Распродажа

Электронные компоненты со склада по низким ценам, подробнее >>>

Журнал Компел

2010: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9
2009: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12
13, 14, 15, 16
2008: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12
13, 14, 15, 16
2007: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12
13, 14, 15, 16, 17, 18, 19, 20
2005: 
1, 2, 3

Новости электроники

В 14 раз выросло количество россиян на MediaTek Labs ? проекте по созданию устройств "интернета вещей" и "носимых гаджетов"

Сравнив статистику посещения сайта за два месяца (ноябрь и декабрь 2014 года), в MediaTek выяснили, что число посетителей ресурса из России увеличилось в 10 раз, а из Украины ? в 12. Таким образом, доля русскоговорящих разработчиков с аккаунтами на labs.mediatek.com превысила одну десятую от общего количества зарегистрированных на MediaTek Labs пользователей.

Новое поколение Джобсов или как MediaTek создал свой маленький "Кикстартер"

Амбициозная цель компании MediaTek - сформировать сообщество разработчиков гаджетов из специалистов по всему миру и помочь им реализовать свои идеи в готовые прототипы. Уже сейчас для этого есть все возможности, от мини-сообществ, в которых можно посмотреть чужие проекты до прямых контактов с настоящими производителями электроники. Начать проектировать гаджеты может любой талантливый разработчик - порог входа очень низкий.

Семинар и тренинг "ФеST-TIваль инноваций: MAXIMум решений!" (14-15.10.2013, Новосибирск)

Компания Компэл, приглашает вас принять участие в семинаре и тренинге ?ФеST-TIваль инноваций: MAXIMум решений!?, который пройдет 14 и 15 октября в Новосибирске.

Мне нравится

Комментарии

дима пишет в теме Параметры биполярных транзисторов серии КТ827:

люди куплю транзистар кт 827А 0688759652

тамара плохова пишет в теме Журнал Радио 9 номер 1971 год. :

как молоды мы были и как быстро пробежали годы кулотино самое счастливое мое время

Ивашка пишет в теме Параметры отечественных излучающих диодов ИК диапазона:

Светодиод - это диод который излучает свет. А если диод имеет ИК излучение, то это ИК диод, а не "ИК светодиод" и "Светодиод инфракрасный", как указано на сайте.

Владимир пишет в теме 2Т963А-2 (RUS) со склада в Москве. Транзистор биполярный отечественный:

Подскажите 2т963а-2 гарантийный срок

Владимир II пишет... пишет в теме Параметры биполярных транзисторов серии КТ372:

Спасибо!

Журнал "Новости Электроники", номер 2, 2009 год.

Обзор MOSFET и IGBT компании STMicroelectronics

Павел Ильин (КОМПЭЛ), Николай Алимов
Мощные транзисторы MOSFET и IGBT являются в буквальном смысле ╚ключевыми╩ элементами современной силовой электроники. Они незаменимы в приложениях, где требуется быстрая коммутация больших токов и напряжений. Охватывая близкие области применения, эти транзисторы позволяют разработчику сделать выбор в пользу MOSFET- или IGBT-технологии, в зависимости от режимов работы схемы. В статье рассмотрены типы MOSFET и IGBT, выпускаемых STMicroelectronics.

Принцип работы полевого МОП-транзистора MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) основан на дрейфе основных носителей заряда через проводящий слой - канал, в результате действия перпендикулярного току электрического поля. В зависимости от того, какой тип носителей заряда является в транзисторе основным, различают каналы р-типа и n-типа.

Некоторые MOSFET-транзисторы p-типа от STMicroelectronics представлены в таблице 1, n-типа - в таблице 2.

Таблица 1. P-канальные MOSFET 

Наименование V(BR) CES, В IC (cont), А @25°C RDS(on),Ом
STS3PM150N -150 -2,5 0,24
STB16PF06LT4 -60 -16 0,16
STx12PF06 -12 0,2
STx10PF06 -10 0,2
STN3PF06 -2,5 0,2
STT2PF60L -2 0,3
STx80PF55 -55 -80 0,018
STS7PF30L -30 -7 0,021
STD30PF03LT4 -24 0,028
STS6PF30L -6 0,03
STS8C5H30L -4 0,055
STS4DPF30L -4 0,055
STS5PF30L -5 0,055
STS4PF30L -3,4 0,14
STT3PF30L -3 0,165
STS4DPF20L -20 -4 0,055
STT4PF20V -4 0,11
STS5PF20V -5 0,08
STS2DPFS20V -2 0,2
STT5PF20V -5 0,08
STN5PF02V -5 0,08
Примечание: RDS(on) указывается для напряжения затвор-исток = 10 В (4,5 В для серии LL; 2,7 В для серии V); Вместо x подставляется буква соответствующего типа корпуса (рисунок 2).

