Распродажа

Электронные компоненты со склада по низким ценам, подробнее >>>

Содержание ChipNews

2003: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10
2002: 
1, 5, 6, 7, 8, 9
2001: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10
2000: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10
1999: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10

Новости электроники

Мне нравится

Комментарии

дима пишет в теме Параметры биполярных транзисторов серии КТ827:

люди куплю транзистар кт 827А 0688759652

тамара плохова пишет в теме Журнал Радио 9 номер 1971 год. :

как молоды мы были и как быстро пробежали годы кулотино самое счастливое мое время

Ивашка пишет в теме Параметры отечественных излучающих диодов ИК диапазона:

Светодиод - это диод который излучает свет. А если диод имеет ИК излучение, то это ИК диод, а не "ИК светодиод" и "Светодиод инфракрасный", как указано на сайте.

Владимир пишет в теме 2Т963А-2 (RUS) со склада в Москве. Транзистор биполярный отечественный:

Подскажите 2т963а-2 гарантийный срок

Владимир II пишет... пишет в теме Параметры биполярных транзисторов серии КТ372:

Спасибо!

С. Волков, А. Ефишин, С. Морозов, С. Соколов

Проблема электростатического разряда и современные методы защиты интегральных схем от него. Часть 1

Статья открывает цикл публикаций, посвященных проблемам статического электричества в микроэлектронике и методам предотвращения или ослабления его влияния на параметры и характеристики интегральных схем (ИС).

В отличие от предшествующих публикаций, в статьях цикла будут рассмотрены, главным образом, технологические и топологические методы, конструктивные элементы и средства для борьбы с электростатическими разрядами непосредственно на кристалле ИС.

ESD и варианты его возникновения в ИС

Электростатический разряд (ElectroStatic Discharge, ESD) представляет собой существенную опасность для ИС, и разработка защитных элементов от него - важная ступень проектирования устройства. Тенденции развития полупроводниковой промышленности непосредственно связаны с уменьшением минимальных топологических размеров проектирования ИС, что приводит к большей чувствительности устройств по отношению к внешним факторам и, в частности, к ESD. Природа ESD может быть различной, поэтому невозможно обеспечить защиту компонентов во всех возможных ситуациях. Для стандартных сценариев были разработаны следующие тестовые схемы для определения чувствительности ИС к ESD [1,2].

Модель человеческого тела (Human Body Model, HBM)

В результате контакта человеческого тела с устройством может произойти ESD. Тело может обладать отличным от земли потенциалом, например, в результате трения. Тестовая схема для этого случая представлена на рис. 1a.

Рисунок 1. Тестовая схема модели: а) человеческого тела; б) механической модели; в) модели заряженного устройства; г) устройства для CDM

Тестовая схема модели: а) человеческого тела; б) механической модели; в) модели заряженного устройства; г) устройства для CDM.

В этой схеме конденсатор (С = 100 пФ) заряжается через высокоомный резистор (R = 100 МОм) напряжением ±2 кВ, затем разряжается через 1,5-кОм резистор в тестируемое устройство. Конденсатор моделирует ╦мкость человеческого тела, которая на самом деле может варьироваться до 500 пФ. Сопротивление человеческого тела также может изменяться в достаточно широких пределах - от нескольких десятков Ом до сотен кОм, в зависимости от условий. Напряжение разряда также может достигать 4 кВ. Согласно существующим стандартам, имеется ряд тестовых схем для различных устройств. Данная схема соответствует тестированию ИС. Одним из самых важных параметров в тесте является время нарастания тока во время разряда. Оно должно быть порядка десятых долей наносекунд. Но при этом важно заметить, что ток разряда не сразу распространяется по проводящей области. Поэтому в начале существует опасность перегрузки защитной схемы. С другой стороны, этот вариант может быть не так опасен, так как ESD происходит, как правило, не в самой схеме, а где-то на корпусе или на связанном с контактом проводнике, который, в свою очередь, обладает достаточно высокой индуктивностью, дающей защитной схеме время полностью включиться.

Механическая модель (Machine Model, MM)

ESD в данной модели возникает в результате различных механических воздействий, всегда имеющих место в оборудовании для производства ИС. Корпус и механизмы такого оборудования сделаны из металла, но неизбежно содержат различные пластиковые части (например, подшипники), сильно отличающиеся по размерам и формам. При движении этих частей может создаваться электростатический заряд и происходить его разряд. На рис. 1б изображена тестовая схема для этой модели.

Эта тестовая схема аналогична предыдущей, с той лишь разницей, что сопротивление металлических частей устройства мало, что приводит к значительно большему пиковому току в тестируемом устройстве. Но зато в результате большой индуктивности, имеющей место в данном случае, перегрузки защитной схемы не происходит, амплитуда и время роста тока ограничены. Энергия, имеющая место в этой модели, выше, чем энергия HBM вследствие отсутствия сопротивления. Поэтому важно заметить, что для того, чтобы не допустить повреждения тестируемого устройства, необходимо снизить напряжение до ±200 В.

Модель заряженного устройства (Charged-Device Model, CDM)

Ещ╦ один вариант возникновения ESD, который необходимо учитывать, может происходить во время работы ИС. Нельзя точно для этого случая воспроизвести профиль неправильной работы ИС при ESD с помощью тестового оборудования. При возникновении электростатического разряда в самом устройстве пиковый ток ESD больше, чем в любом из рассмотренных случаев, и поступает в тестируемое устройство почти без задержки (время роста меньше 200 пс), что делает разработку защитных схем для этой модели наиболее сложной. Тестовая схема этой модели представлена на рис. 1в.

Также необходимо заметить, что между моделями человеческого тела и заряженного устройства отсутствует корреляция, то есть компоненты, сохраняющие работоспособность в первом случае, не обязательно будут работать в тесте CDM.

Один из вариантов тестирования устройства представлен на рис. 1г.

Тестируемое устройство размещено обратной стороной на металлической пластине, чем обеспечивается максимально возможная ╦мкость разряда. Устройство заряжается первым подвижным тестером и разряжается вторым.

Модель заряженного кабеля (Charged-Cable Model, CCM)

Типичной проблемой, связанной с использованием электрического оборудования, является соединение контактов с кабелем. Емкость десятиметрового кабеля порядка 100 пФ может вызвать электростатический разряд напряжением до 1 кВ. При этом рассеивается около 500 мкВт энергии, что во много раз больше, чем в предыдущих тестах. Разрядный ток, протекающий через импеданс кабеля, порядка 10 А. Однако вследствие высоких индуктивностей гнезда и присоединяемого кабеля не происходит мгновенного роста тока.

Все представленные модели являются лишь аппроксимацией реальности. На самом деле паразитные конденсаторы и индуктивности могут значительно уменьшать точность воспроизведения модели. Влияние паразитов наиболее велико для модели заряженного устройства. Несмотря на вс╦ это, опираясь на эти модели, можно обеспечить хорошо воспроизводимые результаты для ИС, подверженных ESD.

Модель импульса линии передач

Защищ╦нность устройства от электростатического разряда по одной из вышеописанных моделей не гарантирует полной защищ╦нности от ESD. Более того, возможна такая ситуация, когда схема будет работать при высоком уровне ESD и будет повреждаться при более низком. Существует ряд ограничений при использовании моделей для исследования выносливости ИС к ESD. Использование этих моделей да╦т неполный взгляд на то, как вед╦т себя защищаемое устройство под воздействием ESD. Форма входного сигнала HBM и других моделей достаточно сложна, соответственно сложной является форма выходного импульса. Вследствие этого, классические модели используются как некий "ч╦рный ящик". Важно лишь, выдерживает разработанное устройство данный стрессовый уровень или нет. Использование модели импульса линии передач (Transmission Line Pulsing, TLP) да╦т возможность получить ряд важных характеристик без повреждения устройства. Тестовая схема для данного метода показана на рис. 2 [9].

