Твердотельная электроника - Контрольные вопросыТвердотельная электроника. Учебное пособие.
Контрольные вопросы по учебному курсу
Необходимые сведения из физики твердого тела и физики полупроводников
1.1. Что такое основные и неосновные носители? Как они обозначаются в полупроводнике n-типа?1.2. Чем отличается распределение Ферми - Дирака от распределения Максвелла - Больцмана?
1.3. Что такое собственная концентрация?
1.4. Запишите формулы для диффузионных составляющих токов.
1.5. Какое состояние носителей заряда называется неравновесным?
1.6. Каковы основные механизмы рекомбинации носителей заряда в полупроводниках?
1.7. Запишите уравнение непрерывности в общем виде и поясните смысл входящих в него членов.
1.8. Как связаны диффузионная длина и время жизни неосновных носителей?
Барьеры Шоттки, p-n переходы и гетеропереходы
2.1. Чем объясняется искривление энергетических зон у поверхности полупроводника?2.2. Что такое дебаевская длина экранирования?
2.3. Нарисуйте зонную диаграмму выпрямляющего контакта металла с полупроводником n-типа.
2.4. Почему при контакте металла и полупроводника контактное поле в основном проникает в полупроводник и практически не проникает в металл?
2.5. Что такое металлургическая граница?
2.6. Чем определяется величина потенциального барьера p-n перехода?
2.7. Поясните влияние обратного напряжения на величину потенциального барьера.
2.8. Нарисуйте ВАХ идеализированного p-n перехода.
2.9. В чем отличие диффузионной емкости от барьерной?
2.10. В чем причина возникновения пичка на зонной диаграмме гетероперехода?
Полупроводниковые диоды
3.1. Почему диод на основе p-n перехода не выпрямляет малые сигналы?3.2. На каком участке ВАХ туннельного диода наблюдаются квантовые эффекты?
3.3. Как зависит напряжение стабилизации от легирования базы стабилитрона?
3.4. Как можно изменить функциональную зависимость емкости в варикапах?
Биполярные транзисторы
5.1. Нарисуйте зонную диаграмму n-p-n транзистора в равновесном состоянии.5.2. Дайте определение коэффициенту переноса и коэффициенту инжекции.
5.3. Как связан коэффициент переноса с шириной базы?
5.4. В чем заключается эффект Эрли?
5.5. Какая постоянная времени определяет инерционность транзистора в схеме ОБ?
5.6. Какая постоянная времени определяет инерционность транзистора в схеме ОЭ?
5.7. Что такое составной транзистор? Опишите его принцип действия и характеристики.
Полевые транзисторы
6.1. Чем отличаются МДП транзисторы со встроенным и индуцированным каналом?6.2. Что такое пороговое напряжение МДП транзистора?
6.3. Как влияют заряды в окисле и на поверхностных состояниях на пороговое напряжение?
6.4. Чему равен поверхностный потенциал при пороговом напряжении?
6.5. С чем связан наклон ВАХ в области насыщения?
6.6. Дайте определение крутизны МДП транзистора.
6.7. Как соотносятся крутизны по затвору и подложке?
6.8. Дайте определение напряжения отсечки полевого транзистора.
Тиристоры
7.1. Каковы особенности конструкции тиристора?7.2. На каком участке ВАХ тиристора идет накопление объемного заряда в базах тиристора?
7.3. Какова причина зависимости коэффициента передачи от напряжения на тиристоре?
7.4. Как влияет знак тока базы на напряжение переключения тиристора?
7.5. Почему ВАХ тиристора имеет участок отрицательного сопротивления?
Диоды Ганна
8.1. В чем заключается эффект Ганна?8.2. Каковы особенности зонной структуры GaAs?
8.3. Почему в приборах с ОДС флуктуации заряда не рассасываются?
8.4. Что такое максвелловское время релаксации?
8.5. Почему при разрушении домена сильного электрического поля возникают осцилляции тока?
Copyright © 2003-2008 Авторы
| Ваш комментарий к статье | ||||
