Распродажа

Электронные компоненты со склада по низким ценам, подробнее >>>

Журнал Компел

2010: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9
2009: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12
13, 14, 15, 16
2008: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12
13, 14, 15, 16
2007: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12
13, 14, 15, 16, 17, 18, 19, 20
2005: 
1, 2, 3

Новости электроники

В 14 раз выросло количество россиян на MediaTek Labs ? проекте по созданию устройств "интернета вещей" и "носимых гаджетов"

Сравнив статистику посещения сайта за два месяца (ноябрь и декабрь 2014 года), в MediaTek выяснили, что число посетителей ресурса из России увеличилось в 10 раз, а из Украины ? в 12. Таким образом, доля русскоговорящих разработчиков с аккаунтами на labs.mediatek.com превысила одну десятую от общего количества зарегистрированных на MediaTek Labs пользователей.

Новое поколение Джобсов или как MediaTek создал свой маленький "Кикстартер"

Амбициозная цель компании MediaTek - сформировать сообщество разработчиков гаджетов из специалистов по всему миру и помочь им реализовать свои идеи в готовые прототипы. Уже сейчас для этого есть все возможности, от мини-сообществ, в которых можно посмотреть чужие проекты до прямых контактов с настоящими производителями электроники. Начать проектировать гаджеты может любой талантливый разработчик - порог входа очень низкий.

Семинар и тренинг "ФеST-TIваль инноваций: MAXIMум решений!" (14-15.10.2013, Новосибирск)

Компания Компэл, приглашает вас принять участие в семинаре и тренинге ?ФеST-TIваль инноваций: MAXIMум решений!?, который пройдет 14 и 15 октября в Новосибирске.

Мне нравится

Комментарии

дима пишет в теме Параметры биполярных транзисторов серии КТ827:

люди куплю транзистар кт 827А 0688759652

тамара плохова пишет в теме Журнал Радио 9 номер 1971 год. :

как молоды мы были и как быстро пробежали годы кулотино самое счастливое мое время

Ивашка пишет в теме Параметры отечественных излучающих диодов ИК диапазона:

Светодиод - это диод который излучает свет. А если диод имеет ИК излучение, то это ИК диод, а не "ИК светодиод" и "Светодиод инфракрасный", как указано на сайте.

Владимир пишет в теме 2Т963А-2 (RUS) со склада в Москве. Транзистор биполярный отечественный:

Подскажите 2т963а-2 гарантийный срок

Владимир II пишет... пишет в теме Параметры биполярных транзисторов серии КТ372:

Спасибо!

Журнал "Новости Электроники", номер 12, 2009 год.

International Rectifier на новом этапе развития

Олег Стариков (КОМПЭЛ)
В данном обзоре кратко освещены изменения, произошедшие в компании International Rectifier за последние два года и определены фокусные направления в группах продуктов. Особое внимание компания уделяет созданию высокотехнологичных продуктов и решений, в частности развитию MOSFETs с эталонными характеристиками.

Компания International Rectifier известна во всем мире как общепризнанный разработчик и производитель силовых электронных компонентов. Номенклатура изделий International Rectifier стала де-факто стандартом силовой электроники и широко используется независимыми производителями.

После продажи своего подразделения «Силовые приборы и системы» с оборотом $250 млн., в которое входили продукты, выполненные по морально устаревшим на сегодняшний день технологиям, компания International Rectifier усилила свои позиции, сфокусировавшись на создании инновационных высокотехнологичных продуктов и решений. В частности, - на создании новых MOSFET с эталонными характеристиками (Benchmark) в своем классе.

С первого марта 2008 г. президентом и CEO-компании International Rectifier стал выходец из России Олег Хайкин, один из ведущих специалистов по корпусированию и сборке полупроводниковых приборов. В результате усиления «русского элемента» (основатель International Rectifier - Эрик Лидов, выходец с территории бывшей Российской Империи) произошли следующие изменения:

Резюмируя вышесказанное, необходимо отметить, что сегодня компания International Rectifier, освободившись от «груза» устаревших технологий и продуктов, сфокусировалась на развитии инновационных технологий и создании новых, высокотехнологичных продуктов.

