2.4. Концентрация электронов и дырок в области пространственного заряда

Рассчитаем, как меняется концентрация электронов и дырок в области пространственного заряда. Для определенности рассмотрим полупроводник n-типа. В условиях термодинамического равновесия концентрация основных n_n0 и неосновных p_n0 носителей выражается следующим образом (2.15)

Обозначим q/kT = β, тогда

   (2.15)

Для области пространственного заряда объемное положение уровня Ферми (x) меняется от точки к точке φ(x)= φ_on-ψ(x), как и концентрация основных n_n0(x), так и неосновных носителей p_n0(x).

С учетом зависимости φ(x)= φ_on - ψ(x), выражения для концентраций будут:

   (2.16)

Величины n_s и p_s - концентрации электронов и дырок на поверхности, носят названия поверхностных концентраций:

   (2.17)