Журнал "Новости Электроники", номер 7, 2010 год СодержаниеСодержание, 7 номер 2010 год
От редактора
Бренд номера:
International Rectifier
Когда рынок восстановился, компания была готова к серьезному росту
Редактор ╚Новостей электроники╩ беседует с вице-президентом компании International Rectifier по продажам в Восточной Европе Бертольдом Дюкером о новых перспективах IR, рынке MOSFETs, модулях на базе нитрида галлия и о высоконадежной продукции HiRel.
International Rectifier √ лидер в управлении питанием и мощностью
В статье приведен краткий обзор продукции компании International Rectifier, которая находит применение в устройствах преобразования электрической энергии, например, в синхронных выпрямителях, мощных инверторах постоянного и переменного тока, импульсных источниках питания, электроприводе и бытовой технике.
DC/DC-преобразователи SupIRBuck поколения Gen2 в распределенных системах электропитания
В статье рассматриваются вопросы применения синхронных понижающих DC/DC-преобразователей компании International Rectifier в распределенных системах электропитания. Особое внимание уделяется новым микросхемам поколения Gen2: сериям IR383x, IR384x и IR387x, которые позволяют значительно уменьшить площадь, занимаемую на печатной плате.
Универсальный электронный балласт газоразрядных ламп высокой интенсивности
В статье рассматривается новинка компании International Rectifier в области управления газоразрядными лампами высокой эффективности (HID)═ √ электронный балласт IRS2573D, а также описываются основные функции и режимы работы микросхемы. Новое изделие совмещает в одном корпусе управление понижающим и мостовым преобразователями.
Продукция класса HiRel компании International Rectifier
В статье рассказывается о преимуществах HiRel-продукции компании International Rectifier. В ее состав входят дискретные приборы, интегральные микросхемы и модули, использующиеся в коммерческих, военных, аэрокосмических и других применениях, требующих высокой функциональной надежности.
Новинки MOSFET в стандартных корпусах
В течение последнего десятилетия внедрение компанией International Rectifier TrenchFET-технологии изготовления полевых транзисторов привело к появлению MOSFET, сочетающих в себе как ультранизкое сопротивление открытого канала, так и улучшенные динамические характеристики. В статье рассказывается о новых изделиях, пополнивших линейку MOSFET компании International Rectifier в самое последнее время.
Преимущества транзисторов в корпусах DirectFET
Большой объем исследований в области корпусирования мощных полупроводниковых приборов ведется компанией International Rectifier, которая в настоящее время выпускает лучшие в отрасли по соотношению ╚цена-качество╩ MOSFET-транзисторы. В статье рассматривается технология корпусирования DirectFET, которая обеспечивает рекордную для отрасли эффективность корпуса транзисторов.
Преимущества силовых приборов на базе GaN от International Rectifier
Размер готового решения можно уменьшить в два раза благодаря сокращению количества пассивных компонентов и использованию меньших индуктивностей. Стремясь к инновациям, сотрудники International Rectifier разработали принципиально новую технологию производства силовых приборов на основе нитрида галлия (GaN), комплексный показатель качества (FOM) которых в несколько раз превосходит современные кремниевые MOSFET. Рентабельные устройства на основе GaN помогут создавать готовые решения, которые сделают прорыв в увеличении КПД силовых устройств. О новой технологии и изделиях на ее базе рассказывает вице-президент Emerging Technologies Group компании IR.
| Ваш комментарий к статье | ||||
