ссылка</a>