5.11. Объемное сопротивление базы

Объемное сопротивление базы БТ в схеме с общей базой определяется чисто геометрическими особенностями конструкции БТ. Для сплавного транзистора, как показано на рисунке 5.14, общее сопротивление будет складываться из сопротивления активной (1), промежуточной (2) и пассивной (3) областей.

Рис. 5.14. Схема БТ, иллюстрирующая расчет объемного сопротивления базы [15]

Геометрический ряд этих сопротивлений дает значение:
, где в скобках первое слагаемое - сопротивление цилиндра, второе - сопротивление одного кольца, третье - сопротивление другого кольца. Независимость от ширины цилиндра связана с тем, что ток базы рекомбинационный и зависит от объема вещества. Подставляя параметры: ρ_б = 5 Ом·см; W₁ =50 МОм; W₂ = 5W₁; W₃ = 9W₁; R₂ = 1,5R₁; R₃ = 5R₁, получаем r_б = 150 Ом.