Таблица 2. N-канальные MOSFET 

Наименование V(BR) CES, В IC (cont), А @25°C RDS(on),Ом
STV160NF02LT4 20 160 0,0025
STS5DNF20V 5 0,045
STS6NF20V 6 0,045
STx150NH02L 24 150 0,0035
STP130NH02L 90 0,0044
STD100NH02LT4 60 0,00480
STx95NH02L 80 0,005
STx90N02L 60 0,006
STx70N02L 60 0,008
STD50NH02LT4 50 0,0105
STx55NH2LL 40 0,0135
STD38NH02LT4 38 0,0135
STD36NH02L 36 0,0165
STK822 25 38 0,002
STx95N2LH5 80 0,0042
STK820 80 0,0065
STW200NF03 30 120 0,0028
STV300NH03L 300 0,0015
STB300NH02L 120 0,0018
STP300NH02L 120 0,0022
STV160NF03LT4 160 0,0028
STB70NF3LLT4 70 0,012
STB70NF03LT4 70 0,0095
STx50N03L 50 0,01
STS11NF30L 11 0,0105
STP75NS04Z 33 80 0,011
STP62NS04Z 62 0,015
STx270N4F3 40 120 0,0029
STB200NF04L 120 0,0035
STx200NF04 120 0,0037
STS15N4LLF3 50 15 0,007
STSJ80N4LLF3 80 0,007
STx90N4F3 80 0,0065
STV200N55F3 55 150 0,0025
STB180N55F3 120 0,0035
STP180N55F3 120 0,0038
STx60N55F3 65 0,0085
STB60N55F3 65 0,0105
STx60NF55L 60 0,015
STP80NF06 60 80 0,008
STP60NF06L 60 0,014
STx60NF06 60 0,016
STP60NF06FP 37 0,016
STx16NF06 16 0,1
2N7000 0,35 5
2N7002 0,25 5
STB160N75F3 75 120 0,0037
STx160N75F3 120 0,004
STx140NF75 120 0,0075
STE250NS10 100 200 0,0055
STE180NE10 180 0,006
STx120NF10 120 0,0105
STx40NF10L 40 0,033
STD6NF10T4 6 0,25
STN1NF10 1 0,8
STP80NF12 120 80 0,018
STP40NF12 40 0,032
STx14NF12 14 0,18
STB40NS15T4 150 40 0,052
STS5N15M3* 4,5 0,057
STx25N15M3* 25 0,057
STx110NS20FD 200 110 0,024
STx75NF20 75 0,034
STD5N20LT4 5 0,7
STW52NK25Z 250 52 0,045
STB50N25M3 40 0,065
STx50NF25 45 0,069
STW54NK30Z 300 54 0,06
STP30NM30N 30 0,09
STP12NK30Z 9 0,4
STx17NK40Z 400 15 0,25
STx11NK40Z 9 0,55
STx7NK40Z 6 1
STD2NC45-1 450 1,5 4,5
STQ1NC45R-AP 0,5 4,5
STS1DNC45 0,4 4,5
STE70NM50 500 70 0,05
STY60NM50 60 0,05
STE53NC50 53 0,08
STQ3NK50ZR-AP 0,5 3,3
STE70NM60 600 70 0,055
STY60NM60 60 0,055
STN1NK60Z 0,3 15
STx20NM65N 650 19 0,190
STx15NM65N 12,5 0,27
STx11NM65N 11 0,38
STW20NK70Z 700 19 0,3
STx10NK70Z 8 0,85
STx2NK70Z 1,6 7
STE45NK80ZD 800 45 0,13
STW18NK80Z 17 0,38
STx11NM80 11 0,4
STE40NK90ZD 900 40 0,17
STE30NK90Z 30 0,3
STY30NK90Z 26 0,3
STW13NK100Z 1000 12 0,7
STW11NK100Z 10,5 1,38
STx8NK100Z 6,3 2
STP5N120 1200 4,4 3,5
STx1N120 0,5 38
STW9N150 1500 8 2,7
STx4N150 4 7
STx3N150 2,5 12

