Распродажа

Электронные компоненты со склада по низким ценам, подробнее >>>

Журнал Компел

2010: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9
2009: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12
13, 14, 15, 16
2008: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12
13, 14, 15, 16
2007: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12
13, 14, 15, 16, 17, 18, 19, 20
2005: 
1, 2, 3

Новости электроники

В 14 раз выросло количество россиян на MediaTek Labs ? проекте по созданию устройств "интернета вещей" и "носимых гаджетов"

Сравнив статистику посещения сайта за два месяца (ноябрь и декабрь 2014 года), в MediaTek выяснили, что число посетителей ресурса из России увеличилось в 10 раз, а из Украины ? в 12. Таким образом, доля русскоговорящих разработчиков с аккаунтами на labs.mediatek.com превысила одну десятую от общего количества зарегистрированных на MediaTek Labs пользователей.

Новое поколение Джобсов или как MediaTek создал свой маленький "Кикстартер"

Амбициозная цель компании MediaTek - сформировать сообщество разработчиков гаджетов из специалистов по всему миру и помочь им реализовать свои идеи в готовые прототипы. Уже сейчас для этого есть все возможности, от мини-сообществ, в которых можно посмотреть чужие проекты до прямых контактов с настоящими производителями электроники. Начать проектировать гаджеты может любой талантливый разработчик - порог входа очень низкий.

Семинар и тренинг "ФеST-TIваль инноваций: MAXIMум решений!" (14-15.10.2013, Новосибирск)

Компания Компэл, приглашает вас принять участие в семинаре и тренинге ?ФеST-TIваль инноваций: MAXIMум решений!?, который пройдет 14 и 15 октября в Новосибирске.

Мне нравится

Комментарии

дима пишет в теме Параметры биполярных транзисторов серии КТ827:

люди куплю транзистар кт 827А 0688759652

тамара плохова пишет в теме Журнал Радио 9 номер 1971 год. :

как молоды мы были и как быстро пробежали годы кулотино самое счастливое мое время

Ивашка пишет в теме Параметры отечественных излучающих диодов ИК диапазона:

Светодиод - это диод который излучает свет. А если диод имеет ИК излучение, то это ИК диод, а не "ИК светодиод" и "Светодиод инфракрасный", как указано на сайте.

Владимир пишет в теме 2Т963А-2 (RUS) со склада в Москве. Транзистор биполярный отечественный:

Подскажите 2т963а-2 гарантийный срок

Владимир II пишет... пишет в теме Параметры биполярных транзисторов серии КТ372:

Спасибо!

Журнал "Новости Электроники", номер 7, 2010 год.

Когда рынок восстановился, компания была готова к серьезному росту

Бертольд Дюкер
Редактор ╚Новостей электроники╩ беседует с вице-президентом компании International Rectifier по продажам в Восточной Европе Бертольдом Дюкером о новых перспективах IR, рынке MOSFETs, модулях на базе нитрида галлия и о высоконадежной продукции HiRel.

Геннадий Каневский: Сказался ли мировой экономический кризис на бизнесе компании International Rectifier, и повлиял ли он на стратегию развития IR?

Бертольд Дюкер: Как и многие производители полупроводников, IR столкнулась с серьезным падением рыночного спроса во время последнего мирового финансового кризиса. Однако в этот сложный период компания приняла ряд мер для оптимизации линейки своих продуктов, а также контролировала оперативные расходы, продолжая инвестировать в новые разработки. Все это позволило подготовить компанию к серьезному росту, когда рынок восстановился.

Г.К.: Какие рынки в мире Вы видите наиболее перспективными в ближайшем будущем для реализации своей продукции? Считаете ли Вы таковым российский рынок?

Б.Д.: Помимо китайского, многообещающий рост демонстрируют рынки Индии, Бразилии, России и Восточной Европы в целом. У российского рынка - огромный потенциал. Компания IR представлена в России с 1996 года, и за последние несколько лет российский рынок дистрибьюции существенно вырос.