Рисунок 2. Кабель длины L заряжается до напряжения Vin и затем разряжается через переключатель S (а); эквивалентная схема модели (б)

Кабель длины L заряжается до напряжения Vin и затем разряжается через переключатель S (а); эквивалентная схема модели (б).

Коаксиальный кабель заряжается до определ╦нного напряжения и затем разряжается на входную/выходную контактную площадку устройства.

Данный метод имеет много общего с HBM, так как здесь имеет место разряд конденсатора в тестируемое устройство. Но с другой стороны, ╦мкость для TLP является распредел╦нной, обеспечивая тем самым прямоугольный входной импульс длиной 100 нс и со временем роста около 2 нс. Высота импульса составляет приложенное напряжение Vin, ширина импульса 2L/v, где L - длина кабеля и v - скорость изменения фазы. Если импеданс устройства является величиной постоянной, то линия передачи будет представлять постоянный по току импульс. С помощью осциллографа можно измерить падение напряжения на устройстве. Ток также может быть измерен или вычислен при известных входном напряжении и падении напряжения на устройстве:

Idev = (Vin √ Vdev)/Rl.

Для предотвращения многократных отражений, когда импеданс устройства меньше 50 Ом, с другой стороны линии передачи по отношению к тестируемому устройству включается диод и резистор. Одним из основных преимуществ применения TLP является получение ВАХ защитных элементов. Посылая на вход устройства последовательность увеличивающихся импульсов и выводя на экран соответствующую последовательность выходных напряжений и токов, можно получить данную ВАХ. Чтобы не допустить разрушения устройства вследсствие перегрева, необходимо обеспечить достаточный промежуток времени между двумя стрессами: ~ 1√2 с. Из этой ВАХ можно получить такие параметры, как напряжение включения защитного устройства, напряжение включения режима snapback (рис. 7a), напряжение второго необратимого пробоя. Хотя прямоугольный входной сигнал не да╦т точную модель ESD-стресса, результаты такого исследования коррелируют с реальными ESD-стрессами и тестовыми моделями.

Повреждение ИС ESD. Методы разработки защитных цепей

ESD в первую очередь повреждает наиболее слабо защищенные компоненты, что приводит к следующим повреждениям:

  • тепловой пробой p-n-перехода;
  • возникновение в окисле пустот, нитевидных образований, испарение окисла, что приводит к замыканиям и неправильной работе ИС;
  • металлическая разводка и контакты могут плавиться и испаряться, в результате происходят замыкания и отказ ИС.

Тенденции к снижению глубин залегания переходов, уменьшению толщины подзатворного окисла и толщины разводки увеличивают вероятность повреждения устройства электростатическим разрядом. В первую очередь повреждаться будет тонкий подзатворный окисел входных и выходных КМОП-структур и связанная с ними металлическая разводка. Если в качестве контактов используются силициды металлов, это также ухудшает защищ╦нность схемы от ESD. В этом случае имеются специальные схемотехнические и технологические решения, в частности, блокировка силицида, что усложняет технологический процесс и увеличивает стоимость изготовления. Пример применения специальной маски для блокировки силицида показан на рис. 3a [8].

Рисунок 3. Структура n-МОП транзистора с заземленным затвором: а) с применением блокировки силицида в стоковой области; б) c применением технологии LDD; в) блокировка LDD для транзистора из схемы защиты от ESD

Структура n-МОП транзистора с заземленным затвором: а) с применением блокировки силицида в стоковой области; б) c применением технологии LDD; в) блокировка LDD для транзистора из схемы защиты от ESD.

На этом рисунке изображена структура транзистора с заземл╦нным затвором. Блокировка силицида осуществляется в области стока транзистора для обеспечения равномерности протекания тока стока в случае ESD. Подобные проблемы возникают в субмикронной КМОП-технологии, где применяется слабое подлегирование областей стока и истока (Lightly-Doped Drain, LDD) для недопущения смыкания канала. В этом случае также необходимо блокировать силицид в областях стока и истока транзистора в схеме защиты от ESD, как это показано на рис. 3б [7].

Известен целый ряд отдельных устройств защиты от ESD, обладающих хорошими характеристиками, но для наилучшей защиты ИС они должны быть подобраны и включены оптимальным образом, что нельзя сделать автоматически [1]. Существуют два метода разработки суммарной защиты устройства: метод случайного пути и метод выборочного пути.

В методе случайного пути ток ESD находит собственный случайный путь от одной контактной площадки к другой. Слабое звено защитной схемы в первую очередь достигает напряжения пробоя. Эти элементы в разных ситуациях различны. За несколько итераций такие звенья отбираются и отбраковываются. Наконец, достигаются желаемые характеристики по ESD. Метод случайного пути не является универсальным и специфичен не только для технологии, но и для варианта исполнения схемы на кристалле.

Другой метод заключается в направлении тока ESD по определ╦нному пути. Выбранный путь имеет самое низкое сопротивление по сравнению с другими паразитными цепями. В этом методе отладка защитной схемы не занимает так много времени, поскольку поиск и устранение наиболее слабых элементов проще. Метод выборочного пути более подвержен систематизации.

Важно заметить, что устройства, используемые в защитных схемах, можно разделить на два типа: пробойные (Breakdown Devices, BD) и беспробойные (Non-Breakdown Devices, NBD) [1]. Устройства первого типа работают в режиме между первым и вторым (тепловым) пробоем, их действие сильно зависит от топологического исполнения и технологических процессов, вследствие чего их проектирование достаточно сложно. Намного легче использовать беспробойные устройства, то есть работающие в нормальном режиме. Моделирование таких схем легче и е╦ результаты более предсказуемы. Также важно отметить, что при тенденции к росту числа элементов и, соответственно, размера ИС, происходит увеличение собственной ╦мкости устройства. Для поддержания точных значений напряжений питания необходимо использование в ИС развязывающих конденсаторов. Эти конденсаторы в условиях уменьшения величины напряжения питания и роста тока могут оказать значительную помощь в уменьшении напряжения ESD для цепи Vcc-Vss, тем самым защищая основное устройство. Также уменьшение топологических размеров влеч╦т за собой увеличение рабочей частоты устройства. Это приводит к тому, что время роста ESD импульса для модели заряженного устройства сравнимо со временем работы защитных схем, что позволяет быстрее реагировать на этот импульс.

Режимы тестирования ESD в зависимости от вариантов его возникновения на контактных площадках

Наиболее часто ESD возникает между контактной площадкой входного сигнала и контактной площадкой одной из шин питания. ESD может иметь положительную или отрицательную полярность по отношению к потенциалам шин питания Vdd и Vss. Таким образом, имеют место четыре режима возникновения ESD на контактной площадке входного/выходного сигнала, приводящие к различным путям протекания стрессового тока. Варианты измерений ESD для этих режимов представлены на рис. 4a [6].

Рисунок 4. Измерение выносливости устройства к ESD для четыр╦х режимов возникновения разряда между контактной площадкой входного/выходного сигнала и контактной площадкой одной из шин питания (а); дополнительные режимы возникновения ESD на контактной площадке (б)

Измерение выносливости устройства к ESD для четыр╦х режимов возникновения разряда между контактной площадкой входного/выходного сигнала и контактной площадкой одной из шин питания (а); дополнительные режимы возникновения ESD на контактной площадке (б).