Использование различных технологий изготовления позволяет охватить большой диапазон напряжений, токов, быстродействий и выбрать MOSFET с наиболее выгодными параметрами. По технологии STripFETTM изготавливаются транзисторы с очень малым сопротивлением в открытом состоянии (порядка нескольких миллиом), что позволяет при относительно небольших размерах коммутировать токи свыше 100 А. Технология PowerMeshTM ставит акцент на высокое быстродействие и малый заряд затвора, что необходимо для создания импульсных источников питания, сварочных инверторов, ИБП и высокочастотных электроприводов. MDmeshTM-технология сочетает в MOSFET-полупроводнике высокое быстродействие и небольшое сопротивление открытого состояния. Высоковольтные транзисторы линеек изготавливаются по технологии SuperMeshTM.

Способ кодирования наименования MOSFET представлен на рисунке 1

 

Кодирование наименования MOSFET

 

Рис. 1. Кодирование наименования MOSFET

Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) - является продуктом развития технологии силовых транзисторов MOSFET и сочетает в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре: биполярный (образующий силовой канал) и полевой (образующий канал управления). Сочетание двух приборов в одной структуре позволило объединить достоинства полевых и биполярных транзисторов: высокое входное сопротивление с высокой токовой нагрузкой и малым сопротивлением во включенном состоянии.

Для IGBT с номинальным напряжением в диапазоне 600...1200 В в полностью включенном состоянии прямое падение напряжения, так же как и для биполярных транзисторов, находится в диапазоне 1,5...3,5 В. Это значительно меньше, чем характерное падение напряжения на силовых MOSFET в проводящем состоянии с такими же номинальными напряжениями.

С другой стороны, MOSFET c номинальными напряжениями 200 В и меньше имеют более низкое значение напряжения во включенном состоянии, чем IGBT, и остаются непревзойденными в этом отношении в области низких рабочих напряжений и коммутируемых токов до 50 А.

По быстродействию IGBT уступают MOSFET, но значительно превосходят биполярные. Типичные значения времени рассасывания накопленного заряда и спадания тока при выключении IGBT находятся в диапазонах 0,2...0,4 и 0,2...1,5 мкс, соответственно.

IGBT компании STMicroelectronics, по ведущему параметру можно разделить на несколько больших групп:

IGBT с малым падением напряжения представлены в таблице 3. Отличная проводимость в режиме насыщения снижает тепловыделение транзисторов и позволяет применять их в сильноточных приложениях, таких как низкочастотные электроприводы (до 1 кГц), диммеры освещения, драйверы газоразрядных ламп и сварочное оборудование.

Таблица 3. IGBT с малым падением напряжения

Наименование V(BR) CES, В IC (cont), А @100°C VCE(sat) typ, В Корпус
STGB3NB60SDT4 600 3 1,15 D2PAK
STGD3NB60SDT4 3 1,15 DPAK
STGD3NB60SD-1 3 1,15 IPAK
STGF7NB60SL 7 1,10 TO-220FP
STGD7NB60SL 10 1,10 DPAK
STGP10NB60SFP 7 1,15 TO-220FP
STGD7NB60ST4 10 1,10 DPAK
STGB10NB60ST4 10 1,25 D2PAK
STGP10NB60S 10 1,25 TO-220
STGF20NB60S 13 0,95 TO-220FP
STGW35NB60SD 35 0,95 TO-247
STGE200NB60S 150 1,20 ISOTOP
STGD5NB120SZT4 1200 5 1,25 DPAK
STGD5NB120SZ-1 5 1,25 IPAK
Примечание: FSW (MAX) = 1 кГц F = 1 кГц

STMicroelectronics также предлагает новое поколение IGBT, разработанных с применением технологии PowerMeshTM, с успехом используемой в MOSFET-транзисторах. Основные преимущества новых IGBT-транзисторов: снижено VCE(sat) (напряжение насыщения КЭ), увеличен IC (ток коллектора), возросла скорость переключения. Семейство IGBT-транзисторов с низким напряжением насыщения можно идентифицировать по суффиксу «S» в наименовании.

Расширение диапазона рабочих частот ШИМ ведет к росту динамических потерь. Применение быстродействующих IGBT (таблица 4) для приложений, требующих более высокой скорости переключений (до 100 кГц), например, высокочастотных инверторов, импульсных источников питания и корректоров коэффициента мощности (в том числе с резонансной топологией), источников бесперебойного питания, электроприводов, позволяет минимизировать динамические потери и снизить тепловыделение.

