Из изученных и применяемых полупроводниковых материалов перечисленным требованиям наиболее соответствует арсенид галлия n-типа.

   Рассмотрим междолинный переход электронов в арсениде галлия. Если напряжённость поля в образце мала, то все электроны находятся в нижней долине зоны проводимости (в центре зоны Бриллюэна). Поскольку средняя тепловая энергия электронов значительно меньше энергетического зазора между дном верхней и нижней долин, они не переходят в верхнюю долину (рис. 8.1).

Рис. 8.1. Схематическая диаграмма, показывающая энергию электрона в зависимости от волнового числа в области минимумов зоны проводимости арсенида галлия n-типа

   Электроны нижней долины имеют малую эффективную массу m₁^* и высокую подвижность μ₁. Плотность тока, протекающего через образец, определяется концентрацией электронов в нижней долине n₁ (n₁ = n₀, где n₀ - равновесная концентрация электронов в полупроводнике):

   (8.1)

С ростом электрического поля возрастает скорость дрейфа электронов. На длине свободного пробега l электроны приобретают энергию eEl, отдавая при столкновениях с фононами кристаллической решётки меньшую энергию. Когда напряжённость поля достигает порогового значения E_П, появляются электроны, способные переходить в верхнюю долину зоны проводимости.

Дальнейшее увеличение поля приводит к росту концентрации электронов в верхней долине. Переход из нижней долины в верхнюю сопровождается значительным ростом эффективной массы и уменьшением подвижности, что ведёт к уменьшению скорости дрейфа. При этом на вольт-амперной характеристике образца появляется участок с отрицательным дифференциальным сопротивлением (ОДС) (рис. 8.2).

Рис. 8.2. N-образная вольт-амперная характеристика: E - электрическое поле, создаваемое приложенной разностью потенциалов; J - плотность тока

Для возникновения отрицательного дифференциального сопротивления необходим одновременный переход большинства электронов из центральной долины в боковую при пороговой напряженности электрического поля (рис. 8.3). Но получить статическую ВАХ, соответствующую сплошной кривой, не удается, так как в кристалле или около невыпрямляющих контактов всегда есть неоднородности, в результате чего возникают локальные напряженности электрического поля, превышающие среднюю напряженность. Превращение в этих местах "легких" электронов в "тяжелые" еще больше увеличивает неоднородность электрического поля. Поэтому практически не получается одновременного перехода большинства электронов в кристалле из центральной долины в боковую и статическая ВАХ остается без участка с ОДС.

Рис. 8.3. Распределение электронов при различных значениях напряженности поля