Для первого режима (PS-mode) положительный по отношению к потенциалу земли (Vss) электростатический разряд пода╦тся на одну из контактных площадок входных сигналов, шина питания (Vdd) не подсоединена и стрессовый ток покидает устройство через шину земли. Второй режим (NS-mode) - отрицательный относительно потенциала земли ESD стресс на контактной площадке, шина питания не подсоединена, стрессовый ток покидает устройство через шину земли. Для третьего режима (PD-mode) оборвана шина земли, ESD стресс положителен относительно потенциала шины питания, через которую стрессовый ток покидает устройство. Для четв╦ртого режима (ND-mode) оборвана шина земли, ESD стресс отрицателен относительно потенциала шины питания, через которую стрессовый ток покидает устройство. Во всех 4-х случаях остальные контактные площадки входов/выходов не подсоединены. Эти стрессовые напряжения могут нанести повреждения как n-МОП, так и p-МОП устройствам входного или выходного буфера. Например, в случае отсутствия защитной схемы от ESD между контактной площадкой и шиной питания будет происходить повреждение ИС. В ND-режиме стрессовый ток сначала потечет через схему защиты от контактной площадки к шине земли, а затем через защитную схему между шинами питания (если таковая имеется) или через элементы внутренней схемы к шине питания Vdd. Также любая КМОП ИС обладает паразитными емкостями и сопротивлениями шин, на которых возникает падение напряжения. Это вед╦т к повреждению внутренних элементов ИС, несмотря на имеющуюся защиту. ND-режим ESD приводит к возникновению стрессового напряжения между шинами питания. Если ток ESD не выводится быстро и эффективно из ИС, то могут иметь место повреждения в защитной схеме между Vss и Vdd, а именно разрушения полевого окисла паразитных структур между двумя n+ диффузиями [6]. Таким образом, необходимо обеспечивать защиту от ESD между контактной площадкой и обеими шинами питания, чтобы полностью обезопасить устройство от повреждения в случае возникновения ESD в любом из четыр╦х режимов.

Но, даже обеспечив полную защиту от вышеперечисленных четыр╦х режимов возникновения ESD, нельзя быть полностью уверенным в полной защите ИС. Есть вероятность возникновения ESD между контактными площадками входного и выходного сигналов или контактными площадками шин питания. Ток проходит от одной контактной площадки к другой по некоторому пути через внутренние элементы устройства. Для определения защищ╦нности устройства вводятся дополнительные режимы проведения измерений, представленные на рис. 4б.

Для таких условий измерения ESD защиты внутренние элементы достаточно уязвимы даже при наличии полной входной защиты.

В каждом режиме стрессовый ток теч╦т по своему собственному пути. Также будет происходить повреждение внутренних компонентов при отсутствии какой-либо защиты от ESD кроме входной защиты. Для последних четыр╦х режимов трудно обнаружить повреждение ИС просто отслеживанием тока утечки. Для этого часто требуется полный функциональный контроль для обнаружения неисправной работы. Для обеспечения хорошей защиты от ESD необходимо тестировать ИС по всем восьми режимам для тр╦х моделей: HBM, MM, CDM. В случае недостаточной защищ╦нности можно использовать дополнительные защитные элементы между контактными площадками "чистого" и "грязного" напряжения питания, между контактными площадками шин питания, а также улучшать характеристики входной защиты.

Основные элементы защиты от ESD

Основными элементами защиты от ESD являются следующие [1]:

  • n-МОП транзистор с толстым подзатворным окислом (Thick Field Oxide, TFO);
  • n-МОП транзистор с заземл╦нным затвором (Grounded Gate NMOS Transistor, GGNMOST);
  • кремниевый управляемый диод (Silicon-Controlled Rectifier, SCR);
  • устройство, основанное на эффекте смыкания областей пространственного заряда (Punchthrough-Induced Protection Element, PIPE);
  • диод Зенера (Zener diode).

Пример применения TFO показан на рис. 5a.

Рисунок 5. Упрощенная схема применения TFO и структура е╦ выполнения (а); структура GGNMOST (б); структура и схема GCNMOS (в)

Упрощенная схема применения TFO и структура е╦ выполнения (а); структура GGNMOST (б); структура и схема GCNMOS (в).

Затвор n-МОП транзистора с толстым подзатворным окислом объедин╦н со стоком, но оказывает малое влияние на его ток. Работа устройства происходит следующим образом: большое напряжение ESD, приложенного к контактной площадке, приводит к генерации дырочного тока в области обратносмещ╦нного перехода стока n-МОП транзистора, который теч╦т в подложку. Этот ток повышает локальный потенциал подложки за сч╦т е╦ сопротивления. При определ╦нном напряжении Vt1, поданном на вход, начинает работать паразитный латеральный биполярный n-p-n-транзистор (рис. 5a,б).

Это напряжение первого пробоя (рис. 7a).

При этом напряжении переход подложка√исток становится положительно смещенным. Это критерий включения n-p-n-транзистора [1,4].

Участок вольтамперной характеристики (ВАХ) с отрицательным дифференциальным сопротивлением неустойчив, устройство защелкивается и сразу же начинает работать в низкоомной области (snapback region). После вступления в низкоомную область ВАХ транзистор начинает проводить большую часть тока стока, не допуская его в защищаемое устройство. В рассматриваемом случае GGNMOST играет роль управляющего устройства, так как не может провести очень большой стрессовый ток. Он нужен для того, чтобы повысить локальный потенциал подложки и инициировать аналогичный пробой n-МОП TFO, который после включения будет проводить большую часть стрессового тока. Поскольку GGNMOST не может проводить большой ток, необходимо включить в схему резистор, который бы его ограничивал. Заземл╦нный затвор обеспечивает работу устройства только при электростатическом разряде, при нормальных условиях элемент выключен.

Vt2 и It2 - это напряжение и ток второго, необратимого пробоя, после которого наступает разрушение устройства. Значение It2 зависит от коэффициента b латерального n-p-n-транзистора, длины канала МОП-транзистора, глубины залегания p-n-перехода, толщины эпитаксиального слоя. Чем больше это значение, тем лучше. Обычно оно порядка 10√20 мА/мкм. В низкоомной области величина тока пропорциональна ширине канала транзистора, что связано с положительным температурным коэффициентом. В этом случае ток распределяется равномерно. Но после наступления теплового пробоя температурный коэффициент сопротивления отрицателен, ток концентрируется в определ╦нных местах, его распределение неравномерно. Поэтому независимо от размеров транзистора величина It2 оста╦тся прежней и может даже уменьшаться с ростом ширины канала. Проанализировав это, можно прийти к выводу, что для обеспечения равномерного протекания тока высокой плотности напряжение Vt2 должно быть больше напряжения первого пробоя Vt1, чтобы после первого пробоя устройство работало в snapback-области, а не в области теплового пробоя (рис. 7a). Этого можно добиться несколькими способами [1]:

  • увеличить напряжение затвор√исток Vgs во время электростатического разряда, что приводит к снижению Vt1. Нельзя увеличивать Vgs слишком сильно, это может привести к ухудшению пробойных характеристик;
  • уменьшить длину канала, что привед╦т к увеличению ß и к снижению Vt1;
  • немного увеличить напряжение на подложке, чтобы снизить Vt1;
  • добавить в схему резистор.

Таким образом, работа устройства в низкоомной области характеризуется низким напряжением и низким сопротивлением, благодаря этому рассеивание энергии невелико. На этом эффекте основано действие не только TFO, но и некоторых других устройств.

Важным недостатком схемы с устройством TFO является е╦ плохая применимость к силицидным технологиям. Использование силицидных контактов приводит к неравномерному распределению токов в устройстве во время работы. Для предотвращения этого недостатка необходимо блокировать силицид, что делает необходимым дополнительные технологические операции, увеличивающие стоимость изготовления, усложняющие разработку и уменьшающие эффективность.

