Твердотельная электроника - Подробное оглавлениеТвердотельная электроника. Учебное пособие.
Подробное оглавление
- Глава 1. Необходимые сведения из физики твердого тела и физики полупроводников
- 1.1. Зонная структура полупроводников
- 1.2. Терминология и основные понятия
- 1.3. Статистика электронов и дырок в полупроводниках
- 1.4. Концентрация электронов и дырок в собственном полупроводнике
- 1.5. Концентрация электронов и дырок в примесном полупроводнике
- 1.6. Определение положения уровня Ферми
- 1.7. Проводимость полупроводников
- 1.8. Токи в полупроводниках
- 1.9. Неравновесные носители
- 1.10. Уравнение непрерывности
- Глава 2. Барьеры Шоттки и р-n переходы
- 2.1. Ток термоэлектронной эмиссии
- 2.2. Термодинамическая работа выхода в полупроводниках p- и n-типов
- 2.3. Эффект поля, зонная диаграмма при эффекте поля
- 2.4. Концентрация электронов и дырок в области пространственного заряда
- 2.5. Дебаевская длина экранирования
- 2.6. Контакт металл-полупроводник. Барьер Шоттки
- 2.7. Зонная диаграмма барьера Шоттки при внешнем напряжении
- 2.8. Распределение электрического поля и потенциала в барьере Шоттки
- 2.9. Вольт-амперная характеристика барьера Шоттки
- 2.10. Образование и зонная диаграмма р-n перехода
- 2.11. Компоненты тока и квазиуровни Ферми в р-n переходе
- 2.12. Вольт-амперная характеристика р-n перехода
- 2.13. Гетеропереходы
- Глава 3. Физика поверхности и МДП-структуры
- 3.1. Область пространственного заряда (ОПЗ) в равновесных условиях
- 3.2. Заряд в области пространственного заряда
- 3.3. Емкость области пространственного заряда
- 3.4. Влияние вырождения на характеристики ОПЗ полупроводника
- 3.5. Поверхностные состояния
- 3.6. Вольт-фарадные характеристики структур МДП
- 3.7. Флуктуации поверхностного потенциала в МДП-структурах
- Глава 4. Полупроводниковые диоды
- 4.1. Характеристики идеального диода на основе p-n перехода
- 4.2. Варикапы
- 4.3. Влияние генерации, рекомбинации и объемного сопротивления базы на характеристики реальных диодов
- 4.4. Стабилитроны
- 4.5. Туннельный и обращенный диоды
- 4.6. Переходные процессы в полупроводниковых диодах
- Глава 5. Биполярные транзисторы
- 5.1. Общие сведения. История вопроса
- 5.2. Основные физические процессы в биполярных транзисторах
- 5.3. Формулы Молла-Эберса
- 5.4. Вольт-амперные характеристики биполярного транзистора в активном режиме
- 5.5. Дифференциальные параметры биполярных транзисторов в схеме с общей базой
- 5.6. Коэффициент инжекции
- 5.7. Коэффициент переноса. Фундаментальное уравнение теории транзисторов
- 5.8. Дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода
- 5.9. Дифференциальное сопротивление коллекторного перехода
- 5.10. Коэффициент обратной связи
- 5.11. Объемное сопротивление базы
- 5.12. Тепловой ток коллектора
- 5.13. Биполярный транзистор в схеме с общим эмиттером
- 5.14. Эквивалентная схема биполярного транзистора
- 5.15. Составные транзисторы. Схема Дарлингтона
- 5.16. Дрейфовые транзисторы
- 5.17. Параметры транзистора как четырехполюсника. h-параметры
- 5.18. Частотные и импульсные свойства транзисторов
- Глава 6. Полевые транзисторы
- 6.1. Характеристики МОП ПТ в области плавного канала
- 6.2. Характеристики МОП ПТ в области отсечки
- 6.3. Эффект смещения подложки
- 6.4. Малосигнальные параметры
- 6.5. Эквивалентная схема и быстродействие МДП-транзистора
- 6.6. Методы определения параметров МОП ПТ из характеристик
- 6.7. Подпороговые характеристики МДП-транзистора
- 6.8. Учет диффузионного тока в канале
- 6.9. Неравновесное уравнение Пуассона
- 6.10. Уравнение электронейтральности в неравновесных условиях
- 6.11. Вольт-амперная характеристика МДП-транзистора в области сильной и слабой инверсии
- 6.12. МДП-транзистор как элемент памяти
- 6.13. МНОП-транзистор
- 6.14. МОП ПТ с плавающим затвором
- 6.15. Приборы с зарядовой связью
- 6.16. Полевой транзистор с затвором в виде р-n перехода
- 6.17. Микроминиатюризация МДП-приборов
- 6.18. Физические явления, ограничивающие микроминиатюризацию
- 6.19. Размерные эффекты в МДП-транзисторах
- Глава 7. Тиристоры
- 7.1. Общие сведения
- 7.2. Вольт-амперная характеристика тиристора
- 7.3. Феноменологическое описание ВАХ динистора
- 7.4. Зонная диаграмма и токи диодного тиристора в открытом состоянии
- 7.5. Зависимость коэффициента передачи α от тока эмиттера
- 7.6. Зависимость коэффициента М от напряжения VG. Умножение в коллекторном переходе
- 7.7. Тринистор
- 7.8. Феноменологическое описание ВАХ тринистора
- Глава 9. Классификация и обозначения полупроводниковых приборов
- 9.1. Условные обозначения и классификация отечественных полупроводниковых приборов
- 9.2. Условные обозначения и классификация зарубежных полупроводниковых приборов
- 9.3. Графические обозначения и стандарты
- 9.4. Условные обозначения электрических параметров и сравнительные справочные данные полупроводниковых приборов
Copyright © 2003-2008 Авторы
| Ваш комментарий к статье | ||||
