Распродажа

Электронные компоненты со склада по низким ценам, подробнее >>>

Отечественные, серии:

Новости электроники

Мне нравится

Комментарии

дима пишет в теме Параметры биполярных транзисторов серии КТ827:

люди куплю транзистар кт 827А 0688759652

тамара плохова пишет в теме Журнал Радио 9 номер 1971 год. :

как молоды мы были и как быстро пробежали годы кулотино самое счастливое мое время

Ивашка пишет в теме Параметры отечественных излучающих диодов ИК диапазона:

Светодиод - это диод который излучает свет. А если диод имеет ИК излучение, то это ИК диод, а не "ИК светодиод" и "Светодиод инфракрасный", как указано на сайте.

Владимир пишет в теме 2Т963А-2 (RUS) со склада в Москве. Транзистор биполярный отечественный:

Подскажите 2т963а-2 гарантийный срок

Владимир II пишет... пишет в теме Параметры биполярных транзисторов серии КТ372:

Спасибо!

Типономиналы
Назначение выводов КР1008ВЖ27
Схема применения КР1008ВЖ27
Электрические характеристики
Зарубежные аналоги
Литература


     Микросхема 1008ВЖ27 производится по КМОП-технологии и имеет встроенный генератор, синхронизируемый кварцевым или керамическим резонатором на 3,5795 МГц и работает в широком диапазоне рабочих напряжений 2...5,5 В. Она обеспечивает импульсный режим набора номера DP или тональный режим набора номера DTMF. Как в DP так и в DTMF режиме может использоваться стандартная матричная клавиатура 4x4. Микросхема имеет малое энергопотребление и встроенную схему автоматического включения питания при нажатии любой клавиши, а также обеспечивает сохранение информации в ОЗУ при снижении напряжения питания до 1 В. Структурная схема не имеет отличия от UM91214/15.



Типономиналы

    КР1008ВЖ27 - DIP-18
    КФ1008ВЖ27 - SO-20
    КБ1008ВЖ27 - бескорпусное исполнение
    AN7202 - DIP-18

Назначение выводов КР1008ВЖ27 (корпус DIP-18)

назначение выводов

Назначение выводов КФ1008ВЖ27 (корпус SO-20)

назначение выводов

Схема применения

схема применения

Электрические параметры
  ПараметрЗначение
1 Рабочее напряжение VDD от 2,0 до 5,5 В
2 Напряжение удержания памяти VMR не менее 1,0 В
3 Ток удержания памяти IMR не более 1 мкА
4 Ток потребления в импульсном режиме IDDP не более 0,15 мА
5 Ток потребления в тональном режиме IDDT не более 0,8 мА
6 Ток потребления при положенной трубке ISO не более 1 мкА
7 Ток потребления при снятой трубке ISO не более 10 мкА
8 Входной ток выводов строк IR не более 200 мкА
9 Выходная амплитуда однотонального сигнала столбцов V от 584 до 876 мВ (p-p)
10 Выходная амплитуда однотонального сигнала строк VOR от 456 до 684 мВ (p-p)
11 Ток при высоком уровне на выводах DP, XMUTE IOH1 не менее 0,2 мА
12 Ток при низком уровне на выводах MASK, DP, XMUTE IOL1 не менее 0,9 мА
13 Ток при низком уровне на выводе MODE OUT IOL2 не менее 5 мА
14 Коэффициент гармоник по выводу TONE DIS не более 2,4 %
15 Период следования импульсов TPALS от 99,5 до 100,5 мс
16 Длительность межцифровой паузы tIDP от 690 до 710 мс
17 Длительность программируемой паузы tPAU не более 2,2 с
18 Импульсный коэффициент kPLS от 1.45 до 1.55
19 Длительность нажатия клавиши tKEY не менее 21 мс
20 Длительность тонального сигнала при автоматическом наборе tDTMF от 80 до 100 мс
21 Длительность паузы между цифрами тонального сигнала при автоматическом наборе tP от 80 до 120 мс


Зарубежные аналоги

UM91215



Литература

Интегральные микросхемы: Микросхемы для телефонии. Выпуск 2 - М.:ДОДЭКА, 1994г.,256 с. - ISBN-5-87835-003-3

Отечественные микросхемы и зарубежные аналоги Справочник. Перельман Б.Л.,Шевелев В.И. "НТЦ Микротех", 1998г.,376 с. - ISBN-5-85823-006-7







Ваш комментарий к статье
КР1008ВЖ27 - тонально-импульсный номеронабиратель :
Ваше имя:
Отзыв: Разрешено использование тэгов:
<b>жирный текст</b>
<i>курсив</i>
<a href="http://site.ru"> ссылка</a>