Так, на сегодняшний день новые IR MOSFET имеют эталонные характеристики (Benchmark) в своем классе приборов до 250 В, показывая лучшее в отрасли соотношение цена / качество. Недавно компания International Rectifier представила рынку новые MOSFETs, выполненные по новейшей Trench-технологии кристалла с ультранизким удельным сопротивлением канала ячейки. В результате этого снизилось сопротивление открытого канала RDS(on) до 2,5 раз по сравнению с предыдущим поколением. В Таблице 1 в качестве примера приведены характеристики нескольких типономиналов данного класса MOSFETs International Rectifier.

Таблица 1. Характеристики нескольких типономиналов новых IR MOSFET  
Наименование Канал Vds, В Rds(on), мОм Qg, нК Id (T=25°C), А Корпус
IRFP4004PBF N 40 1,7 220 195 TO-247AC
IRFP4368PBF N 75 1.85 380 195 TO-247AC
IRFP4468PBF N 100 2,6 360 195 TO-247AC
IRFP4568PBF N 150 5,9 151 171 TO-247AC
IRFP4668PBF N 200 9,7 161 130 TO-247AC

Высокие динамические характеристики и низкая мощность управления данных приборов в совокупности с низким сопротивлением открытого канала позволяют значительно уменьшить площадь теплоотвода и размеры проектируемого устройства в целом, а также получить большую выходную мощность устройства в пределах уже существующих габаритов.

Новые IR MOSFET в диапазоне напряжений 20...250 В выполнены в корпусах следующих видов: PQFN 5x6, SO-8, D-PAK, D2PAK, D2PAK-7, TO-220, TO-247, DirectFET.

Особенностями новых MOSFET, выполненных по технологии корпусирования кристалла DirectFET, являются максимальное соотношение «площадь кристалла»/«площадь корпуса» при высоте корпуса 0,7 мм и отсутствие «разварки» кристалла. Это способствует получению ультранизкого электрического сопротивления выводов корпуса и высокой тепловой эффективности приборов, то есть высокой рассеивающей способности корпуса, а также получению самой низкой среди указанных корпусов паразитной индуктивности.

Транзисторы в корпусе DirectFET предназначены в первую очередь для применения в блоках питания низкопрофильных электронных систем, а кроме того - для применения в высококачественных аудиоусилителях, в инверторах солнечных батарей, в приводах с батарейным питанием.

Более подробно с перечнем новых IR MOSFET с эталонными характеристиками можно ознакомиться на интернет-странице: http://compel.ru/images/producers/4/NEW_MOSFET_EU_V1.pdf.

Среди применений, для которых были разработаны новые IR MOSFET, можно выделить телекоммуникационные и промышленные импульсные источники питания, источники бесперебойного питания, DC/DC-преобразователи, промышленный тяговый привод постоянного тока с батарейным питанием 12...80 В, инверторы солнечных батарей, привод электроинструмента, силовая автоэлектроника.

Говоря о других традиционных продуктах International Rectifier, необходимо выделить 600-вольтовые Trench IGBT для высокоэффективных UPS и инверторов источников питания, а также 1200-вольтовые Trench IGBT, рекомендуемые для таких применений, как промышленный электропривод, индукционный нагрев, сварочные агрегаты, инверторы солнечных батарей.

На основе инновационных технологий применяемых в разработке кристаллов IGBT и корпусировании, компанией International Rectifier выпущены на рынок новые интеллектуальные силовые IGBT-модули серии IRAMxx ,предназначенные для использования в промышленном электроприводе и приводе бытовой техники мощностью до нескольких киловатт. Данный класс устройств также популярен при производстве привода небольшой мощности.

Компанией International Rectifier разработаны и выпускаются:

На сайте http://compel.ru/producers/ir/step размещен «Навигатор по MOSFET для новых разработок», обновляемый «Cross Reference по MOSFET», и информация о других группах продуктов International Rectifier, включая навигаторы по IGBT, HVIC и интеллектуальным ключам.

Получение технической информации, заказ образцов, поставка - e-mail: power.vesti@compel.ru

 

 

 

Вернуться к содержанию номера







Ваш комментарий к статье
Журнал "Новости Электроники", номер 12, 2009 год. :
Ваше имя:
Отзыв: Разрешено использование тэгов:
<b>жирный текст</b>
<i>курсив</i>
<a href="http://site.ru"> ссылка</a>