Распродажа

Электронные компоненты со склада по низким ценам, подробнее >>>

Содержание ChipNews

2003: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10
2002: 
1, 5, 6, 7, 8, 9
2001: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10
2000: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10
1999: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10

Новости электроники

В 14 раз выросло количество россиян на MediaTek Labs ? проекте по созданию устройств "интернета вещей" и "носимых гаджетов"

Сравнив статистику посещения сайта за два месяца (ноябрь и декабрь 2014 года), в MediaTek выяснили, что число посетителей ресурса из России увеличилось в 10 раз, а из Украины ? в 12. Таким образом, доля русскоговорящих разработчиков с аккаунтами на labs.mediatek.com превысила одну десятую от общего количества зарегистрированных на MediaTek Labs пользователей.

Новое поколение Джобсов или как MediaTek создал свой маленький "Кикстартер"

Амбициозная цель компании MediaTek - сформировать сообщество разработчиков гаджетов из специалистов по всему миру и помочь им реализовать свои идеи в готовые прототипы. Уже сейчас для этого есть все возможности, от мини-сообществ, в которых можно посмотреть чужие проекты до прямых контактов с настоящими производителями электроники. Начать проектировать гаджеты может любой талантливый разработчик - порог входа очень низкий.

Семинар и тренинг "ФеST-TIваль инноваций: MAXIMум решений!" (14-15.10.2013, Новосибирск)

Компания Компэл, приглашает вас принять участие в семинаре и тренинге ?ФеST-TIваль инноваций: MAXIMум решений!?, который пройдет 14 и 15 октября в Новосибирске.

Мне нравится

Комментарии

дима пишет в теме Параметры биполярных транзисторов серии КТ827:

люди куплю транзистар кт 827А 0688759652

тамара плохова пишет в теме Журнал Радио 9 номер 1971 год. :

как молоды мы были и как быстро пробежали годы кулотино самое счастливое мое время

Ивашка пишет в теме Параметры отечественных излучающих диодов ИК диапазона:

Светодиод - это диод который излучает свет. А если диод имеет ИК излучение, то это ИК диод, а не "ИК светодиод" и "Светодиод инфракрасный", как указано на сайте.

Владимир пишет в теме 2Т963А-2 (RUS) со склада в Москве. Транзистор биполярный отечественный:

Подскажите 2т963а-2 гарантийный срок

Владимир II пишет... пишет в теме Параметры биполярных транзисторов серии КТ372:

Спасибо!

М. Горлов, А. Строгонов

Геронтология кремниевых интегральных схем. Часть 3

Прогнозирование стойкости ИС к длительным механическим воздействиям

    С целью изучения влияния механических нагрузок на поведение параметров кремниевых логических ИС были проведены ресурсные испытания на одиночные и многократные удары ИС типа 134ЛБ1А в количестве 20 шт. на каждый вид испытания. За один удар принимается удар в двух направлениях перпендикулярно и параллельно плоскости кристалла. Всего произведено 30000 многократных ударов с пиковым ударным ускорением 150g и 300 одиночных ударов с ускорением 1000g [1]. До и после каждых 10 одиночных и 2000 многократных ударов проводился замер статических электрических параметров. При многократных ударах длительность импульса составляла 3 мс, форма импульса полуволна синусоиды. Испытания показали, что наибольшей деградации подвержены выходные напряжения низкого (UOL) и высокого (UOH) уровней. Катастрофиче-ских отказов не было, но наблюдался обрыв внешних выводов корпусов, что объясняется многократной загрузкой и выгрузкой ИС в испытательные и измерительные кассеты.

    Проведенный регрессионный анализ показал отсутствие функциональной связи между механическими воздействиями (ударами) и процессом деградации параметров. Экспериментальные данные не удается однозначно описать детерминированной компонентой так же, как и в случае при испытаниях на долговечность, что говорит о вероятностной природе процесса деградации.

Прогноз поведения параметра U<sub>OL</sub> типа 134ЛБ1 до наступления параметрического отказа

Рис. 1. Прогноз поведения параметра UOL типа 134ЛБ1 до наступления параметрического отказа при ресурсных испытаниях на стойкость к одиночным ударам: 1 - наихудшие значения по прогнозу модели АРПСС(0,1,1); 2 - средние значения по прогнозу модели АРПСС(1,1,0)

    По данным ресурсных испытаний проведено прогнозирование стойкости ИС типа 134ЛБ1 по средним и наихудшим значениям параметров UOL и UOH в выборке к воздействию одиночных ударов до наступления параметрических отказов с использованием моделей АРПСС (рис. 1 и 2). Прогнозы построены с учетом верхних и нижних значений 90-% доверительных интервалов. В таблице приведена сводка различных моделей АРПСС, подогнанных для различных рядов деградации параметров UOL и UOH при воздействии одиночных и многократных ударов [2]. Для получения интервалов отсчета через 1000 ударов в случае многократных ударов, недостающие значения были получены аппроксимацией линейной регрессией. В таблице также приведена прогнозируемая стойкость ИС к воздействию одиночных и многократных ударов по наихудшим и средним значениям параметров UOL, UOH при ужесточении критерия отказа до 0,19 В, вместо 0,3 В по ТУ для параметра UOL, и до 2,95 В, вместо 2,4 В для параметра UOH, соответственно. Прогнозируемое число ударов включает испытываемое число плюс прогнозируемое.

