Контрольные вопросы по курсу "Микро- и оптоэлектроника".
Разделы "Статистика. Барьер Шоттки и p-n переходы"

1. Написать все уравнения, по которым можно рассчитать концентрацию равновесных носителей (основных и неосновных). Назвать все физические параметры, входящие в эти уравнения, и дать их определения.

2. Написать уравнение непрерывности. Назвать все физические параметры, входящие в это уравнение, и дать их определения.

3. Что такое термодинамическая работа выхода? Можно ли ее изменить в полупроводниках и металлах?

4. Чему равна термодинамическая работа в полупроводнике КЭФ-4,5? T = 300 К.

5. Что такое дебаевская длина экранирования? Можно ли ее изменить в полупроводниках и металлах? Зависит ли она от типа проводимости (p, n)?

6. Чему равна дебаевская длина экранирования в полупроводнике КДБ-4,5? T = 300 К.

7. Как изменится концентрация дырок в донорном полупроводнике (кремнии), если концентрация донорной примеси увеличится с N_D = 10¹⁴ см^-3 N_D = 10¹⁶ см^-3?

8. Как изменится концентрация дырок в полупроводнике (германии), если концентрация донорной примеси увеличится с N_D = 10¹⁴ см^-3 N_D = 10¹⁶ см^-3?

9. Чему равно максимальное электрическое поле в барьере Шоттки Au - nSi при V_G = -4 В. Нарисовать зонную диаграмму. ρ = 0,01 Ом·см.

10. Чему равна высота потенциального барьера в кремниевом p⁺-n переходе? N_D = 10¹⁵ см^-3, N_A = 10²⁰ см^-3, T = 77 К. Нарисовать зонную диаграмму.

11. Чему равна высота потенциального барьера в арсенид-галлиевом p⁺-n переходе? N_D = 10¹⁵ см^-3, N_A = 10¹⁶ см^-3, T = 77 К. Нарисовать зонную диаграмму.

12. Чему равен ток в диоде на основе кремниевого p-n⁺ перехода при V_G = 0,4 В, N_A = 10¹³ см^-3, T = 77 К, S = 1 мм²? Чем обусловлен этот ток?

13. Чему равен ток в диоде на основе арсенид-галлиевого p-n⁺ перехода при V_G = -0,4 В, N_A = 10¹³ см^-3, T = 300 К, S = 1 мм²? Чем обусловлен этот ток?

14. Как изменится ширина p⁺-n перехода, если легирующую концентрацию в n-области увеличить в 10 раз?

15. Чему равна емкость германиевого варикапа p⁺-n при напряжении V_G = -10 В, N_D = 10¹⁸ см^-3, T = 77 К, S = 1 мм²? Ответ выразить в пикофарадах.

16. Чему равна емкость германиевого варикапа p⁺-n при напряжении V_G = -10 В, N_D = 10¹⁸ см^-3, T = 300 К, S = 1 мм²? Ответ выразить в пикофарадах.

17. Чему равно удельное сопротивление InSb с собственной проводимостью при комнатной температуре?

18. Чему равно удельное сопротивление GaAs и Ge с собственной проводимостью при комнатной температуре?