Твердотельная электроника - Примерные экзаменационные вопросыТвердотельная электроника. Учебное пособие.
Примерные экзаменационные вопросы
I. Необходимые сведения из физики твердого тела и физики полупроводников1. Зонная структура полупроводников.
2. Статистика электронов и дырок в полупроводниках.
3. Концентрация электронов в собственном полупроводнике.
4. Концентрация электронов и дырок в примесном полупроводнике.
5. Неравновесные носители.
6. Уравнение непрерывности.
II. Барьеры Шоттки и р-n переходы
1. Термодинамическая работа выхода.
2. Эффект поля. Зонная диаграмма при эффекте поля.
3. Контакт металл-полупроводник. Барьер Шоттки.
4. Концентрация электронов и дырок в области пространственного заряда.
5. Дебаевская длина экранирования.
6. Распределение электрического поля и потенциала в барьере Шоттки.
7. Барьер Шоттки при приложенном внешнем напряжении.
8. ВАХ барьера Шоттки.
9. Образование р-n перехода. Поле и потенциал р-n перехода.
10. ВАХ р-n перехода, компоненты тока в р-n переходе.
11. Емкость р-n перехода. Варикапы.
12. Характеристические сопротивления р-n перехода. Эквивалентная схема.
III. Полупроводниковые диоды
1. Характеристики реальных диодов. Влияние генерации, рекомбинации и объемного сопротивления базы на ВАХ диода.
2. Стабилитроны.
3. Туннельные и обращенные диоды.
4. Переходные процессы в полупроводниковых диодах.
IV. Биполярные транзисторы
1. Общие сведения. История вопроса.
2. Основные физические процессы в биполярных транзисторах.
3. Формулы Молла-Эберса.
4. ВАХ биполярных транзисторов в активном режиме.
5. Дифференциадьные параметры биполярных транзисторов в схеме с общей базой.
6. Коэффициент инжекции.
7. Коэффициент переноса. Фундаментальное уравнение теории транзисторов.
8. Дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода.
9. Дифференциальное сопротивление коллекторного перехода.
10. Коэффициент обратной связи эмиттер-коллектор.
11. Тепловой ток коллектора.
12. Эквивалентная схема биполярного транзистора в схеме с общей базой.
13. Биполярный транзистор в схеме общим эмиттером.
14. Составные транзисторы. Схема Дарлингтона.
15. Дрейфовые транзисторы.
16. h-параметры. Однопереходные транзисторы.
17. Амплитудные и фазочастотные характеристики биполярного транзистора в схеме с общей базой.
18. Апроксимация амплитудной зависимости коэффициента передачи RC-цепочкой.
19. Амплитудные и фазочастотные характеристики биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером.
V. Полевые транзисторы
1. Конструкция, принцип действия МДП-транзисторов.
2. ВАХ МДП-транзистора в режиме плавного канала.
3. ВАХ МДП-транзистора в области отсечки.
4. Эффект модуляции длины канала.
5. Эффект влияния подложки.
6. Дифференциальные параметры МДП-транзистора.
7. Эквивалентная схема и быстродействие МДП-транзистора.
8. Физико-технологические методы увеличения быстродействия и коэффициента усиления.
9. Полевой транзистор с затвором в виде р-n перехода и барьера Шоттки.
VI. Тиристоры
1. Общие сведения (определение, обозначение, динистор, тринистор).
2. Зонная диаграмма динистора на различных участках ВАХ.
3. Зависимость коэффициента передачи эмиттерного тока от напряжения.
4. ВАХ тиристора, управление током базы.
VII. Диоды Ганна
1. Общие сведения (определение, физические основы).
2. Статистическая ВАХ арсенида галия.
3. Зарядовые неустойчивости в приборах с отрицательным дифференциальным сопротивлением.
4. Генерация СВЧ колебаний в диодах Ганна.
VIII. Оптоэлектронные приборы
1. Определение. Виды оптоэлектронных приборов.
2. Критерии выбора полупроводниковых материалов для оптоэлектронных устройств.
3. Светодиоды.
4. Полупроводниковые лазеры.
5. Гетеропереходы. Лазеры с двойной гетероструктурой.
6. Фотоприемниики (определение, характеристики, выбор материала).
7. Фоторезистор.
8. Фотодиод, р-i-n фотодиод. Фотодиоды на гетероструктурах и барьерах Шоттки. Лавинные фотодиоды.
9. Фотоприемники на основе МДП структур.
10. Фототиристор. Фототранзистор. Оптрон.
11. Солнечные батареи:
а) характеристики излучения Солнца;
б) идеальный коэффициент преобразования солнечных батарей;
в) конструкция и характеристики солнечных батарей на р-n переходе;
г) солнечные батареи на барьерах Шоттки и МДП структурах.
IX. Классификация и обозначения полупроводниковых приборов
1. Буквенно-цифровой код системы обозначений.
2. Графические обозначения и стандарты.
3. Справочные данные.
Copyright © 2003-2008 Авторы
| Ваш комментарий к статье | ||||
