Барьеры Шоттки и pn-переходы - Начальная страницаТвердотельная электроника. Учебное пособие.
Глава 2. Барьеры Шоттки, p-n переходы и гетеропереходы
- 2.1. Ток термоэлектронной эмиссии
- 2.2. Термодинамическая работа выхода в полупроводниках p- и n-типов
- 2.3. Эффект поля, зонная диаграмма при эффекте поля
- 2.4. Концентрация электронов и дырок в области пространственного заряда
- 2.5. Дебаевская длина экранирования
- 2.6. Контакт металл-полупроводник. Барьер Шоттки
- 2.7. Зонная диаграмма барьера Шоттки при внешнем напряжении
- 2.8. Распределение электрического поля и потенциала в барьере Шоттки
- 2.9. Вольт-амперная характеристика барьера Шоттки
- 2.10. Образование и зонная диаграмма р-n перехода
- 2.11. Компоненты тока и квазиуровни Ферми в р-n переходе
- 2.12. Вольт-амперная характеристика р-n перехода
- 2.13. Гетеропереходы
doc-версия
pdf-версия
Copyright © 2003-2008 Авторы
| Ваш комментарий к статье | ||||
