Приложение

Параметр

Обозначение

Si

Ge

GaAs

InSb

Ширина запрещенной зоны, эВ

300 К

E_g

1,12

0,66

1,43

0,18

0 К

1,21

0,80

1,56

0,23

Подвижность при 300 К, см²∙В^-1∙с^-1

электронов

μ_n

1500

3900

8500

78000

дырок

μ_p

600

1900

400

5000

Эффективная масса

электронов

m_dn^*

1,08

0,56

0,068

0,013

дырок

m_dp^*

0,56

0,35

0,45

0,6

Эффективная плотность состояний в зоне проводимости, см^-3

N_C

2,8∙10¹⁹

1,04∙10¹⁹

4,7∙10¹⁷

3,7∙10¹⁶

Эффективная плотность состояний в валентной зоне, см^-3

N_V

1,02∙10¹⁹

6,11∙10¹⁸

7,0∙10¹⁸

1,16∙10¹⁹

Диэлектрическая постоянная

ε_s

11,9

16,0

10,9

17,0

Электронное сродство

χ

4,05

4,00

4,07

4,60

Собственная концентрация носителей, см^-3

n_i

1,6∙10¹⁰

2,5∙10¹³

1,1∙10⁷

2,0∙10¹⁶

Время жизни носителей, с

τ

2,5∙10^-3

1,0∙10^-3

1∙10^-8

1∙10^-8

Дебаевская длина, мкм

L_d

24

0,68

2250

Показатель преломления

n

3,44

4,0

3,4

3,75

Температурный коэффициент

α

2,4∙10^-4

3,9∙10^-4

4,3∙10^-4

2,8∙10^-4

Mg

Al

Ni

Cu

Ag

Au

Pt

3,4

4,1

4,5

4,4

4,3

4,7

5,3

E_g, эВ

ε_ст

ε_∞

ρ, г^-1∙см^-3

E_пр, В/см

SiO₂

9,0

3,82

2,13

2,33

1,2∙10⁷

Si₃N₄

5,1

6,5

4,2

3,11

6,0∙10⁶

Ta₂O₅

4,5

27

5,0

8,53

6,0∙10⁶