GGNMOST представляет собой обычный n-МОП транзистор с тонким подзатворным окислом. Исток и затвор подключены к земле. Принцип действия такого элемента был объясн╦н в предыдущем случае, главное отличие от элемента TFO заключается только в толщине подзатворного диэлектрика. Можно лишь ещ╦ раз подчеркнуть, что для правильной работы устройства и для обеспечения пропорциональности тока по ширине транзистора необходимо обеспечить Vt2 > Vt1. Существуют определенные схемотехнические решения для достижения этих целей [4]. Структура GGNMOST представлена на рис. 5б.

В предыдущем случае рассматривались способы обеспечения правильной работы устройства после первого пробоя. Ещ╦ один вариант обеспечения равномерности протекания тока после первого пробоя - это использование n-МОП транзистора с затвором, связанным с защищаемой контактной площадкой (Gate-Coupled NMOS, GCNMOS) [1]. Структура и схема этого элемента показаны на рис. 5в. В этой структуре затвор связан с контактной площадкой через конденсатор C1, фактически являющийся фильтром высоких частот вместе с резистором R2. Эта умышленно введенная ╦мкость дополняет уже существующую паразитную ╦мкость затвор√сток. В первые мгновения ESD этой ╦мкости достаточно, чтобы с помощью резистора немного повысить напряжение на затворе. Критерием выбора номиналов конденсатора и резистора является снижение напряжения Vt1 < Vt2. Большим преимуществом данного устройства является его применимость к силицидным технологиям. Кремниевый управляемый диод (Silicon-Controlled Rectifier, SCR) является одним из самых эффективных средств ESD-защиты. В силу комплементарной природы КМОП-устройств, когда необходимо использование кармана, в них всегда присутствует вышеназванный паразитный элемент. SCR можно эффективно использовать в качестве полной защиты входной/выходной контактной площадки [5]. На рис. 5г представлена схема и структура управляемого диода [1,3].

База p-n-p-транзистора (n-карман) является также коллектором n-p-n-транзистора, а база n-p-n-транзистора в тоже время является коллектором p-n-p-транзистора. Работа устройства основана на эффекте защ╦лки.

Это так называемый тиристорный эффект, которого стараются избегать в КМОП-структурах, но в данном случае он полезен.

При нормальных условиях работы на n-карман пода╦тся питание, а на подложку - земля. Если это соотношение нарушается в результате электростатического разряда и потенциал n-кармана становится ниже потенциала подложки, то переход n-карман √ p-подложка становится прямо смещ╦нным, и стрессовый ток утекает в подложку. Тиристорный эффект в данном случае отсутствует. Однако более интересен случай увеличения напряжения на кармане, приводящий к пробою обратно смещ╦нного перехода. Ток, протекающий через сопротивления кармана и подложки Rnwell и Rpepi, становится существенным, что приводит к прямому смещению переходов база√эмиттер обоих биполярных транзисторов. Срабатывает тиристорный эффект, и весь стрессовый ток отводится на анод, то есть в данном случае, на контакт земли.

Большим недостатком такой схемы является высокое напряжение защ╦лкивания устройства, порядка 30√60 В. К тому же время защ╦лкивания этого устройства около 1 нс, что делает его слишком медленным. Поэтому в чистом виде эта схема практически не используется. Созданы специальные схемы с низким напряжением защ╦лкивания и управляющими элементами для ликвидации этих недостатков.

В качестве усовершенствованной схемы SCR [1] можно рассмотреть следующий вариант, представленный на рис. 6a.

Рисунок 6. SCR с низким напряжением защелкивания (LVTSCR) (а); структура PIPE элемента (б); один из вариантов использования диодов Зенера (в); защита выходного буфера с помощью диодов и резисторов (г)

SCR с низким напряжением защелкивания (LVTSCR) (а); структура PIPE элемента (б); один из вариантов использования диодов Зенера (в); защита выходного буфера с помощью диодов и резисторов (г).

Отличие структуры этого устройства от обычного SCR заключается в использовании общей n+-области между n-карманом и p-подложкой, а также введением в схему МОП-транзистора. Снижение напряжения защ╦лкивания происходит вследствие того, что пробой перехода n+√pepi происходит при более низком напряжении. Расстояние между общим n+ и n+-анодом должно быть как можно меньше, а уровень легирования этих областей должен быть максимальным. Это обеспечивает более высокий коэффициент a у n-p-n-транзистора. Уменьшение расстояния достигается использованием МОП-структуры, благодаря чему оно становится равным длине канала. Сформированный транзистор представляет собой GGNMOST. Использование этого транзистора позволяет дополнительно повышать потенциал подложки во ESD, тем самым повышая скорость работы устройства [1]. Это устройство обладает высокой скоростью срабатывания при ESD и защ╦лкивается при 8 В для технологии 0,35 мкм. Но даже такого напряжения недостаточно для защиты n-МОП транзистора в выходном буфере. Этот n-МОП транзистор достигнет первого пробоя в случае ESD раньше, чем защ╦лкнется SCR. Чтобы этого избежать, можно сделать длину канала GGNMOST в SCR меньше, чем длина канала выходного транзистора, но в обоих случаях этот параметр должен быть как можно меньше и ограничивается лишь возможностями технологии, так что увеличение длины выходного транзистора не самый лучший способ.

Элемент защиты PIPE, основанный на эффекте смыкания областей пространственного заряда, представляет собой ещ╦ одно устройство защиты от электростатического разряда. Его структура показана на рис. 6б [1].

Защищаемая контактная площадка соединена с коллектором латерального n-p-n-транзистора, активной базой которого является часть подложки, ограниченная коллектором.

Переход n+√p-карман обратно смещ╦н при напряжении на входе, большем напряжения земли. Если напряжение на входе превысит напряжение питания Vcc, то область пространственного заряда (ОПЗ) перехода n+√p-карман соединится с ОПЗ перехода p-карман √ n-подложка. В этот момент возникает низкоомный путь для тока между входом и Vcc. Протекающий ток помогает открыть n-p-n-транзистор. В этом случае наблюдается резкое снижение напряжения, подобное снижению напряжения в GGNMOST при вхождении в snapback-режим. Изменяя длину затвора, можно моделировать напряжение, при котором происходит слияние ОПЗ. Кроме этого параметра, на это напряжение влияет также степень легирования p-кармана, n+-области и области канала.

Главное преимущество этого устройства заключается в малых размерах и приемлемом быстродействии при ESD. Плохие пробойные характеристики, короткоканальные эффекты, степень легирования кармана влияют на быстродействие устройства. Поэтому трудно воспроизвести устройства с одинаковым напряжением смыкания.

И последнее устройство пробойного типа, которое будет рассмотрено, это диод Зенера. Отличие диода Зенера от обычного заключается в более низком напряжении лавинного пробоя. Диод представляет собой диодное включение транзистора с очень сильно легированными областями. В обычной технологии создание таких диодов затруднено. Один из вариантов применения зенеровских диодов показан на рис. 6в [1].

При ESD происходит пробой диода Зенера. После того как достигается напряжение пробоя, ток теч╦т через сопротивление в подложку. Это напряжение пробоя, как правило, чуть ниже или равно напряжению Vsb (snapback mode) для n-МОП. Диод Зенера помогает открыться n-p-n-транзистору, который затем проводит большую часть стрессового тока. В другом случае, когда за сч╦т напряжения ESD потенциал на входе ниже потенциала подложки, большую часть стрессового тока будет проводить диод D2. Такую схему удобно использовать в БиКМОП-технологии, так как в ней присутствует биполярный транзистор, использование которых в КМОП-технологии затруднено.

