Основные обозначения

 

А - постоянная Ричардсона

С - электрическая емкость

C_B - барьерная емкость p-n перехода

C_D - диффузионная емкость p-n перехода

C_FB - емкость плоских зон

C_p - емкость свободных дырок

C_sc - емкость области пространственного заряда

D_{n (p)} - коэффициент диффузии электронов (дырок)

d_ox - толщина подзатворного диэлектрика МДП-структуры

E_C - энергия дна зоны проводимости

E_{D (A)} - энергия донорных (акцепторных) уровней

E_g - ширина запрещенной зоны полупроводника

E_i - энергия середины запрещенной зоны

E_s - величина электрического поля на поверхности

E_t - энергия поверхностных состояний, отсчитанная от середины запрещенной зоны

E_V - энергия потолка валентной зоны

F - энергия уровня Ферми

F_{n (p)} - квазиуровень Ферми для электронов (дырок)

F_s - величина энергии Ферми на поверхности полупроводника

f_{c (v)} - неравновесная функция распределения для электронов в зоне проводимости (в валентной зоне)

G_{n (p)} - темп генерации свободных электронов (дырок) в полупроводнике

DG - темп генерации неравновесных электронов и дырок в полупроводнике

H - оператор Гамильтона

h - постоянная Планка

_ - постоянная Планка, деленная на 2π

I - сила тока

I_см - величина тока смещения

J - плотность электрического тока

J_p(n) - дырочная (электронная) компонента тока

J_s - плотность тока насыщения диода

J_ген - генерационный ток

J_рек - рекомбинационный ток

j_nE - дрейфовая компонента электронного тока

j_nD - диффузионная компонента электронного тока

j_pE - дрейфовая компонента дырочного тока

j_pD - диффузионная компонента дырочного тока

j_{п/п (Me)} - плотность тока термоэлектронной эмиссии с поверхности полупроводника (металла)

L_D - длина экранирования Дебая

L_p - диффузионная длина

m₀ - масса изолированного электрона

m_{n (p)}^* - эффективная масса электрона (дырки)

N_{C (V)} - эффективная плотность состояний в зоне проводимости (в валентной зоне)

N_{D (A)} - концентрация легирующей донорной (акцепторной) примеси

N_M - плотность зарядов на металлической плоскости единичной площади

N_ss - плотность моноэнергетических состояний

N_t - концентрация рекомбинационных центров; плотность поверхностных состояний

n_n - неравновесная концентрация электронов как основных носителей в полупроводнике n-типа

n_n0 - равновесная концентрация электронов как основных носителей в полупроводнике n-типа

n_p - неравновесная концентрация электронов как неосновных носителей в полупроводнике p-типа

n_p0 - равновесная концентрация электронов как неосновных носителей в полупроводнике p-типа

Dn - избыточная концентрация электронов

n_i - собственная концентрация носителей заряда

n_s - поверхностная концентрация электронов

p_n - неравновесная концентрация дырок

p_n0 - равновесная концентрация дырок

p_s - поверхностная концентрация дырок

Q - электрический заряд на единицу площади

Q_B - заряд ионизованных доноров и акцепторов в ОПЗ на единицу площади

Q_M - заряд на металлическом электроде

Q_n - заряд свободных электронов

Q_sс - заряд в области пространственного заряда

Q_ss - заряд поверхностных состояний

R - темп рекомбинации

R_н - сопротивление нагрузки

R_D - дифференциальное сопротивление диода по постоянному току

r_D - дифференциальное характеристическое сопротивление диода

S - площадь

Т - абсолютная температура

T_e - электронная температура

t - время

U - потенциальная энергия электронов; разность потенциалов

U_к - контактная разность потенциалов

V - объем кристалла

V_G - напряжение, приложенное к затвору полевого транзистора

V_FB - напряжение на затворе МДП-структуры, соответствующее нулевому значению поверхностного потенциала в полупроводнике

V_ox - напряжение, приложенное к оксиду

V_T - пороговое напряжение на затворе

W - толщина квазинейтрального объема базы диода или транзистора

υ - скорость

x, y, z - пространственные координаты

 

b = q/kT

Γ_{n (p)} - избыток электронов (дырок)

g - коэффициент рекомбинации

ε - относительная диэлектрическая проницаемость

e₀ - электрическая постоянная

e_s - относительная диэлектрическая проницаемость полупроводника

κ - коэффициент переноса

λ - длина свободного пробега; длина волны света

μ_{n (p)} - подвижность электронов (дырок)

ν - частота света

r - удельное сопротивление

σ - удельная электрическая проводимость

σ_n(p) - электронная (дырочная) компонента проводимости

t - время жизни неравновесных носителей

t_м - время релаксации Максвелла

τ_n - время жизни неосновных носителей в области пространственного заряда

υ - скорость

Ф - термодинамическая работа выхода

Ф_Ме - термодинамическая работа выхода из металла

Ф_n(p) - термодинамическая работа выхода в полупроводниках n(p)-типа

φ - электрический потенциал

φ₀ - расстояние от уровня Ферми до середины запрещенной зоны в квазинейтральном объеме полупроводника

Δφ_ms - контактная разность потенциалов

φ_n(p) - объемное положение уровня Ферми

χ - электронное сродство полупроводника

ψ - волновая функция

ψ_s - поверхностный потенциал

ω - частота измерительного сигнала