Распродажа

Электронные компоненты со склада по низким ценам, подробнее >>>

Содержание ChipNews

2003: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10
2002: 
1, 5, 6, 7, 8, 9
2001: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10
2000: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10
1999: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10

Новости электроники

В 14 раз выросло количество россиян на MediaTek Labs ? проекте по созданию устройств "интернета вещей" и "носимых гаджетов"

Сравнив статистику посещения сайта за два месяца (ноябрь и декабрь 2014 года), в MediaTek выяснили, что число посетителей ресурса из России увеличилось в 10 раз, а из Украины ? в 12. Таким образом, доля русскоговорящих разработчиков с аккаунтами на labs.mediatek.com превысила одну десятую от общего количества зарегистрированных на MediaTek Labs пользователей.

Новое поколение Джобсов или как MediaTek создал свой маленький "Кикстартер"

Амбициозная цель компании MediaTek - сформировать сообщество разработчиков гаджетов из специалистов по всему миру и помочь им реализовать свои идеи в готовые прототипы. Уже сейчас для этого есть все возможности, от мини-сообществ, в которых можно посмотреть чужие проекты до прямых контактов с настоящими производителями электроники. Начать проектировать гаджеты может любой талантливый разработчик - порог входа очень низкий.

Семинар и тренинг "ФеST-TIваль инноваций: MAXIMум решений!" (14-15.10.2013, Новосибирск)

Компания Компэл, приглашает вас принять участие в семинаре и тренинге ?ФеST-TIваль инноваций: MAXIMум решений!?, который пройдет 14 и 15 октября в Новосибирске.

Мне нравится

Комментарии

дима пишет в теме Параметры биполярных транзисторов серии КТ827:

люди куплю транзистар кт 827А 0688759652

тамара плохова пишет в теме Журнал Радио 9 номер 1971 год. :

как молоды мы были и как быстро пробежали годы кулотино самое счастливое мое время

Ивашка пишет в теме Параметры отечественных излучающих диодов ИК диапазона:

Светодиод - это диод который излучает свет. А если диод имеет ИК излучение, то это ИК диод, а не "ИК светодиод" и "Светодиод инфракрасный", как указано на сайте.

Владимир пишет в теме 2Т963А-2 (RUS) со склада в Москве. Транзистор биполярный отечественный:

Подскажите 2т963а-2 гарантийный срок

Владимир II пишет... пишет в теме Параметры биполярных транзисторов серии КТ372:

Спасибо!

В. Зотов, А. Кравченко, П. Миронова

 

Z-термисторы в режиме генератора импульсов

 

Новые типы температурных сенсоров - Z-термисторы [1,2,3] могут работать как в режиме непрерывных измерений температуры, так и в пороговом режиме, реализующем возможность контроля заданного значения температуры без использования дополнительных электронных схем. Мы рассмотрим работу Z-термисторов в частотно-импульсном режиме, что в ряде применений представляет особый интерес в силу чрезвычайно высокой помехозащищённости, возможности работы без АЦП, усилителей и других сопутствующих электронных компонентов.

Для реализации частотно-импульсного режима работы Z-термистора, параллельно к нему подключают ёмкость С. На рис. 1 и 2 приведены две возможные схемы включения. Рассмотрим принцип действия Z-термистора в этом режиме работы на примере использования схемы рис. 1.

Напряжение питания Uп необходимо установить несколько большим (0,3-0,5 В), чем напряжение, соответствующее температуре нижнего предела предполагаемого температурного диапазона. В соответствии со схемой, Z-термистор зашунтирован ёмкостью С? и в момент включения питающего напряжения to начинается её заряд по цепи Rн-С (рис. 1). При этом внутреннее сопротивление Z-термистора велико и составляет сотни кОм (участок вольтамперной характеристики 0-1, рис. 3).