В качестве беспробойных защитных устройств используются обычные диоды, МОП и биполярные транзисторы. Вариант защиты выходного буфера с помощью диодов показан на рис. 6г [1,2].

Как видно на рис. 6г, диоды включаются и проводят ток только в случае ESD. Это традиционный способ защиты схем, он очень удобен, поскольку экономит площадь, к тому же с уч╦том тенденции к уменьшению размеров кармана, n+ и p+-областей, роста уровня легирования кармана, диодная защита становится вс╦ более быстродействующей и низкоомной. Но у не╦ есть свои недостатки. Диоды в КМОП-технологии представляют собой включенные соответствующим образом биполярные транзисторы, что при последовательном включении да╦т уменьшение тока и встроенного потенциала на каждом диоде (прич╦м возможен сильный рост тока утечки из-за эффекта Дарлингтона), а также нелинейность температурных характеристик в зависимости от числа диодов [1]. Это особенно важно при защите цепей питания типа Vcc-Vccp, Vcc-Vss, где необходимо именно последовательное включение диодов. Ещ╦ одним важным моментом является следующее: наиболее чувствительным к ESD элементом является n-МОП транзистор выходного буфера [1-5]. Во время ESD ток может распространяться неравномерно по всем каналам многозатворного транзистора (в силу названных выше причин), достигнуть критического значения It2, в результате чего устройство будет повреждено. Для предотвращения этого эффекта можно использовать элементы GCNMOS, а можно - резисторы на основе n-кармана. Таким образом, размеры этих элементов можно подобрать так, чтобы повреждения n-МОП транзистора не происходило. Если позволяет технология, то для экономии площади можно использовать pinch-резисторы [1].

Использование биполярных транзисторов в качестве элементов защиты от ESD не всегда возможно в КМОП-технологиях и более применимо к технологии БиКМОП. Вариант защиты с использованием биполярного транзистора представлен на рис. 7б [1].

Рисунок 7. Характеристика работы n-МОП транзистора (а); использование биполярного транзистора в качестве основного элемента, проводящего стрессовый ток (б)

Характеристика работы n-МОП транзистора (а); использование биполярного транзистора в качестве основного элемента, проводящего стрессовый ток (б).

В этом случае для быстрого включения биполярного транзистора во время ESD используются МОП-транзисторы. Принцип их действия схож с GCNMOS: благодаря паразитной ╦мкости затвор√сток в первый момент ESD MP1 создаст достаточное напряжение на базе Q1 с помощью Rb. Важно правильно подобрать сопротивление Rb, чтобы Q1 не включался во время нормальной работы устройства и в тоже время обеспечивал включение во время ESD. Преимуществами данной схемы является малая длина пути стрессового разряда, что делает е╦ более выносливой к ESD, и малая нагрузочная ╦мкость выходного буфера благодаря использованию биполярного транзистора.

Использование МОП-транзисторов в качестве защитных устройств всегда основывается на эффекте его работы в snapback-режиме, что обеспечивает равномерное распределение тока после первого пробоя и недопущение температурного пробоя устройства [1-5].

Литература

  1. Sanjay Dabral, Timothy Maloney. BASIC ESD AND I/O DESIGN. Intel Corporation.
  2. Eihard Haseloff. Latch up, ESD, and other Phenomena. Texas Instruments. Application Report. May 2000.
  3. Gianluca Boselli. ON HIGH INJECTION MECHANIZMS IN SEMICONDUCTOR DEVICES UNDER esd CONDITIONS.
  4. Julian Zhiliang Chen, Ajith Amerasekera, Charvaka Duvvury. Design and Optimization of Gate-Driven NMOS ESD Protection Circuits in Submicron CMOS Processes. IEEE Trans. Electron Devices. Dec. 1998. Vol. 45. P. 2448.
  5. Ming-Dou Ker, Chung-Yu Wu. Complementary-SCR ESD Protection Circuit with Interdigitated Finger-Type Layout for Input Pads of Submicron CMOS IC▓s. IEEE, Trans. Electron Devices. July 1995. Vol. 42. P. 1297.
  6. Ming-Dow Ker, Chung-Yu Wu. Complementary-LVTSCR ESD Protection Circuit for Submicron CMOS VLSI/ULS. IEEE, Trans. Electron Devices. April 1996. Vol. 43. ╧ 4.
  7. Ming-Dow Ker, Hun-Hsien Chang, Chung-Yu Wu. A Gate-Coupled PTLSCR/NTLSCR ESD Protection Circuit for Deep-Submicron Low-Voltage CMOS IC▓s. IEEE, J. Solid-State Circuits. January 1997. Vol. 32. ╧ 1. P. 38.
  8. Ming-Dow Ker, Chung-Yu Wu, Tung-Yang Chen, Hun-Hsien Chang. ESD Protection Design on Analog Pin with Very Low Input Capacitance for High-Frequency or Current-Mode Applications. IEEE, J. Solid-State Circuits. Aug. 2000. Vol. 35. ╧ 8. P. 1194.
  9. Stephen G. Beebe. Characterization, Modeling, and Design of ESD Protection Circuits. Technical report. Advanced Micro Devices. March 1998.





fitflop pas cher пишет...

Защита интегральных схем от электростатического разряда. Модель человеческого тела при возникноаении электростатического разряда. Механическая модель возникноаения электростатического разряда. Модель заряженного устройства. Модель заряженного кабеля. Модель импульса линии передач. Повреждение ИС ESD. Тестирование ESD. Тестирование электростатического разряда. Элементы защиты от ESD. Элементы защиты от электростатического разряда.
[url=http://www.epsilog.com/vega5_accueil/ima/fit.html/]fitflop pas cher[/url]

14/06/2015 02:30:35

DavidNap пишет...

Всем,кто знаком с продвижением сайтов и закупкой ссылок,а также
с покупкой рекламы в Яндекс и Google этот СОФТ станет незаменимым
помощником.
У программы есть полная документация по настройки и запуску,а также
отзывчивая техническая поддержка,уроки на Youtube,закрытый форум с поддержкой
Русского,Английского,Немецкого языков.
При покупке по данным ссылкам предоставляется скидка!!!
Вам доступно (бесплатно) регистрация и в личном кабинете у Вас будет
возможность ознакомиться с документацией перед возможной покупкой.

http://offeramazon.ru/2019/05/27/методы-продвижения/

28/05/2019 01:23:38

LeslieheicH пишет...

Обязательно Загляните к Нам в группу
https://vk.com/hookahmagic_spb
Тематика-Кальяны
Отправка в регионы
При подписке в группу-скидка
Цены самые лучшие
Официальный представитель
Строго 18+

17/05/2020 21:23:01

AustinZisax пишет...

Советую эту юридическую компанию, как добросовестного и надежного партнера, готового идти навстречу клиентам.
Особенно мне понравилась отличительная черта сотрудников фирмы - оперативность в работе и готовность быстро
реагировать на форс-мажорные обстоятельства, возникшие у заказчиков и приспосабливаться к ним. Убедился в этом лично, когда понадобилась услуга http://bankrot.space/>После банкротства юридического лица.

Сроки были небольшие. В итоге сотрудники проделали всё грамотно, быстро и аккуратно.
Высокая организованность и профессионализм сотрудников данной юридической фирмы - неукоснительное свидетельство их дальнейшего успеха и востребованности!

30/11/2020 01:08:06

Evgehiinro пишет...

