Обозначения приборных параметров

 

Ниже приводятся обозначения основных параметров полупроводниковых приборов в соответствии с действующими стандартами, а также наиболее часто используемые в международной документации и других изданиях.

Для обозначения амплитудных значений добавляют индекс m. Например: I_em - амплитудный ток эмиттера.

Для обозначения максимально (минимально) допустимых значений добавляют индексы max, min.

 

Диод выпрямительный

 

C - емкость диода

C_Б - барьерная емкость

C_D - диффузионная емкость

C_п C_d - емкость перехода диода

C_д C_tot - общая емкость диода

I_экр I_ут I_D - ток утечки

I_пр I_F - постоянный прямой ток

I_обр I_R - постоянный обратный ток

I_f - прямой ток

I_fsm - прямой ток перегрузки

I_r - постоянный обратный ток

К - коэффициент выпрямления

P_макс P_max - максимально допустимая мощность

r_диф R_d r - дифференциальное сопротивление

r_D - дифференциальное характеристическое сопротивление диода

R_D - дифференциальное сопротивление диода по постоянному току

U_пр U_F - постоянное прямое напряжение

U_обр U_R - постоянное обратное напряжение

U_r - обратное напряжение

U_f - постоянное прямое напряжение

U_откр U_ост U_T - остаточное напряжение

 

Диод импульсный

 

I_f - прямой ток

I_fm - импульсный прямой ток

P_и.макс P_{имп.макс} P_{M макс} - максимально допустимая импульсная мощность

T_rr - время обратного восстановления

U_r - обратное напряжение

U_f - прямое напряжение

 

Варикап

 

C_tot - общая емкость

К_с - коэффициент перекрытия по емкости

Q - добротность варикапа

U_r - обратное напряжение

 

Тиристор

 

U_вкл - напряжение включения

U_перекл - напряжение переключения

α - суммарный коэффициент передачи тока первого и второго транзисторов

 

Тринистор

 

I_упр - управляющий ток базы

 

Стабилитрон

 

I_ст I_Z - ток стабилизации

Р - рассеиваемая мощность

R_диф - дифференциальное сопротивление

r_ст r_Z - дифференциальное сопротивление стабилитрона

U_стаб U_ст U_z U_Z - напряжение стабилизации

 

Туннельный диод

 

E_пр - напряженность электрического поля пробоя

 

Диод Ганна

 

E_пор - пороговая напряженность электрического поля

P - генерируемая мощность

W - длина образца

 

Транзистор

 

P - мощность, рассеиваемая в приборе

P_вых P_out - выходная мощность

U_вх U_in, U_BE - входное напряжение

 

Биполярный транзистор

 

E_к E_C - напряжение источника питания коллекторной цепи

h₁₁ - входное сопротивление при коротком замыкании на выходе

h₂₂ - выходная проводимость при холостом ходе во входной цепи

h₁₂ - коэффициент обратной связи при холостом ходе во входной цепи

h₂₁ - коэффициент передачи тока при коротком замыкании на выходе

I_К I_к I_C - ток коллектора

I_Б I_б I_B - ток базы

I_Э I_э I_E - ток эмиттера

I_КБ0 I_к0 I_CB0 - обратный ток коллектора

I_ЭБ0 I_э0 I_EB0 - обратный ток эмиттера

 - ширина обедненной области биполярного транзистора

R_б R_B - сопротивление в цепи базы

r_б - объемное сопротивление базы

r_б r_bb - сопротивление базы

r_э - сопротивление эмиттерного перехода

r_к - сопротивление коллекторного перехода

U_кб U_CB - напряжение между коллектором и базой

U_кэ U_CE - напряжение между коллектором и эмиттером

U_эб U_EB - напряжение между эмиттером и базой

W - ширина базы биполярного транзистора

y₁₁, y₂₂- входная и выходная проводимости

y₁₂, y₂₁ - проводимости обратной и прямой передач

z₁₁, z₂₂ - входное и выходное сопротивления

z₁₂, z₂₁ - сопротивления обратной и прямой передач

α - коэффициент передачи тока эмиттера

β - коэффициент усиления

μ_эк - коэффициент обратной связи эмиттер-коллектор

γ - коэффициент инжекции, или эффективность эмиттера

χ - коэффициент переноса

η - коэффициент неоднородности базы

 

Полевой транзистор

 

С_ox - удельная емкость подзатворного диэлектрика

I_с I_D - ток стока

I_з I_G - ток затвора

I_DS - ток канала исток-сток

R₀ - омическое сопротивление

R_i - внутреннее сопротивление

S - крутизна характеристики

U_зи U_GS - напряжение затвор‑исток

U_си U_DS - напряжение исток - сток

U_зс U_DG - напряжение сток - затвор

U_{ЗИ пор} U_пор U_{GS (th)} V_T - пороговое напряжение

U_{ЗИ отс} U_отс U_{GS (off)} - напряжение отсечки

V_ox - падение напряжения на окисном слое

V_Т - пороговое напряжение

V_SS - напряжение, приложенное к подложке

m - коэффициент усиления

 

Тепловые параметры

 

R_thja - общее тепловое сопротивление диода или транзистора

R_thjc - тепловое сопротивление переход - корпус транзистора

R_thca - тепловое сопротивление корпус - окружающая среда

 

КНИ K_f - коэффициент нелинейных искажений

Copyright © 2003-2008  Авторы