Диоды Ганна - Общие сведенияТвердотельная электроника. Учебное пособие.
8.1. Общие сведения
Диод Ганна - полупроводниковый диод, состоящий из однородного полупроводника, генерирующий СВЧ-колебания при приложении постоянного электрического поля.
Физической основой, позволяющей реализовать такие свойства в диоде, является эффект Ганна, который состоит в генерации высокочастотных колебаний электрического тока в однородном полупроводнике с N-образной вольт-амперной характеристикой.
Эффект Ганна обнаружен американским физиком Дж. Ганном (J.Gunn) в 1963 г. в кристалле арсенида галлия (GaAs) с электронной проводимостью. Ганн обнаружил, что при приложении электрического поля E (Eпор ≥ 2-3 кВ/см) к однородным образцам из арсенида галлия n-типа в образце возникают спонтанные колебания тока. Позднее он установил, что при E > Eпор в образце, обычно у катода, возникает небольшой участок сильного поля - "домен", дрейфующий от катода к аноду со скоростью ~107 см/сек и исчезающий на аноде. Затем у катода формируется новый домен, и процесс периодически повторяется. Моменту возникновения домена соответствует падение тока, текущего через образец. Моменту исчезновения домена у анода - восстановление прежней величины тока. Период колебаний тока приблизительно равен пролетному времени, т.е. времени, за которое домен дрейфует от катода к аноду.
 |
 |
 |
|
Copyright © 2003-2008 Авторы
| Ваш комментарий к статье | ||||