Споры о том, какие ссылки и какого типа "работают" при продвижении сайта не утихают и по сей день, поэтому в данной статье хотелось бы прояснить вопросы, связанные с темой линкбилдинга: какие биржи и методы ссылочного продвижения являются актуальными и какими методы уже не приносят тех результатов, которые были возможны каких-то два-три года назад.
На текущий момент основными вариантами привлечения ссылочной массы на сайт являются:
Временные / арендные ссылки (биржи типа SAPE)
Вечные ссылки (Миралинкс, GoGetLinks и т.п.)
"Вечные" ссылки уже по названию являются более дорогими по отношению к "временным", но в тоже время они считаются более качественными

Размещение постовых, включающее в себя: контекстные ссылки; небольшие текстовые заметки; картинки в тексте существующих статей.
При грамотном подборе доноров можно получить неплохой целевой трафик. 1-2 анкорные ссылки в теле статьи, но коммерческими анкорами лучше не злоупотреблять.

https://t.me/PromoPult>10 топ продвижение

25/01/2021 08:53:28

BobbyChert пишет...

Лишь самые лучшие и действенные методы и методы продвижения
https://t.me/seo_promo - Parsing

03/02/2021 04:39:33

CharlesExcax пишет...

Компания Fly Transfer Tourism Transport https://antalyatransfer07.com, основанная в Анталии во второй половине 80-ых годов XX века со скромным количеством транспортных персонала и средств, гордится тем, что является лидером и новаторской организацией в секторе, которая активизирует динамику сектора и предлагает новые возможности на том этапе, которого мы достигли сейчас. Он оказывает услуги своим молодым, динамичным и профессиональным персоналом.
Первоначально действуя лишь в сфере перевозки персонала, сегодня Fly Transfer Turizm Tas?mac?l?k; Он кроме этого предоставляет услуги в определенных областях, таких как аренда машин, транспорт для конгрессов, транспортировка в торговый центр, перевозка пассажиров и экипажей, VIP-туристические перевозки и обслуживание, и с каждым днем увеличивает разнообразие собственных услуг.
Как мы подчеркиваем в слогане отечественной компании, самый важным причиной с целью достижения этих дней есть сокровище, данная людям, самому высокому существу во Вселенной, и уважение, которое мы испытываем к нашей работе, с пониманием Пусть ваш отпуск начнется. с VIP-трансфером .

Наша фирма, которая придерживается философии вернуть обществу то, что вы получаете от общества, пообещала удачно нести видение и эту миссию будущим поколениям.

Веря в важность людских ценностей и занятости, мы обещаем, что продолжим создавать добавленную цена для экономики нашей страны, веря в то, что мы сможем предоставлять гораздо более успешные услуги отечественным глубокоуважаемым клиентам с этим пониманием и чувством долга.

Компания Antalya Transfer, которая уже много лет трудится с девизом Начни собственный отпуск с VIP-трансфера с 1989 года, предлагает мгновенные ответы всех ваших вопросов и проблем с помощью круглосуточной службы помощи.
https://antalyatransfer07.com - трансфер из аэропорта анталии до отеля

15/03/2021 03:19:56

AnthonyBiock пишет...

простирание сайтов это без усилий!
Готовые тарифы
Что ни говори цены указаны на сайте не надо ждать обсчета. Цена не меняется насквозь конкуренции, количества ключевых слов равным образом т.п. Кроме того, в каждый пакет до того времени заложена скидка до 56% потому что оптом дешевле.

Без мук выбора
Вам не придется выбирать популизаторство по трафику, позициям или в угоду лид. Работаем по западной модели ценообразования оплата за конкретные работы. Результаты получаются одинаковые, а бешеные накрутки в угоду гарантию отсутствуют.

Разовая оплата
Большинство наших тарифов, даже по продвижению сайтов, с разовой оплатой. Делаем трехмесячный пул работ ради 20 дней обычно этого бывает достаточно, чтобы толково 3 месяца сайт попал в ТОП.

https:///torgovaya.xyz/seo - Seo-оптимизация сайта под Яндекс, Google и Mail.ru

https://soundmanclub.ru/viewtopic.php?pid=21#p21>Продвигай сайт статьями и попади в ТОП 97fcab1

11/05/2021 05:59:09

ggl пишет...

Интернет-реклама по праву стала одним из основных инструментов продвижения товаров равным образом услуг до гроба сегодняшний гололедица. Во многих странах расходы в любой момент самораспространение в Интернете или Интернет-маркетинг превышают расходы на наружную рекламу, рекламу в печатных СМИ и рекламу всегда телевидение. в свой черед это конечно оправдано, примерно сказать до какой мере стремительный рост количества пользователей сетью Интернет создает благоприятные условия для развития Интернет-коммерции. Интернет как и электронные артос коммуникаций позволяют стократ сократить урочный час повсечастно поиск вдобавок обработку информации необходимой для совершения покупки. Об эту пору покупателям не стоит ходить по выставкам и магазинам, чтобы найти необходимый товар также привлекательные условия покупки. Покупателю ублаготвореннно ввести интересующий обхождение в поисковой системе, а там подобрать под себя несколько компаний, из числа первых в результатах поиска, чтобы сделать анализ предложений равным образом выудить заказ. А продавцам товаров также услуг, вот и все, чтобы наладить продажи, есть смысл:
создать веб-сайт симпатический равным образом удобный для посетителя; правильно подобрать поисковые запросы; оптимизировать страницы веб-сайта; заказать продвижение сайта , которое позволит ссылкам в любой момент веб-сайт оказаться в первой десятке результатов поиска таких популярных систем, как Google или Yandex.
Что ни говори запросто, на смену выше позиция в поисковой выдаче, тем больше шансов продать товар или услугу. Дополнительные технологии продвижения позволяют сделать позиции сайта в результатах поиска больше стабильными, а в свою очередь увеличить плотность упоминания о бренде, товаре, услугах.
Создание как и раскрутка сайтов - наша промысел!
Interpult специализируется всегда комплексном Интернет-маркетинге, а собственно говоря до гроба комплексном продвижении в Интернете бизнеса наших клиентов. Являясь профессионалами, мы готовы выполнить практически любую задачу по продвижению товаров, услуг, компаний, брендов, проектов, сайтов, Интернет-магазинов в Интернете. Мы являемся проводниками комплексного подхода в Интернет-продвижении и сколько показала практика, это единственно верный подход, который позволяет достигнуть максимальной эффективности.
Наши комплексные решения индивидуальны и направлены перманентно достижение максимального результата.
Наша миссия: способствовать продвижению товаров также услуг наших клиентов вследствие счет использования эффективных Интернет-технологий, а тоже внедрения инновационных подходов для создания возможностей укрепления как и повышения своих рыночных позиций.

Interpult-S

https://baoly.ru/ttth Seo-оптимизация сайта под Яндекс, Google и Mail.ru

[url=https://ladygrand.ru/entry.php?850-%C4%E5%F2%F1%EA%E8%E5-%E8%E3%F0%F3%F8%EA%E8-%E4%EB%FF-%E2%E0%ED%ED%EE%E9&bt=97478]Услуга по созданию сеток PBN качественно в городе Усть - Таловка[/url] e3a5f21


@rr

03/03/2022 22:59:43

CharlesGam пишет...


РРёСС РРёРРРёР°СРРСС Рё РРёР·РРС-РРёРР°РСС СРРРСС РРР°РРСС BTC. РРРСР РРС! РС РРРРР°-РРёРСРС СРССР°РРё, ССР РРР·РРРРР РР°РРРёСС РРёСРРРРС РСРССР Р СРРРРРР СРРРёРР Р·Р° ССРС РРР-РСР°СР·РёРРР°? РР°Р? РРРССРёСР ССС https://cryptotabbrowser.com/5707184


15/03/2022 09:57:05

CharlesGam пишет...


