Распродажа

Электронные компоненты со склада по низким ценам, подробнее >>>

Журнал Компел

2010: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9
2009: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12
13, 14, 15, 16
2008: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12
13, 14, 15, 16
2007: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12
13, 14, 15, 16, 17, 18, 19, 20
2005: 
1, 2, 3

Новости электроники

В 14 раз выросло количество россиян на MediaTek Labs ? проекте по созданию устройств "интернета вещей" и "носимых гаджетов"

Сравнив статистику посещения сайта за два месяца (ноябрь и декабрь 2014 года), в MediaTek выяснили, что число посетителей ресурса из России увеличилось в 10 раз, а из Украины ? в 12. Таким образом, доля русскоговорящих разработчиков с аккаунтами на labs.mediatek.com превысила одну десятую от общего количества зарегистрированных на MediaTek Labs пользователей.

Новое поколение Джобсов или как MediaTek создал свой маленький "Кикстартер"

Амбициозная цель компании MediaTek - сформировать сообщество разработчиков гаджетов из специалистов по всему миру и помочь им реализовать свои идеи в готовые прототипы. Уже сейчас для этого есть все возможности, от мини-сообществ, в которых можно посмотреть чужие проекты до прямых контактов с настоящими производителями электроники. Начать проектировать гаджеты может любой талантливый разработчик - порог входа очень низкий.

Семинар и тренинг "ФеST-TIваль инноваций: MAXIMум решений!" (14-15.10.2013, Новосибирск)

Компания Компэл, приглашает вас принять участие в семинаре и тренинге ?ФеST-TIваль инноваций: MAXIMум решений!?, который пройдет 14 и 15 октября в Новосибирске.

Мне нравится

Комментарии

дима пишет в теме Параметры биполярных транзисторов серии КТ827:

люди куплю транзистар кт 827А 0688759652

тамара плохова пишет в теме Журнал Радио 9 номер 1971 год. :

как молоды мы были и как быстро пробежали годы кулотино самое счастливое мое время

Ивашка пишет в теме Параметры отечественных излучающих диодов ИК диапазона:

Светодиод - это диод который излучает свет. А если диод имеет ИК излучение, то это ИК диод, а не "ИК светодиод" и "Светодиод инфракрасный", как указано на сайте.

Владимир пишет в теме 2Т963А-2 (RUS) со склада в Москве. Транзистор биполярный отечественный:

Подскажите 2т963а-2 гарантийный срок

Владимир II пишет... пишет в теме Параметры биполярных транзисторов серии КТ372:

Спасибо!

Журнал "Новости Электроники", номер 12, 2009 год.

Развитие технологий транзисторов MOSFET повышает их специализацию

Дуг Расселл (International Rectifier)
Новые технологии производства мощных МОП-транзисторов (MOSFET), разработанные компанией International Rectifier, привели к тому, что разработчик электроники может теперь выбрать изделие, наилучшим образом подходящее для конкретного типа применения. О тенденциях развития MOSFET, их оптимальном выборе и допустимых компромиссах рассказывает вице-президент и руководитель группы разработки устройств управления питанием компании International Rectifier Дуг Расселл.

 

 

 

Мощные МОП-транзисторы (MOSFET) появились в конце 1970 годов и сейчас широко применяются в различных устройствах: от источников питания до вычислительных платформ, в оборудовании с аккумуляторным питанием и питанием от солнечных батарей, в приводах промышленных электродвигателей, автоматизированных системах и бытовой аппаратуре. Однако это не означает, что темп технического развития замедляется. Фактически происходит обратное, так как разработчики приложений, использующие подобные устройства, оказывают все большее давление на производителей с целью достижения максимальной эффективности и больших функциональных возможностей при минимальных размерах и минимальной стоимости.

В то же время многие новые варианты применения МОП-транзисторов требуют высокой эффективности при эксплуатации в жестких атмосферных условиях в соответствии с более чем жесткими критериями эффективности и законодательными, экологическими и экономическими требованиями, связанными с энергопотреблением.

Мощные МОП-транзисторы используются довольно часто и являются типичными в большинстве случаев применения, в то время как критерии, относящиеся к эффективности, размерам и стоимости, носят индивидуальный характер. Это значит, что производители МОП-транзисторов все чаще создают устройства, ориентированные на конкретные области применения. Теперь можно, например, выбрать МОП-транзисторы из ассортимента, который предназначен для применения только в понижающих DC/DC-преобразователях, или только в устройствах синхронного выпрямления, или - в средствах автоматизации, в приводах двигателей постоянного тока и так далее.

