Мощные полевые транзисторы серии КП742

Кремниевые n-канальные полевые транзисторы КП742А и КП742Б с изолированным затвором, обогащением канала, с встроенным защитным обратновключенным диодом изготавливают по зпитаксиально-планарной технологии. Приборы предназначены для работы в источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях напряжения с непрерывным и импульсным управлением, в приводах электродвигателей и другой аппаратуре, используемой в быту и промышленности.

Транзисторы оформлены в пластмассовом прямоугольном корпусе КТ-43 (ТО-218) с жесткими штампованными лужеными выводами (рис. 1); масса прибора — не более 6 г.

Зарубежный аналог транзистора КП742А — STH75N06, КП742Б — STH75N05 фирмы SGS-THOMSON.

Основные технические характеристики при Ткорп = 25 °С

Пороговое напряжение, В, при токе стока 0,25 мА и соединенных затворе и стоке ....................2...4
Сопротивление открытого канала, Ом, не более, при длительности импульсов не более 300 мкс и их скважности не менее 50, при токе стока 40 А и напряжении затвор—исток 10 В для
КП742А ................0,014
КП742Б ................0,012
Остаточный ток стока, мкА, не более, при максимальном напряжении сток-исток и нулевом напряжении затвор—исток ...........250
Ток утечки затвора, нА, не более, при напряжении затвор—исток ±20 В и нулевом напряжении сток-исток .....................±100
Крутизна ВАХ, А/В, не менее, при длительности импульсов не более 300 мкс и их скважности не менее 50, при напряжении сток—исток 10 В и токе стока 40 А ...................25
Максимальная частота усиления, МГц, не менее...........1
Время включения*, мкс, не более, при напряжении сток—исток 25 В, токе стока 40 А, выходном сопротивлении источника сигнала 6,2 Ом, сопротивлении в цепи стока 50 Ом, напряжении затвор—исток 10 В, длительности импульсов не более 300 мкс и их скважности не менее 50.......1,57
Время выключения*, мкс, не более, при напряжении сток—исток 40 В, токе стока 75 А, выходном сопротивлении источника сигнала 50 Ом, сопротивлении в цепи стока 50 Ом, напряжении затвор—исток 10 В, длительности импульсов не более 300 мкс и их скважности не менее 50 для
КП742А .................0,97
КП742Б .................1,08
Емкость транзистора*, пф, не более, при напряжении сток—исток 25 В, нулевом напряжении затвор—исток и частоте 1 М Гц
входная.................5200
выходная ...............2300
проходная ...............650
Тепловое сопротивление кристалл—корпус, С/Вт, не более ....................30
Постоянное прямое напряжение открытого защитного диода. В, не более, при нулевом напряжении затвор—исток, длительности импульсов не более 300 мкс и их скважности не менее 50 для КП742А при токе через стоковый вывод 75 А и КП742Б — 80А........................1,6
Время обратного восстановления диода*, не, при напряжении сток—исток 35 В, скорости нарастания тока диода 100 А/мкс, длительности импульсов не более 300 мкс и их скважности не менее 50 для КП742А при токе через стоковый вывод 75 А и КП742Б — 80 А.........130

* Справочные параметры.

Предельно допустимые значения

Наибольшее напряжение сток—исток, В, для
КП742А ...................60
КП742Б ...................50
Наибольшее напряжение затвор—исток, В.............±20
Наибольший постоянный ток стока*, А, при температуре корпуса не более 25 °С для
КП742А ...................75
КП742Б ...................80
Наибольший импульсный ток стока*, А, для
КП742А ..................300
КП742Б ..................320
Наибольший прямой ток защитного диода, А, для
КП742А ...................75
КП742Б ...................80
Наибольшая постоянная рассеиваемая мощность**, Вт, при температуре корпуса 25 °С ...........200
Наибольшая температура кристалла, "С ...............175
Рабочий интервал температуры окружающей среды, "С ...................-55...+150
___________________________________________
* При условии непревышения значений максимальных рассеиваемой мощности и температуры кристалла.
** При температуре окружающей среды более 25 °С максимальная допустимая мощность Рmax, должна быть снижена в соответствии с формулой

где Tkp max и Ткорп — значения максимально допустимой температуры кристалла и текущей температуры корпуса транзистора; Rт кр-корп — тепловое сопротивление кристалл—корпус.

Допустимое значение статического потенциала — 500 В в соответствии с ОСТ 11 073.062. Режим и условия монтажа транзисторов в аппаратуру — по ОСТ 11 336.907.0.

Графические типовые зависимости параметров транзисторов КП742А и КП742Б представлены на рис. 2—7.

На рис. 2,а и б показаны семейства выходных характеристик приборов при двух значениях температуры корпуса, а на рис. 3 — температурная зависимость сопротивления открытого канала (нормированная относительно точки, где температура кристалла Ткр = 25 °С). Рис. 4 иллюстрирует зависимость тока стока от напряжения затвор—исток.

Зависимости входной, выходной и проходной емкости приборов от напряжения сток—исток изображены на рис. 5. Ток стока при повышении температуры корпуса необходимо снижать в соответствии с кривой на рис. 6.

Падение напряжения на открытом защитном диоде в зависимости от прямого тока через него показано на рис. 7 (здесь Ic — ток через стоковый вывод прибора).

Вернуться к содержанию журнала "Радио" 4 номер 2004 год