Прогноз поведения параметра U<sub>OH</sub> ИС типа 134ЛБ1 до наступления параметрического отказа

Рис. 2. Прогноз поведения параметра UOH ИС типа 134ЛБ1 до наступления параметрического отказа при ресурсных исаытаниях на стойкость к одиночным ударам: 1 - средние значения по прогнозу модели АРПСС (1,2,0); 2 - наихудшие значения по прогнозу модели АРПСС (2,2,0)

    Сравнение полученных результатов с результатами испытаний на долговечность позволило сделать следующие выводы:

  1. Процесс деградации параметров UOL и UOH ИС типа 134ЛБ1 при ресурсных испытаниях на стойкость к воздействию механических факторов носит нестационарный временной характер и может быть описан случайными временными рядами.
  2. Установлено, что процесс деградации наихудших значений параметров ИС типа 134ЛБ1 при механических воздействиях адекватно описывается моделью АРПСС(0,d,q) для параметра UOL и моделью АРПСС(p,d,0) для UOH, применяемыми для прогнозирования процесса деградации наихудших значений параметров UOL и UOH ИС типа 106ЛБ1, 134ЛБ1, 134РУ6, 1804ИР1 и 582ИК1 при испытаниях на долговечность в течение 25130 тыс.ч., что позволяет сделать вывод об отсутствии направленного процесса деградации рассматриваемых параметров высоконадежных биполярных ИС в условиях механических и длительных испытаний на долговечность.
  3. По результатам ресурсных испытаний ИС типа 134ЛБ1 (при ужесточенных критериях параметрических отказов) на стойкость к воздействию 300 одиночных ударов прогнозируемое дополнительное число одиночных ударов составит не менее 370, а по результатам при 30000 многократных ударах не менее 120000 одиночных.
  4. Аппроксимация недостающих значений приводят к тому, что ряд становится "гладким", как в случае, например, применения кубических сплайнов или "резким", например, при заполнении пропусков прогнозами значений линейной регрессии, а это, в свою очередь, ведет к неоднозначности подбора модели АРПСС. Найти универсальные модели по параметрам UOL и UOH ИС достаточно сложно. Поэтому необходимо прибегнуть к методу нескольких прогнозов, сделанных с помощью разных моделей АРПСС. Тем не менее, использование АРПСС-моделей позволяет с высокой степенью достоверности подтвердить гарантийную наработку исследуемых ИС.

Таблица. Сводка моделей АРПСС, идентифицированных для временных рядов деградации параметров UOL и UOH ИС типа 134ЛБ1 при ресурсных испытаниях на стойкость к одиночным и многократным ударам

Параметр и его значение Вид модели АРПСС Прогнозируемое число ударов до параметрического отказа*
Одиночные удары, 1000g
UOL; среднее:
наихудшее:
АРПСС(1,1,0):С1Zn-3 - 0,549С1Zn-4 = an + (0,001)2
АРПСС(0,1,1):С1Zn = an - 0,742an-1 + (0,003)2
1300
800
UOH; среднее:
наихудшее:
АРПСС(1,2,0):С2Zn + 0,561С2Zn-1 = an + (0,011)2
АРПСС(2,2,0):С2Zn + 0,824С2Zn-2 = an + (0,012)2
680
670
Многократные удары, 150g
UOH; среднее:
наихудшее:
АРПСС(1,1,0):С1Zn + 0,538С1Zn-1 = an + (0,007)2
АРПСС(1,1,0):С1Zn + 0,538С1Zn-1 = an + (0,007)2
260000
150000

    *) - по верхней для параметра UOL и нижней для параметра UOH границам 90-% доверительного интервала.

Литература

  1. Горлов М.И., Строгонов А.В. Стойкость ИС серии 134 к ресурсным испытаниям на многократные удары // Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах (метрология, диагностика, технология): Материалы докл. науч.-техн. семинара (Москва, 20-25 ноября 1995 г.). М.: МНТОРЭС им. А.С. Попова. 1996. С. 247249.
  2. Горлов М.И., Строгонов А.В., Мартынов В.В., Башкатов М.В. Влияние длительных механических воздействий на дрейф электрических параметров ИС серии 134 // Изв. вузов. Электроника. 1999. ╧ 6. С. 5560.

Тел.: (0732) 77 3714
E-mail: mart@fil1.vrn.ru







Ваш комментарий к статье
Геронтология кремниевых интегральных схем. Часть 3 :
Ваше имя:
Отзыв: Разрешено использование тэгов:
<b>жирный текст</b>
<i>курсив</i>
<a href="http://site.ru"> ссылка</a>