Г.К.: В России большую долю рынка составляют добывающие отрасли (нефте- и газодобыча), атомная энергетика, связь и транспорт (в том числе морской и речной флот). Здесь большим спросом пользуется высоконадежная HiRel-продукция, в производстве которой компания IR традиционно сильна. Каковы перспективы этого направления на российском рынке?

Б.Д.: Я бы добавил к списку отраслей, где управление электропитанием требует особой надежности и функциональности в жестких условиях эксплуатации, еще и производство космической и авиационной техники, а также медицинского оборудования. Покупатели в этих отраслях нуждаются в высокопроизводительных решениях от надежного и стабильного поставщика. В соответствии с этими требованиями IR предлагает широкий диапазон продукции от дискретных полупроводников и ИС до гибридных изделий и полностью интегрированных систем электропитания.

У России в этом сегменте рынка - многообещающий потенциал для динамичного роста. Растущий поток инвестиций Российского правительства и частного бизнеса способствует нарастанию спроса на высоконадежные компоненты.

Г.К.: Будет ли IR восстанавливать производство высоковольтных MOSFETs и возвращать себе утраченные позиции по этим транзисторам? Способна ли компания опередить конкурентов в этой области?

Б.Д.: Высоковольтные MOSFETs дают менее 30% мирового рынка, а с точки зрения прибыли они гораздо менее привлекательны по сравнению с низко- и средневольтными FETs. К тому же, разработчики и технологи достигли предела физических возможностей кремния. Таким образом, дальнейшее повышение производительности высоковольтных MOSFET не оправдывает затрат и технически становится все более сложным.

Чтобы преодолеть ограничения кремния, в сентябре 2008 года компанией IR была запущена технологическая платформа собственной разработки для силовых устройств на базе нитрида галлия "GaNpowIR", основанная на 150-мм эпитаксиальной технологии «нитрид галлия на кремнии» (GaN-on-Si). Платформа GaNpowIR предоставляет потребителям существенно лучшие ключевые показатели (до десяти раз) по сравнению с современными технологическими платформами на базе кремния, что значительно повышает производительность и снижает энергопотребление приложений в различных секторах рынка, таких, как компьютеры и оборудование связи, автомобильная электроника и потребительская техника.

В феврале 2010 года мы начали серийное производство первых продуктов на базе GaN-on-Si. Это силовые модули iP2010 и iP2011, предназначенные для мультифазных и POL-применений, включая серверы, роутеры и POL DC/DC-преобразователи общего применения.

Г.К.: Очевидно, что у IR главным фокусным направлением является производство MOSFETs напряжением от 20 до 250 В, примерно половина продаж приходится именно на них. Что нового следует ожидать в их линейке?

Б.Д.: Мы предлагаем покупателям большую линейку силовых MOSFETs с использованием новейших кремниевых технологий IR, обеспечивающих эталонную производительность в широком диапазоне напряжений. У этих изделий - различные уровни RDS(on) и заряда затвора, и покупатель может выбрать оптимальное сочетание производительности и цены для своей разработки.

Что касается новых продуктов - мы будем продолжать повышать их производительность. К примеру, мы продолжим улучшать критические параметры эталонных MOSFETs в корпусах Small Can, Medium Can и Large Can DirectFET®. К примеру, мы недавно запустили в производство транзистор IRF6798MPbF в корпусе Medium Can DirectFET, и он имеет показатель Rds(on) менее 1 мОм, что обеспечивает очень высокий КПД во всем диапазоне нагрузки.

Мы также представили MOSFETs в корпусах PQFN с использованием технологии Copper Clip. Эти изделия высотой всего 0,9 мм со стандартной индустриальной распиновкой характеризуются высоким значением тока и низким RDS(on), результатом чего являются более высокие по сравнению с альтернативными дискретными решениями КПД, плотность мощности и надежность. Это позволяет применять новые изделия там, где существенно ограничено свободное место на плате.

Вернуться к содержанию номера







Ваш комментарий к статье
Журнал "Новости Электроники", номер 7, 2010 год. :
Ваше имя:
Отзыв: Разрешено использование тэгов:
<b>жирный текст</b>
<i>курсив</i>
<a href="http://site.ru"> ссылка</a>