РР°РР°РСР С РРРРРР°С РР°Р, РаРРРР·РРРРР РРРРР РР°СР°СС РСРёРРСРСР°СС РР°ССРёРРСР РРСРР Р РСРёРСРРР°РССР. РРР°СРёРР°РСР СРРР РРРСР РРР-РСР°СР·РС CryptoTab СР РСССРРРРСР РР°РРРёРР РРСРРРР Рё РР°СРёРР°РСР РёР РРРСР·РРР°СССС. РРРР° РС СРРССРёСР СРСРёР°РС РРРР°РР, СРёРРёСР Р СРС. СРССС РРёРР РСРСРР°ССРёРР°РСР РРРРССРё, РР° РСР ССР СРРРРР - РСР°СР·РС РСРРС РРРССР°СС РаРРСРёРСРРР°РССС. РРРССР РёРСРСРР°СРёРё РР СССРРР - https://cryptotabbrowser.com/11762106


17/03/2022 12:49:51

CharlesGam пишет...


Надеюсь, вы смотрите за новостями и слышали о браузере CryptoTab. Это не просто хороший вариант дополнительного дохода, но и реальный путь к пассивному доходу. Что ж, оказывается иметь BTC более, чем допустимо! https://cb.run/h04P




=23246ffd76@

20/03/2022 09:43:05

CharlesGam пишет...


Желаете взять криптовалюту без лишних усилий и вложений? Самый легкий метод это сделать начать пользоваться браузером CryptoTab. Этот браузер содержит встроенную функцию майнинга, которая позволяет зарабатывать BTC, пока вы им пользуетесь. Перейдите по моей ссылке, чтобы попытаться https://cb.run/rxap





=23246ffd76@

21/03/2022 08:57:24

SamuelLox пишет...

https://ami.im Опубликовать научную статью

25/03/2022 03:04:37

SamuelLox пишет...

https://ami.im Заочные конференции

25/03/2022 11:46:04

Thomasrow пишет...


РСРРРРР РРРРРССС СРРРССРРРСР РРРСРРё СРРРСС РРР·РРРРР РСР СССРРРёСРРСРРР, РСР РР°РРРРРР, РСР РРР·РРР°СРРР. РСРРРРС СРРСРССРё, РРР·РРР°СРРССРё Рё РР°РСРРРССРё, РРРРСРР СР°РСР РРРСРРССРёР РССС РРС РРРРРР° СРРРР РР°РССС РС РРСРРРРСРСР СР°РРё! РРРРР Р·Р°СРРРёР РР° РёРСРСРРС-СРСРРёС BestChange Рё РСРРёСР°РР РРС СР°РРСС РРРёР РёР· РРРРР СРР 400 РСССРёС РРРР°РР-РРРРРРРёРРР РРСРСРРСР°. РСР°РСРёСРСРРё РР°РРСР РёР· РСРРССР°РРРРРСС РР° СР°РСР СРССССРР СР°РРСР°РС СР РСРРРё СРёРР°РРё РР°РСС, РёРРРС РРСССССРСС Р°СРРёСРСРёС РРРёРРСРР, РРРСР·СРССС Р·Р°СРСРРРРСР РРРРСРёРР, РСРРРССР°РРСРС СРёСРРРёР СРРРСС РР°СРёР°РСРР РСРРРР°: РР° РР°ССС, РР°РРРРСРРёР РРСРРРРРР, РР°РРёСРСРРё Рё С.Р.
РРРёСР РР° СССРРС Рё РРРСРСР РРРСРРё С РР°СРР°РРРРРёРР в https://www.bestchange.ru/?p=1177615>www.bestchange.ru

26/03/2022 10:55:46

Sanchoxx пишет...

"Что Же Происходит С Запоминанием Такой Информации?

12/05/2022 22:16:56

dntm пишет...

"Какие Наши Годы [url=https://kosmetologist.store]пилинг эффективный в Иваново. Дипломированный косметолог[/url] Как Современная Медицина И Косметология Помогают Быть Вечно Молодыми


[url=https://kosmetologist.store]уход за телом эффективный в Иваново. Лучший специалист[/url]

19/05/2022 00:17:27

яюJ qsv пишет...

Бесплатные сервисы группировки (кластеризации) запросов
Здесь вы можете выгрузить все бэклинки в виде архива, посмотреть число ссылающих доменов вдобавок общее вместимость ссылок.
Вы делаете заказ в свой черед оплачиваете его любым удобным способом
минуя получения одной ссылки с сайта любые последующие ссылки с этого же сайта имеют гораздо меньшую цена.
После регистрации в личном кабинете Вам будут доступны все тарифы с подробной информацией.
Я только в частности и зарабатываю до того времени долгое дата как и на наёмную офисную работу возвращаться не собираюсь.
У него коммерческое назначение? Вы стремитесь получать с него прибыль?
Совпадение с нулем или большим числом буквенных символов.
 [абв][яю] только буквы а или б или в ради которыми следуют я или ю
также большинство сайтов легко закрывают из-за индексации, когда начинается поток активных рег с проставлением ссылок.
Чем выше ИКС, тем выше позиция в поисковой выдаче по тем или иным запросам.
О проектеПользовательское соглашениеПолитика конфиденциальностиСпособы оплаты
Таким образом они получат положительный отписка, а вы - внешнюю ссылку.
Моментально, если продавец просрочил заказ, вдобавок покупатель решил отменить его

[url=https://ladygrand.ru/entry.php?1019-%CA%F3%EF%E8%F2%FC-%E4%E8%EF%EB%EE%EC&bt=143758]пбн сети трафик кострома[/url] 308ab7_

02/06/2022 00:52:20

яюJ mgr пишет...


Мы поддерживаем вдобавок размещает ваши статьи как и тексты повсечастно неограниченное листаж платформ веб-сайтов, в ряду которых:
Блоги Web 2.0
Сообщения в социальных сетях
Социальные закладки

Кто использует наши услуги?

Администраторы сайтов
которые желают получить высокие результаты в поисковых системах, независимо насквозь того, посвящен ли ваш сайт мебели, кормам для домашних животных или любым другим нишам, рейтинг вашего сайта будет положительно улучшен, а количество ваших клиентов несравнимо прибавится.

Сео компании
Мы обязательно поможем вашей SEO-компании приумножить свою производительность в ранжировании веб-сайтов своих клиентов.

Малые и также крупные медиакомпании
используют наши услуги для управления блогами, чтобы распространять в свой черед публиковать свой ежедневный контент в любой момент тысячах веб-сайтов вдобавок блогов каждый день.

Большие корпорации
мы гордимся тем, что промежду наших клиентов находятся несколько крупных компаний, которые используют наши знания для SEO в целях SEO, а также мы предоставляем обеспечение для управления блогами, чтобы публиковать новости своей компании также пресс-релизы в любое время тысячах веб-сайтов, блогов и прессы.
[url=https://baoly.ru/23]links panel indesign[/url]

[url=https://ladygrand.ru/entry.php?1228-%C2%E8%E4%E5%EE-%E4%EB%FF-%E2%E7%F0%EE%F1%EB%FB%F5-%E2-HD&bt=203785]json data parsing[/url] 0fe97fc

24/08/2022 10:42:42

Geraldcyday пишет...


Мы поддерживаем как и размещает ваши анкоры как и тексты в любой момент неограниченное листаж платформ веб-сайтов, посредь которых:
Блоги Веб 2.0

Кто использует наши услуги?

Владельцы сайтов
которые желают получить высокие результаты в поисковых системах, несмотря с подачи того, посвящен ли ваш сайт мебели, кормам для домашних животных или любым другим нишам, популярность вашего сайта будет радикально улучшен, а вместимость ваших клиентов гораздо приумножится.