Таблица 4. Быстродействующие IGBT

Наименование FSW (MAX), кГц V(BR) CES, В IC (cont), А @100°C VCE(sat) typ, В Корпус
STGD10NC60SD 10 600 10 1,3 DPAK
STGP19NC60S 20 1,3 TO-220
STGP30NC60S 30 1,3 TO-220
STGF6NC60HD 50 3 1,75 TO-220FP
STGF10NC60HD 6 1,75 TO-220FP
STGF7NC60HD 7 1,75 TO-220FP
STGF19NC60HD 10 1,75 TO-220FP
STGB10NC60HD 10 1,75 D2PAK
STGP10NC60HD 10 1,75 TO-220
STGD7NC60HT4 14 1,75 DPAK
STGP7NC60H 14 1,75 TO-220
STGB19NC60HD 19 1,75 D2PAK
STGP19NC60H 19 1,75 TO-220
STGY40NC60VD 50 1,75 Max247
STGE50NC60VD 50 1,75 ISOTOP
STGJ50NC60VD 50 1,75 TO-264
STGF3NC120HD 1200 3 2,30 TO-220FP
STGFL6NC60D 100 600 3 2,10 TO-220FP
STGDL6NC60D 6 2,10 DPAK
STGBL6NC60D 6 2,10 D2PAK
STGPL6NC60D 6 2,10 TO-220
STGF19NC60WD 7 2,0 TO-220FP
STGP19NC60WD 19 2,0 TO-220
STGW19NC60W 19 2,0 TO-247
STGP30NC60W 30 1,90 TO-220
STGW30NC60W 30 1,90 TO-247
STGW50NC60W 55 1,90 TO-247
STGY50NC60WD 55 1,90 Max247
STGE50NC60W 55 1,90 ISOTOP
STGJ50NC60W 55 1,90 TO-264

Для работы в режиме тяжелого переключения (при большом токе и высоком напряжении одновременно), в схемах импульсных источников питания и корректоров коэффициента мощности с резонансной топологией, для высокочастотных приводов электродвигателя хорошо применима серия «К» - IGBT, устойчивые к короткому замыканию длительностью до 10 мкс (таблица 5).

Таблица 5. IGBT, устойчивые к короткому замыканию

Наименование V(BR) CES, В IC (cont), А @100°C VCE(sat) typ, В Корпус
STGF8NC60KD 600 4 1,90 TO220-FP
STGD8NC60KT4 8 1,90 DPAK
STGB8NC60KDT4 8 1,90 D2PAK
STGP8NC60KD 8 1,90 TO-220
STGF10NC60KD 6 2,0 TO-220FP
STGD10NC60KDT4 10 2,0 DPAK
STGB10NC60KT4 10 2,0 D2PAK
STGP10NC60K 10 2,0 TO-220
STGF14NC60KD 7 1,85 TO-220FP
STGD14NC60KT4 14 1,85 DPAK
STGB14NC60KT4 14 1,85 D2PAK
STGP14NC60KD 14 1,85 TO-220
STGF19NC60KD 10 1,85 TO-220FP
STGB19NC60KD 19 1,85 D2PAK
STGP19NC60K 19 1,85 TO-220
STGB30NC60K 30 1,85 D2PAK
STGP30NC60K 30 1,85 TO-220
STGW30NC60KD 30 1,85 TO-247
STGW40NC60KD 40 1,85 TO-247
STGW30NC120KD 1200 30 2,10 TO-247
Примечание: FSW (MAX) = 50 кГц F = 50 кГц
Способ кодирования наименования IGBT представлен на рисунке 2.

 

Кодирование наименования IGBT 

Рис. 2. Кодирование наименования IGBT

 В заключение хочется отметить, что широкая номенклатура MOSFET и IGBT, выпускаемых STMicroelectronics, охватывает практически все области применения коммутационных полупроводников. Более детальную информацию по номенклатуре и параметрам MOSFET и IGBT можно найти на сайте http://www.st.com в разделе Products/Transistors.

Получение технической информации, заказ образцов, поставка - e-mail: analog.vesti@compel.ru

Вернуться к содержанию номера







Ваш комментарий к статье
Журнал "Новости Электроники", номер 2, 2009 год. :
Ваше имя:
Отзыв: Разрешено использование тэгов:
<b>жирный текст</b>
<i>курсив</i>
<a href="http://site.ru"> ссылка</a>