Независимо от области применения, ключевые тенденции разработки сосредоточены на преимуществах, которые обеспечиваются прогрессом в двух основных областях: производстве полупроводниковых подложек и корпусировании. В обоих направлениях ведется достаточно серьезная работа, что позволяет производителям мощных МОП-транзисторов создавать оптимизированные устройства, используемые в конкретных областях. В разработке полупроводников преобладает усовершенствованная технология формирования канавок (тренч-технология) , тогда как последние разработки в области корпусирования направлены на создание таких SMT-корпусов, как Super SO-8, которые по эффективности не уступают корпусам для монтажа в отверстия.

В процессе разработки технологий учитывается одна из наиболее заметных тенденций, а именно дальнейшее повышение удельной мощности. Возможность работать с повышенными токами в корпусе того же размера или с теми же токами в корпусе меньшего размера может в большой степени способствовать экономии места и стоимости. Например, в последние месяцы начато производство МОП-транзисторов с повышенными (до 60%) номинальными значениями токов на единицу площади, что при корпусе TO220 дает значения тока до 195 A. Однако следует учесть тот факт, что уменьшение размеров кристаллов и компактные корпуса, обеспечивающие повышение удельной мощности, также оказывают влияние на факторы устойчивой работы устройства. Поэтому производители продолжают искать пути оптимизации баланса устойчивой работы и удельной мощности в зависимости от требований конкретного применения. Также очень важно то, как производитель определяет факторы устойчивой работы, например, лавинный пробой. В компании International Rectifier проводится тестирование на пробой трех контактов, направленное на обеспечение надежности и повышение качества готовой продукции. Контакт 1: Стандартное тестирование качества (EAR) при 25 и 150°С. Контакт 2: Переключение индуктивной нагрузки без защелкивания (UIS). Контакт 3: Тестирование EAR также при 25 и 150°С. В результате все МОП-транзисторы IR проходят тестирование на пробой в процессе производства. Не все производители могут гарантировать такой уровень тестирования продукции.

Во многих случаях снижение сопротивления (RDS(ON)), которое приводит к снижению потерь на теплопроводность и повышению теплового КПД (а также способствует повышению удельной мощности), остается одной из самых актуальных тем, особенно для проектов с применением токов высоких значений. Несмотря на достаточно зрелый характер рынка силовых МОП-транзисторов, развитие производственных технологий, включая trench- технологию, которая используется чаще, чем планарная, позволяет производителям реализовать двузначное уменьшение сопротивления RDS(ON) на единицу площади. Однако в данном случае также следует соблюдать баланс. Необходимо учесть тот факт, что суммарные потери включают как потери на теплопроводность, так и потери на переключение, причем снижение одних приводит к увеличению других. При значениях напряжения среднего диапазона (40...300 В) потери на переключение зависят от емкости затвора и поведения диодов обратного восстановления. В тех случаях, когда речь идет о создании МОП-транзисторов для приводов электрических двигателей и импульсных источников питания, усилия разработчиков направлены именно на эти области.

Говоря о переключении, необходимо упомянуть о важности мощных МОП-транзисторов с драйверами логических уровней, которые соответствуют требованиям скоростного включения и выключения многих современных решений. В настоящее время на рынке представлены, например, мощные МОП-транзисторы с напряжением 40 В в корпусе D2PAK, сочетающие в себе функциональность драйвера затвора логического уровня со значениями тока свыше 240 A и типовыми значениями заряда затвора, составляющими всего 108 нКл. Такие устройства, питание которых осуществляется от микроконтроллера или маломощного аккумулятора для обеспечения повышенной эффективности в режиме малых нагрузок, идеально подходят для управления DC/DC-преобразованием и приводами электродвигателей постоянного тока.

 

 

Вернуться к содержанию номера







Ваш комментарий к статье
Журнал "Новости Электроники", номер 12, 2009 год. :
Ваше имя:
Отзыв: Разрешено использование тэгов:
<b>жирный текст</b>
<i>курсив</i>
<a href="http://site.ru"> ссылка</a>