Сегодня можно с уверенностью сказать, что в мире не найдется ни одного электронного прибора, который не имел бы в своем составе источник электропитания.
За последнее десятилетие технология производства полупроводниковых микросхем достигла такого высокого уровня, что стало возможным разместить на одном кристалле микросхемы контроллер и мощный высоковольтный полевой транзистор с напряжением до 800 В (!) и током до 15 А. Это, в свою очередь, позволило строить импульсные источники питания с выходной мощностью до 300 Вт. Одновременно существенно сократилось количество элементов обвязки, значительно выросла надежность и технологичность всего источника, а также уменьшилось время на разработку.

Таблица 1. Микросхемы для импульсных источников питания

Производитель/ Параметры
Диапазон выходной мощности, Вт		380	250	50	240	23
Максимальное напряжение транзистора, В		800	700	620	800	700
Максимальный ток коммутации, А		15	10	3	10	1
Способ управления:	ШИМ	x	x	x	x	x
	ЧМ (Квази-резонанс)	x
Частота переключений, кГц		150	132	<200	100	130
Тип корпуса	TO220-5	x	x	x
	DIP8	x	x	x	x	x
	SO8		x

В таблице 1 приведены результаты сравнения однотипных микросхем различных производителей для построения AC/DC-преобразователей.
Компания Fairchild выпускает микросхемы для построения импульсных источников питания с диапазоном выходных мощностей от единиц до сотен Вт. Это микросхемы семейства Green FPS Family, отвечающие современным мировым тенденциям повышения эффективности и экономии энергоресурсов. Отличительной особенностью данных микросхем является то, что вместо стандартного ШИМ здесь используется квазирезонансный метод управления. Это позволяет существенно снизить активные (динамические) потери энергии в мощном высоковольтном полевом транзисторе, что увеличивает КПД на 3...5%, а также помогает уменьшить уровень высокочастотных электромагнитных излучений за счет упрощения схемы фильтрации и подавления нежелательных помех.
Возникает вопрос: каким образом и за счет чего снижаются динамические потери в транзисторе?
Динамические потери бывают двух типов: в момент включения и в момент выключения. Потери при включении обусловлены, во-первых, наличием тока во вторичной обмотке и временем восстановления выпрямительного диода; во-вторых, высоким уровнем напряжения на стоке транзистора. Потери при выключении обусловлены, во-первых, наличием тока в первичной обмотке, а во-вторых, временем запирания транзистора.
Потери в момент выключения снижаются за счет дополнительного высоковольтного конденсатора, который подключается параллельно основному транзистору между стоком и истоком. Это приводит к тому, что транзистор выключается быстрее, чем на нем успевает измениться напряжение.
 

В помощь разработчикам, для сокращения времени на проектирование, специалистами компании Fairchild были разработаны несколько программных продуктов для расчета ШИМ- и квазирезонансных преобразователей. Данные программы находятся в свободном доступе на официальном сайте: http://www.fairchildsemi.com. Там же вы сможете найти примеры готовых источников питания.