Перечень глав

В связи с тем, что учебный курс читается для студентов третьего курса, в первой главе учебного пособия в кратком виде представлены основные сведения из физики твердого тела и из физики полупроводников. Эти сведения в дальнейшем необходимы при усвоении основного материала курса.

В главах второй и третьей излагаются физические основы, связанные с контактными явлениями в барьерах Шоттки, электронно-дырочных переходах и гетеропереходах, а также основы физики поверхности полупроводников и МДП-структур.

Четвертая и пятая главы посвящены анализу физических основ работы полупроводниковых диодов и биполярных транзисторов.

Глава шестая посвящена анализу работы полевых транзисторов.

Глава седьмая посвящена приборам с отрицательным дифференциальным сопротивлением - тиристорам.

Глава восьмая посвящена приборам функциональной электроники - диодам Ганна.

В девятой главе приводятся классификация и обозначения полупроводниковых приборов как российских, так и зарубежных.