Распродажа

Электронные компоненты со склада по низким ценам, подробнее >>>

Отечественные, серии:

Новости электроники

Мне нравится

Комментарии

дима пишет в теме Параметры биполярных транзисторов серии КТ827:

люди куплю транзистар кт 827А 0688759652

тамара плохова пишет в теме Журнал Радио 9 номер 1971 год. :

как молоды мы были и как быстро пробежали годы кулотино самое счастливое мое время

Ивашка пишет в теме Параметры отечественных излучающих диодов ИК диапазона:

Светодиод - это диод который излучает свет. А если диод имеет ИК излучение, то это ИК диод, а не "ИК светодиод" и "Светодиод инфракрасный", как указано на сайте.

Владимир пишет в теме 2Т963А-2 (RUS) со склада в Москве. Транзистор биполярный отечественный:

Подскажите 2т963а-2 гарантийный срок

Владимир II пишет... пишет в теме Параметры биполярных транзисторов серии КТ372:

Спасибо!

Корпус К1114ЕУ1
Функциональная схема К1114ЕУ1
Электрические параметры
Предельно допустимые режимы эксплуатации
Зарубежные аналоги
Литература


Микросхема представляет собой многофункциональную схему для управления импульсными источниками вторичного электропитания (двухтактный ШИМ-контроллер). Корпус типа 4118.24-1, масса не более 1 г.



Корпус К1114ЕУ1

4118.24-1 package view


















Функциональная схема

Функциональная схема
 
 
  1 - эммитер VT2;
  2 - коллектор VT2;
  3 - вход симметрирования;
  4 - напряжение питания;
  5 - опорное напряжение;
  6 - вход контроля повышения
  напряжения;
  7 - выход контроля повышения
  напряжения;
  8 - вход токовой защиты (+);
  9 - вход токовой защиты (-);
  10,17 - свободные;
  11 - вход обратной связи;
  12 - общий;
  13 - вход частотной коррекции;
  14 - выход усилителя
  рассоглосования;
  15 - вход контроля снижения
  напряжения;
  16 - выход контроля снижения
  напряжения;
  18 - вывод задания частоты (R);
  19 - вывод задания паузы (R);
  20 - вывод задания частоты (C);
  21 - вход внешней синхронизации;
  22 - выход компаратора ШИМ;
  23 - коллектор VT1;
  24 - эммитер VT1;

Электрические параметры

1 Напряжение питания 10...20 В
2 Опорное напряжение
    К1114ЕУ1А
    К1114ЕУ1Б
 
2...3 В
1,8...2,8 В
3 Остаточное напряжение не более 1,5 В
4 Напряжение гистерезиса узла контроля повышения напряжения не более 100 мВ
5 Напряжение гистерезиса узла контроля понижения напряжения
    К1114ЕУ1А
    К1114ЕУ1Б
 
не более 100 мВ
не более 150 мВ
6 Напряжение гистерезиса узла защиты по току не более 100 мВ
7 Ток потребления
    К1114ЕУ1А
    К1114ЕУ1Б
 
не более 30 мА
не более 40 мА
8 Коэффициент усиления напряжения усилителя рассоглосования 20...100


Предельно допустимые режимы эксплуатации

1 Входное коммутируемое напряжение
    К1114ЕУ1А
    К1114ЕУ1Б
 
36 В
32 В
2 Выходной ток
    К1114ЕУ1А
    К1114ЕУ1Б
 
100 мА
80 мА
3 Коммутируемая мощность
    К1114ЕУ1А
    при Uком.вх.=0...20 В
    при Uком.вх.=36 В
    К1114ЕУ1Б
    при Uком.вх.=0...20 В
    при Uком.вх.=32 В
 
 
2 Вт
1,5 Вт
 
1,6 Вт
1,3 Вт
4 Частота коммутации
    К1114ЕУ1А
    К1114ЕУ1Б
 
1...200 кГц
1...100 кГц
5 Температура окружающей среды -45...+85 ° C


Зарубежные аналоги

CA2524



Литература

Интегральные микросхемы и их зарубежные аналоги: Справочник. Том 8./А. В. Нефедов. - М.:ИП РадиоСофт, 1998г. - 640с.:ил.

Отечественные микросхемы и зарубежные аналоги Справочник. Перельман Б.Л.,Шевелев В.И. "НТЦ Микротех", 1998г.,376 с. - ISBN-5-85823-006-7