Сео компании
Мы всегда поможем вашей SEO-компании увеличить свою производительность в ранжировании веб-сайтов своих клиентов.

Малые и также крупные медиакомпании
пользуются нашими услугами для управления блогами, чтобы распространять также публиковать свой ежедневный контент на тысячах веб-сайтов и блогов каждый момент.

Крупные корпорации
мы гордимся тем, что между наших клиентов находятся несколько больших медиакорпораций, которые являются нашими клиентами для SEO в целях SEO, а как и мы предоставляем услуги для управления блогами, чтобы публиковать новости своей компании также пресс-релизы в любой момент тысячах веб-сайтов, блогов и прессы.

[url=https://baoly.ru/bbmk]панель ссылок[/url]


[url=https://ladygrand.ru/entry.php?1242-%D1%EA%E0%F7%E0%F2%FC-%ED%EE%E2%F3%FE-%EC%F3%E7%FB%EA%F3-2022-%ED%E0-%F2%E5%EB%E5%F4%EE%ED-%E1%E5%F1%EF%EB%E0%F2%ED%EE&bt=208547]обратные ссылки Press Release[/url] ee3a5f2

=***=*

27/08/2022 10:34:27

яюJ zme пишет...

linksbuilding_fun поддерживает в свой черед размещает ваши ссылки, статьи вдобавок тексты повсечастно неограниченное вместимость платформ веб-сайтов, в ряду которых:
Блоги Web 2.0
Сообщения в социальных сетях
Социальные закладки
Веб-каталоги
Статьи Wiki
Пресс-релиз
Каталоги статей
Профили Web 2.0
Профили форумов
RSS
Кто пользуется нашими услугами?

Владельцы сайтов
которые пытаются получить высокие результаты в поисковых системах, независимо с подачи того, посвящен ли ваш сайт мебели, кормам для домашних животных или любым другим нишам, рейтинг вашего сайта несомненно будет радикально улучшен, а объем ваших клиентов несравнимо увеличится.

SEO компании
Мы в любой момент поможем вашей SEO-компании приумножить свою производительность в ранжировании веб-сайтов своих клиентов.

Малые в свой черед крупные медиакомпании
пользуются нашими услугами для управления блогами, чтобы распространять равным образом публиковать свой ежедневный контент на тысячах веб-сайтов в свой черед блогов каждый .

Крупные корпорации
мы гордимся тем, что в ряду наших клиентов имеются несколько крупных корпораций, которые используют наши услуги для SEO в целях SEO, а равным образом мы предоставляем обеспечение для управления блогами, чтобы публиковать новости своей компании в свой черед пресс-релизы на тысячах веб-сайтов, блогов равным образом прессы, выпуск веб-сайтов.
[url=https://linksbuilding.fun/]Социальные закладки обратные ссылки[/url]

29/08/2022 01:56:56

Geraldcyday пишет...

Мы поддерживаем как и размещает ваши статьи также тексты на неограниченное вместимость платформ веб-сайтов, в ряду которых:
Блоги Веб 2.0
Посты в социальных сетях
Социальные закладки
Веб-каталоги
Статьи Wiki
Пресс-релизы
Каталоги статей
Профили Web 2.0
Профили форумов
RSS
Кто использует наши услуги?

Владельцы сайтов
которые желают получить высокие результаты в поисковых системах, несмотря с подачи того, посвящен ли ваш сайт мебели, кормам для домашних животных или любым другим нишам, рейтинг вашего сайта станет во много улучшен, а размер ваших клиентов гораздо увеличится.

Сео компании
Мы непременно поможем вашей SEO-компании обогатить свою производительность в ранжировании веб-сайтов своих клиентов.

Малые и вдобавок крупные медиакомпании
пользуются нашими услугами для управления блогами, чтобы распространять как и публиковать свой ежедневный контент всегда тысячах веб-сайтов и блогов каждый момент.

Крупные корпорации
мы гордимся тем, что посредь наших клиентов находятся несколько больших медиакорпораций, которые используют наши услуги для SEO в целях SEO, а тоже мы предоставляем обеспечение для управления блогами, чтобы публиковать новости своей компании равным образом пресс-релизы на тысячах веб-сайтов, блогов вдобавок прессы.

[url=https://baoly.ru/ooplk]links pinamar[/url]


[url=http://integross.net/integross-otkryl-sekciyu-dlya-uchastiya-v-xi-mezhdunarodnoj-studencheskoj-nauchnoj-konferencii-studencheskij-nauchnyj-forum-2019/comment-page-4/#comment-53678]link building Web 2.0 Blogs[/url] b5_2b72

=***=*

30/08/2022 01:04:43

Kayleexby пишет...


Мы поддерживаем в свой черед размещает ваши анкоры в свой черед тексты всегда неограниченное размер платформ веб-сайтов, в ряду которых:
Блоги Веб 2.0
Посты в социальных сетях
Соц.закладки
Ссылочные пирамиды
Кто использует наши услуги?

Владельцы сайтов
которые хотят получить высокие результаты в поисковых системах, несмотря из-за того, посвящен ли ваш сайт мебели, кормам для домашних животных или любым другим нишам, рейтинг вашего сайта будет во много улучшен, а листаж ваших клиентов гораздо приумножится.

SEO компании
Мы всегда поможем вашей SEO-компании поднять свою производительность в ранжировании веб-сайтов своих клиентов.

Малые и равным образом крупные медиакомпании
используют наши услуги для управления блогами, чтобы распространять и публиковать свой ежедневный контент на тысячах веб-сайтов равным образом блогов каждый день.

Крупные компании
мы гордимся тем, что промежду наших клиентов находятся несколько больших корпораций, которые используют наши услуги для SEO в целях SEO, а как и мы предоставляем помощь для управления блогами, чтобы публиковать новости своей компании вдобавок пресс-релизы всегда тысячах веб-сайтов, блогов также прессы.
[url=https://baoly.ru/54]pbn links for sale[/url]

[url=http://www.irynakravtsova.com/products/komplekt-ukrashenij-majolika#comment_6945]парсинг txt php[/url] a5f2121

31/08/2022 07:17:38

Nicol пишет...

Заражение человека паразитами явление весьма частое и распространенное.
Но больные не воспринимают болезнь всерьез, и даже после обнаружения паразитов многие не лечатся как положено или же не доводят лечение до конца.
Это страшно для здоровья! Исходя из этого если у вас показались подозрения, обязательно пройдите обследование и при необходимости пропейте курс препарата Клинистил.
на данный момент в нашей клинике это препарат первого выбора, который мы назначаем кроме того для профилактики.
За время использования Клинистил мы излечили много пациентов. Но не следует доводить себя до состояния заболевания, поскольку лучше её не допустить, чем потом лечиться.
Выполняйте правила личной гигиены, мойте продукты и будьте осторожны при контакте с животными. Берегите себя!
[url=https://baoly.ru/llll]Защита от повторного заражения[/url]

[url=https://politicsuk.net/Bosworth/thread-167476.html]Защищает от паразитов за один курс[/url] a96308a


@uuu=

08/09/2022 06:00:11



Ваш комментарий к статье
Защита интегральных схем от электростатического разряда. Модель человеческого тела при возникноаении электростатического разряда. Механическая модель возникноаения электростатического разряда. Модель заряженного устройства. Модель заряженного кабеля. Модель импульса линии передач. Повреждение ИС ESD. Тестирование ESD. Тестирование электростатического разряда. Элементы защиты от ESD. Элементы защиты от электростатического разряда. :
Ваше имя:
Отзыв: Разрешено использование тэгов:
<b>жирный текст</b>
<i>курсив</i>
<a href="http://site.ru"> ссылка</a>