При заряде ёмкости С до величины напряжения Uпор происходит переход Z-термистора в состояние с малым внутренним сопротивлением (сотни Ом) (точка 2 на рис. 3), и ёмкость С начинает разряжаться через Z-термистор. Когда заряд ёмкости и, соответственно, напряжение на Z-термисторе уменьшится до величины удерживающего напряжения Uуд (напряжение на Z-термисторе, при котором протекающий через него ток становится меньше Iпор), Z-термистор переходит в исходное состояние, и процесс повторяется. Для перевода Z-термистора из состояния с большим внутренним сопротивлением в состояние с малым внутренним сопротивлением требуется воздействовать на него некоторой энергией, равной в общем случае сумме энергии электрического поля xЕ, пропорциональной падению напряжения на Z-термисторе Uпор, и тепловой энергии xT, определяемой его нагревом, то есть x = xЕ + xT. Для каждого конкретного типа Z-термистора энергия x является постоянной величиной и, следовательно, при увеличении температуры его переход из одного состояния в другое происходит при меньшем значении xЕ или, что то же самое, при меньшем значении Uпор (рис. 3). В нашем случае напряжение на Z-термисторе определяется величиной заряда ёмкости С, следовательно, переход из состояния 1 в состояние 2 произойдёт при меньшем значении её заряда (Uпор1 < Uпор) (рис. 1 и 3). Таким образом реализуется генерация импульсов пилообразной формы, частота следования которых определяется температурой при постоянном напряжении питания Uп. В случае съёма сигнала с нагрузочного резистора Rн, вид выходного сигнала меняется на зеркально противоположный (рис. 2). Для практических применений эта схема предпочтительней, так как длительность переднего фронта импульсов в этом случае значительно меньше (порядка 10-15 мкс) и не зависит от температуры.

На рис. 4 показана типовая зависимость частоты следования выходных импульсов f от температуры T при трёх значениях ёмкости С на примере Z-термисторов типа TZ-5 и TZ-12. Здесь дан наиболее употребительный диапазон температур - от +20 до +100°С. С увеличением температуры частота выходного сигнала растёт. При этом, частотный диапазон, в зависимости от величины используемой ёмкости С и нагрузочного резистора Rн, может изменяться в широких пределах - от десятков Гц при низких температурах до десятков кГц при высоких. Это даёт возможность пользователю самостоятельно выбирать наиболее приемлемые для него пределы изменения частоты выходного сигнала путём выбора соответствующих пара метров Rн-С цепи. Стабильность частоты во всём диапазоне температур 20ё100°С не хуже 0,3ё0,5%.

На рис. 5 показана зависимость амплитуды выходных импульсов от температуры, также на примере Z-термисторов TZ-5 и TZ-12. С увеличением температуры амплитуда выходных импульсов падает, что согласуется с вышеописанным процессом изменения частоты (рис. 1).

Крутизна падения амплитуды выходных импульсов при увеличении температуры зависит от параметров цепи Rн-С.

Расширение функциональных возможностей Z-термисторов за счёт использования дополнительной ёмкости позволяет говорить о создании нового класса термочувствительных приборов, а именно, термочувствительных автогенераторов. Весьма важным обстоятельством является то, что у Z-термистора, работающего в указанном режиме, сохраняется пороговая функция, то есть начало процесса генерации Z-термистором частотно-импульсного сигнала можно задавать при определённой (требуемой) температуре установкой соответствующего напряжения питания. Область применения таких автогенераторов может быть весьма обширной, например, при использовании диапазона звуковых частот выходного сигнала можно строить датчики пожарной сигнализации (60 или 90°С), температурной тревоги для медицины (35ё42°С), температурного контроля в автомобилестроении, авиации и любой другой области, где требуется высокоточное определение и поддержание температуры в заданных пределах в диапазоне -50ё+100°С. Среди многих преимуществ этого класса температурных сенсоров перед известными, например, общеизвестными п/п термисторами типа NTС, следует в первую очередь отметить следующие:

Эти преимущества позволяют строить на основе Z-термисторов более высокочувствительные и экономичные системы контроля и регулирования температуры в гораздо более простом схемотехническом и конструктивном исполнении. То есть в данном случае не требуется применять мостовые схемы включения на входе, использовать усилители для повышения чувствительности и улучшения помехозащищённости на выходе термистора. Не требуется применять генераторы импульсов или АЦП для приведения выходного сигнала к виду, удобному для его дальнейшего использования в контрольно-измерительных системах.

 

Литература

1. V.D. Zotov et al. Semiconductor Structures, Methods for Controlling Their Conductivity and Sensing Elements Based on These Semiconductor Structures. Patent of USA, #5.742.092, April, 1996.

2. Полупроводниковые многофункциональные сенсоры (Z-сенсоры) // Датчики и системы. - 1999. - ? 1.

3. Зотов В. Z-термисторы - новый класс температурных сенсоров // Chip news. - 1999. - ? 1. - С. 37-38.







Ваш комментарий к статье
Z-термисторы в режиме генератора импульсов :
Ваше имя:
Отзыв: Разрешено использование тэгов:
<b>жирный текст</b>
<i>курсив</i>
<a href="http://site.ru"> ссылка</a>